一种芯片无损回收再利用装置及其回收再利用方法制造方法及图纸

一种芯片无损回收再利用装置及其回收再利用方法，包含用于放置智能卡的金属工作台面、加热单元及温度控制单元。加热单元设置在金属工作台面下方，其与金属工作台面组合为一体为智能卡加热，或者是加热单元为金属工作台面加热，其埋设在金属工作台面中间。温度控制单元用于控制加热单元的加热温度，其与加热单元连接。将待回收的智能卡平放在金属工作台面上，温度控制单元控制加热单元的温度值，加热单元对金属工作台面加热使金属工作台面的温度升高并使智能卡基板软化，将芯片从软化了的智能卡基板中无损分离并取出，将取出的芯片经电性能测试后重新封装投入使用。本发明专利技术可广泛应用于各种领域，芯片回收再利用率高，可节约大量宝贵资源和资金。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子废弃物回收再利用的技术，尤其涉及。
技术介绍
智能卡由智能卡基板、镶嵌在基板内的耦合元件及价格昂贵的芯片(CPU、IC、ID) 所组成，理论寿命可长达10年或10万次。将沉淀、电性能完好，使用仅数百、数千次的智能 卡回收后，该智能卡内部的芯片还是可以循环再使用，但由于受到现有智能卡制造技术与 工艺限制(芯片和天线电路埋设封装在塑料基板里的一体化结构设计)，无法将芯片完好、 无损取出，只能作为电子废弃物整体丢弃，浪费宝贵资源的同时又污染了环境，不符合国家 提倡的循环经济和节能减排的政策。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，能够将 智能卡中的芯片完好无损地取出从而避免资源浪费。为了实现上述目的，本专利技术提供一种芯片无损回收再利用装置，其特点是，包含用 于放置智能卡的金属工作台面、加热单元及温度控制单元；上述的加热单元设置在金属工作台面下方，其与金属工作台面组合为一体为智能 卡加热；或者是所述的加热单元为金属工作台面加热，该加热单元埋设在金属工作台面中 间；所述的温度控制单元用于控制加热单元的加热温度，其与加热单元连接。上述的芯片无损回收再利用装置，其中，金属工作台面表面涂覆特氟龙不粘材料。上述的芯片无损回收再利用装置，其中，加热单元为与金属工作台面组合为一体 的电磁耦合线圈，其设置在金属工作台面下方；所述的电磁耦合线圈与交流电源及温度控 制单元组成一工作电路，温度控制单元控制交流电源对电磁耦合线圈通电或断电。。上述的芯片无损回收再利用装置，其中，金属工作台面采用能够产生涡电流的导 磁性铁质金属材料制造。上述的芯片无损回收再利用装置，其中，加热单元为电加热管，该电加热管埋设在 金属工作台面中间；所述的电加热管与交流电源及温度控制单元组成一工作电路，温度控 制单元控制交流电源对电加热管通电或断电。上述的芯片无损回收再利用装置，其中，金属工作台面采用铜，或者是铝，或者是 钢，或者是铁制造。本专利技术还提供一种芯片无损回收再利用的方法，其特点是，包含以下步骤步骤1、将待回收的智能卡基板平放在金属工作台面上；步骤2、根据不同的智能卡基板材料的维卡软化温度值来调节温度控制单元；步骤3、温度控制单元控制加热单元的温度值；步骤4、加热单元对金属工作台面加热使金属工作台面的温度升高并使智能卡基 板软化；步骤5、使用芯片取用工具将芯片从软化了的智能卡基板中无损分离并取出；步骤6、将取出的芯片经电性能测试后重新封装投入使用。上述的芯片无损回收再利用的方法，其中，金属工作台面的温度可根据不同材料 的智能卡基板的维卡软化温度值要求在100至170摄氏度范围内进行控制。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点1.本专利技术解决了智能卡芯片回收再利用的世界性难题；2.本专利技术绿色环保、节能减排效果明显，是电子废弃物处理技术的创新与进步；3.本专利技术可广泛应用于各类智能卡制造、回收再利用领域；4.本专利技术符合循环经济特征，芯片回收再利用率高，可节约大量宝贵资源和资金。附图说明图1是本专利技术的整体结构示意图；图2是本专利技术的金属工作台面的示意图；图3是本专利技术的加热单元为电磁耦合线圈时的结构示意图；图4是本专利技术的加热单元为电加热管时的结构示意图；图5是本专利技术的芯片取用工具的示意图。具体实施例方式以下结合图1至图5，详细说明本专利技术优选的实施例。实施例之一如图1所示，图1是本专利技术整体结构示意图。一种芯片无损回收再利用装置，包含 用于放置智能卡的金属工作台面3、加热单元8及温度控制单元4。