本发明专利技术提供一种升压型开关电源装置。其中，本发明专利技术所涉及的升压ＤＣ／ＤＣ变换器（３０）具有：同步整流晶体管（Ｍ１）、输出晶体管（Ｍ２）、连接在同步整流晶体管（Ｍ１）的背栅与外部端子（Ｔ２）之间的第１背栅控制晶体管（Ｍ３）、连接在外部端子Ｔ２与接地端之间的放电晶体管（Ｍ６）、进行这些部件的导通／截止控制的控制部（Ｘ１），控制部（Ｘ１）在使输出晶体管（Ｍ２）及同步整流晶体管（Ｍ１）的开关动作停止时，使第１背栅控制晶体管（Ｍ３）截止，并使放电晶体管（Ｍ６）导通。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使输入电压升压来生成输出电压的升压型开关电源装置(斩波型电 源装置)。
技术介绍
图27A 图27C是分别表示升压型开关电源装置的第1 第3现有例的电路图。 此外，作为与升压型开关电源装置关联的现有技术的一个例子，可举出本申请申请人申请 的日本特开2006-304500号公报。上述现有的升压型开关电源装置，能够通过进行输出晶体管M2的导通/截止控 制，使输入电压Vin(在图27A 图27C中为电源电压VCC)升压来得到期望的输出电压 Vout0但是，在图27A所示的升压型开关电源装置中，存在着经由同步整流晶体管Ml所 附带的寄生二极管Dx而从电源电压VCC的输入端至输出电压Vout的输出端的电流泄露路 径。因此，在由于升压动作处于停止中而输出电压Vout比电源电压VCC低的情况下，若电 源电压Vcc提供给升压型开关电源装置，则即使同步整流晶体管Ml截止，也会经由上述电 流泄露路径而向输入输出电容器Cx流入大的冲击电流。此时，若提供电源电压VCC的电源 (例如电池)的电流供给能力小，则会由上述冲击电流引起电源电压VCC的下降，从而会对 接受电源电压VCC的供给而驱动的其他IC或器件(图27A 图27C中未图示)带来不良 影响。另外，即使在图27B所示的升压型开关电源装置中，在输出电压Vout比电源电压VCC 低的状态下，因为同步整流二极管Dy处于导通状态，所以也会发生与上述相同的情况。另外，若为图27C所示的升压型开关电源装置，则在使升压动作停止时，通过使同 步整流晶体管Ml截止并且使连接在同步整流晶体管Ml的背栅与源极之间的晶体管M3截 止，能够切断经由寄生二极管Dx的电流泄露路径，所以关于升压动作停止中的冲击电流的 产生及电源电压VCC的下降而言，就能够防患于未然。但是，在由该结构形成的升压型开关 电源装置中，即使在升压动作停止中接通了电源电压VCC，输出电容器Cx也完全不被充电， 所以，在升压动作启动时导通了同步整流晶体管Ml的时刻，输出电压Vout处于比电源电压 VCC低的状态，由于大的冲击电流输入输出电容器Cx中，故与上述情况同样会导致电源电 压VCC的下降。另外，在图27A或图27C所示的升压型开关电源装置中，若升压动作中输出端接地 (与接地端或基于该接地端的低电位端短接)，则可能会在同步整流晶体管Ml中流动过电 流而造成损坏。另外，即使在图27B所示的升压型开关电源装置中，也会因接地而导致同步 整流二极管Dy的损坏。另外，在图27C所示的升压型开关电源装置中，由于在停止升压动作时会残留输 出电容器Cx的电荷，因此，担心此后在重新开始升压动作时，输出电压Vout会从比零值高 的电位开始上升，导致负载的异常动作。
技术实现思路
本专利技术鉴于申请人发现的上述问题而实现，其目的在于提供一种可适当进行升压 动作的启动及停止的升压型开关电源装置、以及利用该升压型开关电源装置的多输出电源 装置及电气设备。为了实现上述目的，本专利技术的升压型开关电源装置采用如下构成，具有线圈，其 一端与输入电压的输入端连接；输出晶体管，其连接在所述线圈的另一端与接地端之间； 同步整流晶体管，其连接在所述线圈的另一端与输出电压的输出端之间；输出电容器，其连 接在所述输出电压的输出端与接地端之间；第1背栅控制晶体管，其连接在所述同步整流 晶体管的背栅与所述输出电压的输出端之间；放电晶体管，其连接在所述输出电压的输出 端与接地端之间；和控制部，其进行所述输出晶体管、所述同步整流晶体管、所述第1背栅 控制晶体管及所述放电晶体管的导通/截止控制；所述控制部在使所述输出晶体管及所述 同步整流晶体管的开关动作停止时，使所述第1背栅控制晶体管截止，并使所述放电晶体 管导通。根据由上述构成形成的升压型开关电源装置，能够适当进行升压动作的启动及停止。另外，关于本专利技术的其他特征、要素、步骤、优点及特性，通过接下来进行的具体实 施方式的详细说明和与此相关的附图而能够更加明了。