一种微机电结构及电子设备制造技术

技术编号:40141609 阅读:21 留言:0更新日期:2024-01-23 23:42
本公开实施例公开了一种微机电结构及电子设备,该微机电结构包括衬底、振膜和背极板,背极板包括第一导电区域和第二导电区域,所述第一导电区域与所述悬空部位置相对并位于所述支撑结构的内侧,所述振膜与所述第二导电区域之间电连接,且所述第一导电区域和所述第二导电区域之间绝缘连接,使得第一导电区域和第二导电区域能够各自独立工作,从而能够利用第一导电区域和第二导电区域这两个不同区域实现微机电结构的声学性能的调整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微机电系统,更具体地,本专利技术涉及一种微机电结构及电子设备


技术介绍

1、对于声音信号或者电信号的采集,现有技术中通常采用mems麦克风和mems扬声器进行直接检测,比如可以利用电容式mems麦克风进行声音信号至电信号的转换,或者也可以利用电容式mems扬声器以进行电信号至声音信号的转换,均能够实现相应的信号感测。

2、但是,对于现有的mems产品而言,局限于自身结构以及成型工艺的复杂性,使得mems产品的声学性能较为稳定,难以根据实际应用需求进行调整。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种微机电结构及电子设备的新技术方案。

2、根据本专利技术的一个方面,提供了一种微机电结构。该微机电结构包括:

3、衬底,所述衬底上形成声腔;

4、振膜,所述振膜具有固定部和悬空部,所述固定部固定在所述衬底上,所述悬空部位于所述声腔上;

5、背极板,所述背极板设置在所述衬底上,所述背极板与所述振膜之间形成有间隙,所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微机电结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,在所述振膜(2)与所述第一导电区域(32)之间施加第一偏置电压的情况下,所述振膜(2)的电势与所述第二导电区域(33)的电势相等。

3.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,在所述振膜(2)与所述第一导电区域(32)之间施加第一偏置电压的情况下,所述振膜(2)与所述第二导电区域(33)之间具有第二偏置电压。

4.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,所述背极板(3)上还具有第一绝缘结构(34),所述第一绝缘结构(34)将所述背极板(3)划分为所述第一导电...

【技术特征摘要】

1.一种微机电结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,在所述振膜(2)与所述第一导电区域(32)之间施加第一偏置电压的情况下,所述振膜(2)的电势与所述第二导电区域(33)的电势相等。

3.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,在所述振膜(2)与所述第一导电区域(32)之间施加第一偏置电压的情况下,所述振膜(2)与所述第二导电区域(33)之间具有第二偏置电压。

4.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,所述背极板(3)上还具有第一绝缘结构(34),所述第一绝缘结构(34)将所述背极板(3)划分为所述第一导电区域(32)和所述第二导电区域(33),所述支撑结构(31)与所述第二导电区域(33)之间电连接。

5.根据权利要求4所述的微机电结构,其特征在于,所述背极板(3)上还具有第二绝缘结构(35),所述第二绝缘结构(35)位于所述第二导电区域(33)内,所述第二绝缘结构(35)将所述第二导电区域(33)划分为第三导电区域(331)和第四导电区域(332),所述第三导电区域(331)和所述第四导电区域(332)之间绝缘连接,所述支撑结构(31)与所述第三导电区域(331)之间电连接。

6.根据权利要求5所述的微机电结构,其特征在于,所述第二绝缘结构(35)和所述第一绝缘结构(34)均呈环状结构,且所述第二绝缘结构(35)和所述第一绝缘结构(34)同轴设置。

7.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员:邱冠勋张贺存崔广超陈瑞言邹泉波王喆
申请(专利权)人:歌尔微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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