加热单元8与金属工作 台面3组合为一体为智能卡加热，该加热单元8设置在金属工作台面3下方。温度控制单 元4用于控制加热单元8的加热温度，其与加热单元8连接。如图2所示，图2是本专利技术的金属工作台面的示意图。金属工作台面3的表面涂 覆特氟龙不粘材料7。智能卡包含智能卡基板1和内置在智能卡基板中的芯片2，智能卡的 形状可以是任意形状。在本实施例中，加热单元8为与金属工作台面3组合为一体的电磁耦合线圈6，如 图3所示，图3是本专利技术的加热单元为电磁耦合线圈时的结构示意图。电磁耦合线圈6必 须和金属工作台面3组合在一起才能达到加热的目的，这就与电磁炉的原理是一样的。金 属工作台面3采用能够产生涡电流的导磁性铁质金属材料制造，电磁耦合线圈6安 装在金 属工作台面3下方并与金属工作台面3固定连接，交流电源(图中未示出)、电磁耦合线圈 6与温度控制单元4(如图1所示)组成一工作电路。本实施例提供的装置在工作时，交流 电源在温度控制单元4的控制下，对电磁耦合线圈6通以交流电，该交流电通过电磁耦合线 圈6产生交变磁场，当磁场内的磁力线11通过金属工作台面3底部时产生涡电流10会产 生大量热能，这些热能使得金属工作台面3由下至上快速加热，并将放置在金属工作台面3上的智能卡基板1迅速软化，然后使用芯片取用工具5 (即专用起芯夹，如图5所示)将智 能卡基板1里的芯片2快速、无损分离后取出。使用本实施例提供的装置进行芯片回收再利用需要经过以下步骤 步骤1、将待回收的智能卡基板平放在金属工作台面上的；步骤2、根据不同的智能卡基板材料的维卡软化温度值来调节温度控制单元；步骤3、温度控制单元控制电磁耦合线圈的温度值；步骤4、电磁耦合线圈产生交变磁场，磁场内的磁力线通过金属工作台面底部时产 生大量热能，该大量热能对金属工作台面加热使金属工作台面的温度升高并使智能卡基板 软化；步骤5、使用专用起芯夹将芯片从软化了的智能卡基板中无损分离并取出；步骤6、将取出的芯片经电性能测试后重新封装投入使用。金属工作台面3的工作温度需根据不同材料的智能卡基板1维卡软化值来设定， 温度控制单元4可控制电磁耦合线圈6产生交变磁场的磁力线11通过金属工作台面3底 部时产生的涡电流10的强度和热能，该热能可在100至170摄氏度范围内进行调整。工作 时，通电加热，温度升高到设定温度摄氏度时，温度控制单元4控制交流电源不再向电磁耦 合线圈6通交流电，则电磁耦合线圈6将不会再向金属工作台面3加热，进入到保温状态； 当温度下降至设定温度摄氏度时，温度控制单元4控制交流电源使其重新向电磁耦合线圈 6通交流电，电磁耦合线圈6重新对金属工作台面3加热。如此反复，即可在金属工作台面 3上完成芯片2的无损回收工艺。实践证明电性能完好的智能卡，通过采用本实施例提供 的装置和方法提取的芯片的回收利用率可达95-100%之间。实施例之二 如图1所示，图1是本专利技术整体结构示意图。一种芯片无损回收再利用装置，包含 用于置放智能卡基板1的金属工作台面3、加热单元8及温度控制单元4。加热单元8为金 属工作台面3加热，该加热单元8设置在金属工作台面3下方。温度控制单元4用于控制 加热单元8的加热温度，其与加热单元8连接。如图2所示，图2是本专利技术的金属工作台面的示意图。金属工作台面3的表面涂 覆特氟龙不粘材料7。智能卡的形状可以是任意形状。在本实施例中，加热单元8为电加热管9，如图4所示，图4是本专利技术的加热单元为 电加热管时的结构示意图。金属工作台面3可采用铜、铝合金、钢、铁等金属材料制成，金属 工作台面3里埋设有电加热管9，该电加热管9为镍铬或铁铬合金。交流电源(图中未示 出)、电加热管9与温度控制单元4(如图1所示)组成一工作电路。本实施例提供的装置 在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片无损回收再利用装置，其特征在于，包含用于放置智能卡的金属工作台面（３）、加热单元（８）及温度控制单元（４）；所述的加热单元（８）设置在金属工作台面（３）下方，其与金属工作台面（３）组合为一体为智能卡加热；或者是所述的加热单元（８）为金属工作台面（３）加热，该加热单元（８）埋设在金属工作台面（３）中间；所述的温度控制单元（４）用于控制加热单元（８）的加热温度，其与加热单元（８）连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李达，李庆胜，
申请(专利权)人：上海卡美循环技术有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]