【技术实现步骤摘要】
本申请涉及led显示设备制造，具体而言，涉及一种显示模组排晶方法和设备。
技术介绍
1、近年来，micro led(micro light emitting diode，中文称作微发光二极体)因其功耗低、响应快、寿命长、光效率高等特点，被视为继lcd、oled之后的新一代显示面板技术，micro led是将传统led薄膜化、微小化和矩阵化，使像素点距离从毫米级降低至微米级别，并在一个芯片上高度集成的固体自发光显示技术。此外，min iled(又名次毫米发光二极管)是晶粒尺寸约在100微米以上的led，介于传统led与micro led之间，简单来说是传统led背光基础上的改良版本。
2、micro led与min iled显示近年来广受市场的热捧，其直显的清晰度由芯片间距决定，在其直显模组制备中，led芯片厂的芯片排布间距通常不符合模组厂的芯片间距需求，这时需要对led芯片进行排晶，以达到模组厂的生产工艺需求，而排晶的准确性，产品表面一致性和平整性差等缺陷，限制着显示模组的显示能力。
3、由此，需要提出一种在micro led和min iled领域中能有效实现led芯片排晶的排晶方法，以保证产品排晶的准确性、一致性和平整性。
技术实现思路
1、本申请提供了一种显示模组排晶方法和设备，以解决现有技术micro led和miniled领域中对led芯片排晶的准确性、一致性和平整性需求问题。
2、根据本申请提供的一种显示模组排晶方法，应用于mini/m
3、挑选作为载体的uv膜，将led芯片移至uv膜形成芯片uv膜，其中，led芯片的焊盘面与uv膜的表面接触黏连；
4、将芯片uv膜置于扩晶装置中进行扩晶，并对扩晶后的芯片uv膜进行光照解胶；
5、将扩晶、解胶后的芯片uv膜转移至排晶装置的料仓中；
6、按照预设的排晶参数，通过识别对位将led芯片刺晶转移到目标位置实现排晶，其中，对led芯片进行刺晶的戳刺压力可控且保持一致。
7、在一些实施例中，预设的排晶参数，包括：排晶范围、排晶间距和预设戳刺压力值。
8、在一些实施例中，通过识别对位将led芯片转移到目标位置实现排晶，包括：
9、通过ccd视觉定位系统定位led芯片，根据定位结果按照预设的排晶范围和排晶间距，使用刺针将led芯片依次从芯片uv膜上倒装戳下，戳刺过程中实时监测刺针的戳刺压力，当戳刺压力达到预设戳刺压力值时，控制刺针缩回并移动至下一led芯片，重复戳刺。
10、在一些实施例中，刺针的尖端端面为平面，尖端端面的直径设置为50－100微米，且不超过led芯片的宽度大小。
11、在一些实施例中，将芯片uv膜置于扩晶装置中进行扩晶，包括：
12、将芯片uv膜置于扩晶装置中进行加热扩张，加热温度为45－55℃，扩张系数设置为1.25－1.30。
13、在一些实施例中，对扩晶后的芯片uv膜光照解胶，包括：在氮气保护下，使用能量在100mj/cm2/s以上的紫外光照射芯片uv膜进行解胶，解胶时间为85－95s，所用紫外光的波长为365nm。
14、在一些实施例中，方法还包括：在制成芯片uv膜后，对芯片uv膜进行检测，检测芯片uv膜是否存在异物或结构破损，以及检测led芯片的焊盘间距是否符合公差要求。
15、在一些实施例中，通过识别对位将led芯片刺晶转移到目标位置实现排晶，目标位置为中转治具，方法还包括：通过巨量转移手段将led芯片从中转治具转移至显示模组的电路板。
16、依据本申请的另一个方面，提供了一种显示模组排晶设备，应用于mini/micro－led显示器制造，设备包括：
17、成膜装置，成膜装置用于将led芯片移至uv膜形成芯片uv膜，其中，led芯片的焊盘面与uv膜的表面接触黏连；
18、扩晶装置，扩晶装置对芯片uv膜进行扩晶；
19、解胶装置，解胶装置对扩晶后的芯片uv膜进行光照解胶；
20、转移装置，转移装置用于将扩晶、解胶后的芯片uv膜转移至排晶装置的料仓中；
21、排晶装置，排晶装置用于读取预设的排晶参数，通过识别对位将led芯片刺晶转移到目标位置实现排晶，其中，排晶装置的刺针设置有压力检测结构，刺针对led芯片进行刺晶的戳刺压力可控且保持一致。
22、在一些实施例中，预设的排晶参数包括：排晶范围、排晶间距和预设戳刺压力值；
23、排晶装置通过ccd视觉定位系统定位led芯片，根据定位结果按照预设的排晶范围和排晶间距，使用刺针将led芯片依次从芯片uv膜上倒装戳下，戳刺过程中实时监测刺针的戳刺压力，当戳刺压力达到预设戳刺压力值时，控制刺针缩回并移动至下一led芯片，重复戳刺。
24、本申请的技术方案，通过对芯片uv膜进行扩晶解胶，实现led芯片的间距预调和剥离，并通过可控的戳刺压力进行led芯片刺晶，以保证各led芯片排晶时所受压力相同，从而保证了排晶产品上led芯片的准确性、一致性和平整性。
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1.一种显示模组排晶方法，应用于Mini/Micro－LED显示器制造，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述预设的排晶参数，包括：排晶范围、排晶间距和预设戳刺压力值。
3.根据权利要求2所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述通过识别对位将所述LED芯片转移到目标位置实现排晶，包括：
4.根据权利要求3所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述刺针的尖端端面为平面，尖端端面的直径设置为50－100微米，且不超过所述LED芯片的宽度大小。
5.根据权利要求1所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述将所述芯片UV膜置于扩晶装置中进行扩晶，包括：
6.根据权利要求5所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述对扩晶后的所述芯片UV膜光照解胶，包括：在氮气保护下，使用能量在100mj/cm2/s以上的紫外光照射所述芯片UV膜进行解胶，解胶时间为85－95s，所用紫外光的波长为365nm。
7.根据权利要求1所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述方法还包括：在制成所述芯片U
8.根据权利要求1所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述通过识别对位将所述LED芯片刺晶转移到目标位置实现排晶，所述目标位置为中转治具，所述方法还包括：通过巨量转移手段将所述LED芯片从所述中转治具转移至显示模组的电路板。
9.一种显示模组排晶设备，应用于Mini/Micro－LED显示器制造，其特征在于，所述设备包括：
10.根据权利要求9所述的显示模组排晶设备，其特征在于，所述预设的排晶参数包括：排晶范围、排晶间距和预设戳刺压力值；
...【技术特征摘要】
1.一种显示模组排晶方法，应用于mini/micro－led显示器制造，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述预设的排晶参数，包括：排晶范围、排晶间距和预设戳刺压力值。
3.根据权利要求2所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述通过识别对位将所述led芯片转移到目标位置实现排晶，包括：
4.根据权利要求3所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述刺针的尖端端面为平面，尖端端面的直径设置为50－100微米，且不超过所述led芯片的宽度大小。
5.根据权利要求1所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述将所述芯片uv膜置于扩晶装置中进行扩晶，包括：
6.根据权利要求5所述的显示模组排晶方法，其特征在于，所述对扩晶后的所述芯片uv膜光照解胶，包括：在氮气保护下，使用能量在100mj/cm2/s...
【专利技术属性】
技术研发人员：王成民，黄贺坤，胡恒广，闫冬成，赖余盟，师文，李召辉，周一航，
申请(专利权)人：旭显未来北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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