【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，尤其涉及一种半导体制造方法及半导体结构。
技术介绍
1、自“摩尔定律”提出以来，微电子器件密度几乎沿着“摩尔定律”的预言发展。为了提高电路密度，微电子制造已由二维向三维发展。方法之一是将芯片堆叠以后进行封装，由此产生了三维电路封装技术(3d ic packaging)。三维电路封装技术中，要实现硅芯片上下层之间的连接，需要一种能够贯通硅芯片的加工工艺，即tsv技术。
2、tsv工艺主要包括以下步骤：通孔制造，绝缘层、阻挡层制备，通孔金属化，芯片减薄和键合。在以上步骤中，通孔金属化是各层之间实现连接的关键，也是tsv工艺的难点，常用的金属是铜，通常采用电镀的方法进行。
3、由于tsv通孔通常深宽比较大，约在1:1～1:10之间，若采用传统电镀工艺，孔口将快速生长，导致孔洞闭合，使得孔内难以得到金属沉积。因此，tsv工艺通常对镀液进行调整，例如，在镀液中添加加速剂、抑制剂等添加剂对tsv孔中的金属生长进行控制。在金属生长过程中，通过调整各添加剂的浓度和比例进行控制，一旦镀液中添加剂调整不理想，将会影响金属填充的效果，出现空洞等缺陷；此外，添加剂的加入使得电镀速率减小，生产效率降低。
技术实现思路
1、针对相关技术中存在的至少一个不足之处，本申请提供了一种半导体制造方法及半导体结构，可实现由下而上地对孔洞进行填充，避免出现空洞等缺陷。
2、本申请第一方面提供一种半导体制造方法，包括：
3、在半导体衬底上形成孔洞；<...
【技术保护点】
1.一种半导体制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，在形成所述介电层之后、移除所述第一介电层之前还包括执行光刻的步骤：在所述第一介电层和所述第二介电层之上形成光刻胶层，执行光刻工艺以将所述第一介电层暴露出来；在执行电镀工艺之前还包括将光刻胶层移除的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，在执行电镀工艺之后还包括执行平坦化工艺的步骤，以移除所述孔洞外的所述晶种层、所述金属及所述介电层。
4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述介电层采用SiO2、SiN、SiON或SiCN。
5.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，在执行电镀工艺的步骤中，所采用的电镀液中不添加添加剂。
6.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述晶种层为铜晶种层，所述金属为铜。
7.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，在执行电镀工艺之后还包括执行背面减薄工艺的步骤，对所述半导体衬底的背面执行减薄工艺，以在所述半导体衬底
8.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，在半导体衬底上形成所述孔洞的步骤中，在所述半导体衬底之上设置图案化的硬掩膜，通过湿法刻蚀或干法刻蚀工艺形成所述孔洞。
9.一种根据权利要求1-8任一项所述的半导体制造方法制造而成的半导体结构。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，在形成所述介电层之后、移除所述第一介电层之前还包括执行光刻的步骤：在所述第一介电层和所述第二介电层之上形成光刻胶层，执行光刻工艺以将所述第一介电层暴露出来；在执行电镀工艺之前还包括将光刻胶层移除的步骤。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，在执行电镀工艺之后还包括执行平坦化工艺的步骤，以移除所述孔洞外的所述晶种层、所述金属及所述介电层。
4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于，所述介电层采用sio2、sin、sion或sicn。
5.根据权利要求1或2所述的半导体制造方法，其特征在于，在执行电镀工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝广信，曹学文，颜天才，杨列勇，
申请(专利权)人：物元半导体技术青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：
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