附图说明图1是表示本专利技术所涉及的多输出电源装置的一个实施方式的框图。图2是用于说明外部端子的功能的表。图3是表示与多输出电源装置1连接的元件的一个例子的系统构成图。图4是表示多输出电源装置1的电气特性的表。图5是表示各输出电压的启动波形的时序图。图6是用于说明基于管脚10 (ENUP)的升压DC/DC变换器控制的时序图。图7是用于说明升压DC/DC变换器30的冲击(in rush)电流抑制功能的时序图。图8是表示过电压屏蔽(mute)功能的动作时波形的时序图。图9A是表示在热断路(thermal shut down)时的降压DC/DC变换器10及20的 输出状态的框图。图9B是表示在热断路时的升压DC/DC变换器30的输出状态的框图。图10是用于说明升压DC/DC变换器30的过电流检测动作的时序图。图11是用于说明降压DC/DC变换器10、20的过电流检测动作的时序图(VDC01过 电流检测的情况)。图12是表示电流开关(current switch) 50的过电流检测特性的一个例子的图。图13是表示限流部53的一个构成例的框图。图14是表示各端子的输入输出等效电路的一览表。图15是表示升压DC/DC变换器30的第1构成例的电路框图。图16是升压DC/DC变换器30的动作状态和晶体管Ml M5的导通/截止状态的 相关图。图17是用于说明升压DC/DC变换器30的启动动作的时序图。图18是表示升压DC/DC变换器30的第2构成例的电路框图。图19是表示升压DC/DC变换器30的第3构成例的电路框图。图20是升压DC/DC变换器30的动作模式(动作状态)和晶体管Ml M6的导通 /截止状态的相关图。图21是表示向光盘装置应用的应用例的框图。图22是表示支架开闭检测系统的第1构成例的框图。图23是表示基于支架开闭检测的激光器控制的一个动作例的时序图。图24是表示支架开闭检测系统的第2构成例的框图。图25是表示RS锁存部201和边缘检测部202的一个构成例的电路图。图26是表示基于支架开闭检测的激光器控制的一个动作例的时序图。图27A是表示升压型开关电源装置的第1现有例的电路图。图27B是表示升压型开关电源装置的第2现有例的电路图。图27C是表示升压型开关电源装置的第3现有例的电路图。符号说明1-多输出电源装置；10-降压DC/DC变换器(1. 2V输出)；Il-P沟道型MOS场效应晶体管(输出用开关)；12-N沟道型MOS场效应晶体管(同步整流用开关)；13-控制驱动部；14-误差放大器；15-PWM 比较器；16-限流部；20-降压DC/DC变换器(3. 3V输出)；21-P沟道型MOS场效应晶体管(输出用开关)；22-N沟道型MOS场效应晶体管(同步整流用开关)；23-控制驱动部；24-误差放大器；25-PWM 比较器；26-限流部；30-升压DC/DC变换器；31-N沟道型MOS场效应晶体管(输出用开关)；32-P沟道型MOS场效应晶体管(同步整流用开关)；33-控制驱动部；34-误差放大器；35-PWM 比较器；36-限流部；37-背栅控制部；40-复位电路；50-电流开关；51-P沟道型MOS场效应晶体管；52-控制驱动部；53-限流部；531-过电流检本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种升压型开关电源装置，其特征在于，具有：线圈，其一端与输入电压的输入端连接；输出晶体管，其连接在所述线圈的另一端与接地端之间；同步整流晶体管，其连接在所述线圈的另一端与输出电压的输出端之间；输出电容器，其连接在所述输出电压的输出端与接地端之间；第１背栅控制晶体管，其连接在所述同步整流晶体管的背栅与所述输出电压的输出端之间；放电晶体管，其连接在所述输出电压的输出端与接地端之间；和控制部，其进行所述输出晶体管、所述同步整流晶体管、所述第１背栅控制晶体管及所述放电晶体管的导通／截止控制；所述控制部在使所述输出晶体管及所述同步整流晶体管的开关动作停止时，使所述第１背栅控制晶体管截止，并使所述放电晶体管导通。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：和智贵嗣，永里政嗣，岩田悠贵，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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