一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法技术

本发明专利技术涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于：（1）在托片上制备通气通道的图形化光刻胶掩膜；（2）在托片上刻蚀出通气通道；（3）在托片上匀光刻胶；（4）将硅片和托片使用光刻胶粘合；（5）使用感应耦合等离子体干法刻蚀刻穿硅片，得到体硅微机构；（6）将托片和硅片分开，释放体硅微结构。本发明专利技术优点是：工艺简单，不存在工艺难点，适用小批量生产，不会对刻蚀设备产生不良影响；增加通气通道进行光刻胶黏连更能保证成品率，不会因为糊胶、裂胶等工艺缺陷损失晶圆。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子器件加工，涉及一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法。

技术介绍

1、微电子机械系统（mems）是近几十年发展起来的高新
，以微电子工艺为基础的mems技术发展尤为迅速。从开始的表面加工工艺到体硅加工工艺，随着小型化集成化的发展需求。深硅刻蚀工艺已经成为了微电子器件制造技术中的绝对关键工艺。如果能够将硅片刻穿，将获得极大深宽比体硅结构的微电子器件，在进行体硅加工工艺中可以增大敏感质量，还可以极大的简化工艺步骤。因此，基于硅片刻穿的体硅刻蚀工艺对高精度惯性器件具有重大意义。然而，受到目前刻蚀工艺加工的限制，硅片刻穿难度较大，且对刻蚀设备伤害较大。

2、专利公开号为cn103896206a中公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺，其采用在硅片上镀金属膜再使用真空油将金属膜粘贴在托片上，最后使用感应耦合等离子体干法深硅刻蚀，采用分阶段刻蚀的方法进行刻蚀。由于该方法使用的是在托片上镀金属膜层，一旦硅片被刻穿，金属膜就会直接暴露在刻蚀环境中，等离子体的轰击也会导致金属膜受损，可能会导致因为金属反溅使器件刻蚀过程中出现问题。

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【技术保护点】

1.一种在背片上增加通气通道的体硅加工方法，其特征在于包括如下步骤：

【技术特征摘要】

1.一种在背片上增加通气通道的体硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵井宇，喻磊，常赟，郭立建，曹卫达，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：