【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及气体传感器，尤其涉及一种mems气体传感器及其加工方法。
技术介绍
1、mems气体传感器是基于微电子技术及微加工技术制造的微型气体传感器。随着mems技术的发展，mems气体传感器的生产工艺逐步优化，并广泛应用在电池上，成为预测电池热失控的重要指标。
2、mems气体传感器包括气敏电极和气敏层，在一定的温度下，气体分子与气敏层反应引起气敏电极电阻率的变化，从而实现对气体的探测。由于待检测环境中含有多种气体，而已有的mems气体传感器无法对气体进行过滤，影响检测的准确性和灵敏度。此外，目前常见的mems气体传感器的敏感层长期暴露在外界环境中，很容易被污染而影响检测的测量精度、稳定性及使用寿命。
技术实现思路
1、基于以上所述，本专利技术的目的在于提供一种mems气体传感器及其加工方法，不仅能够对待检测环境中的气体进行过滤，增加检测的准确性和灵敏度，还能够将敏感层与外界环境隔离，降低敏感层被污染的概率，提升测量精度和稳定性，延长mems气体传感器的使用寿命。
...【技术保护点】
1.一种MEMS气体传感器的加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MEMS气体传感器的加工方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成加热电极时，还在所述第二绝缘层上形成有能够与所述敏感电极电连接的第一电连接件；形成所述检测槽时，还在所述第三绝缘层上加工出电连接槽；形成所述敏感电极时，在所述电连接槽内形成与所述第一电连接件电连接的第一金属PAD，所述第一金属PAD位于所述热变形件的外侧。
3.根据权利要求2所述的MEMS气体传感器的加工方法，其特征在于，所述加热电极为多晶硅电极，所述第一电连接件为多晶硅连接件，所述键合层为多晶硅键合...
【技术特征摘要】
1.一种mems气体传感器的加工方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mems气体传感器的加工方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上形成加热电极时，还在所述第二绝缘层上形成有能够与所述敏感电极电连接的第一电连接件；形成所述检测槽时，还在所述第三绝缘层上加工出电连接槽；形成所述敏感电极时，在所述电连接槽内形成与所述第一电连接件电连接的第一金属pad，所述第一金属pad位于所述热变形件的外侧。
3.根据权利要求2所述的mems气体传感器的加工方法，其特征在于，所述加热电极为多晶硅电极，所述第一电连接件为多晶硅连接件，所述键合层为多晶硅键合层，所述热变形件为玻璃片，所述玻璃片与所述多晶硅键合层阳极键合。
4.根据权利要求1所述的mems气体传感器的加工方法，其特征在于，所述第一绝缘层为第一氧化硅层，所述第二绝缘层为第一氮化硅子层，所述第三绝缘层包括形成在所述加热电极和所述第一氮化硅子层上的第二氮化硅子层和形成在所述第二氮化硅子层上的第二氧化硅层，所述第一氮化硅子层和所述第二氮化硅子层组成氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的mems气体传感器的加工方法，其特征在于，所述热释气剂为氢化钛、碳酸钙、碳酸氢钙、氢化锆、碳酸锶中的一种或者至少两种。
6.一种mems气体传感器，其特征在于，包括依次叠设的硅衬底、绝缘层、键合层及热变形件，所述硅衬底背离所述绝缘层的一侧设有散热腔，所述绝缘层内设有正对所述散热腔的加热电极，所述绝缘层和所述键合层上...
【专利技术属性】
技术研发人员：任青颖，柳俊文，史晓晶，胡引引，
申请(专利权)人：南京元感微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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