【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及mems传感器，具体涉及一种基于精密电铸三维互联金属微电极阵列及一体化成型方法。
技术介绍
1、mems传感器的高速发展对于电路的尺寸提出了越来越高的要求，为了满足电路小型化的需要，电气元件的尺寸不断缩小，但仅通过缩小元件尺寸，难以满足电路小型化的需求。
2、传统mems传感器的电路为二维电路，即所有的元器件均排布在同一平面上，这种排布方式对空间的利用率比较低，难以满足电路小型化的需要。为了解决二维mems传感器电路的缺陷，该领域开始运用三维电路，就是通过将多层电路进行堆叠的工艺，这种工艺具有更高的空间利用率和以及更优秀的电学性能，被广泛运用于微电子封装技术中。
3、为了实现mems传感器电路中各元器件的互联，需要制备通孔，并在通孔中填充导电物质，形成互联电极结构。传统的互联电极结构(公开号：cn108461465a、名称：一种硅通孔结构及其制备方法)需要分别依次制备上下电极以及连通结构，分步成型工艺导致上下电极与连通结构的接触界面存在势垒电阻，该工艺存在工艺流程较为繁琐、所制造的电极导电性受限、制...
【技术保护点】
1.一种基于精密电铸三维互联金属微电极阵列，包括柔性膜衬底，其特征在于：柔性膜衬底正面制备有金属电极阵列，柔性膜衬底背面制备有金属引线，金属引线通过互联微电极结构和金属电极阵列连接。
2.权利要求1所述的一种基于精密电铸三维互联金属微电极阵列的一体化成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步骤1具体为：首先使用水超声波辅助去离子清洗3-10分钟，然后使用酒精清洗5-10分钟，最后使用氮气将柔性膜吹干。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步骤2具体为：将柔性膜衬底浸入光刻胶溶...
【技术特征摘要】
1.一种基于精密电铸三维互联金属微电极阵列，包括柔性膜衬底，其特征在于：柔性膜衬底正面制备有金属电极阵列，柔性膜衬底背面制备有金属引线，金属引线通过互联微电极结构和金属电极阵列连接。
2.权利要求1所述的一种基于精密电铸三维互联金属微电极阵列的一体化成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步骤1具体为：首先使用水超声波辅助去离子清洗3-10分钟，然后使用酒精清洗5-10分钟，最后使用氮气将柔性膜吹干。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步骤2具体为：将柔性膜衬底浸入光刻胶溶液中，再将柔性膜衬底以6-20mm/min的速度竖直提升，在柔性膜衬底上形成一层均匀光刻胶液膜,然后将光刻胶在黄光区自然烘干2-5小时。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步骤3具体为：通过激光切割技术，使用功率为5-10kw的激光在柔性膜衬底上加工出微通孔，形成微通孔阵列以及对正标记。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的步骤4具体为：通过对正标记对正柔性膜衬底正面的曝光图案，然后对柔性膜衬底正面进行曝光操作，曝光光强为10mw/cm2，曝光时间8-30s，对阴影区域进行透...
【专利技术属性】
技术研发人员：雷彪，刘红忠，李新雨，姜维，尹磊，史永胜，陈邦道，王兰兰，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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