【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子机械系统(micro-electro-mechanical systems, mems)传感器,特别涉及一种mems微热板及其制备方法。
技术介绍
1、科学技术的迅猛发展在给人们带来诸多便捷的同时,也伴随着资源和环境等问题。尤其是一些污染气体处理和排放不规范,严重影响了空气质量,时时刻刻影响我们的身体健康。在一些室内操作环境中,空间狭小气体不容易发散,更需要关注空气中有害物的浓度。气体传感器能够对空气环境进行有效检测和预防,广泛应用于环境监测、防灾报警、化学工业等领域,已经成为日常生产生活中不可缺少的部分。
2、传统的气体传感器体积大、功耗高,电路集成度低。mems气体传感器具有结构微纳化、功耗低、集成度高和重复性好等优点,成为便携式和分布式监控应用中的研究热点。以硅晶圆为基础的金属氧化物半导体式气体传感器灵敏度高、响应和稳定性好,是目前被广泛使用的气体传感器种类。微热板是mems气体传感器的核心结构,用于加热涂敷于传感器上的气敏材料(金属氧化物半导体),使其达到工作温度 ,提高其气敏响应。
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【技术保护点】
1.一种MEMS微热板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的MEMS微热板,其特征在于:所述硅基底采用电阻率为 0.01~0.02Ω.cm,厚度为380~420μm,晶向<100>的P型硅。
3.根据权利要求1所述的MEMS微热板,其特征在于:所述多孔硅的孔隙率为65%~70%。
4.根据权利要求1所述的MEMS微热板,其特征在于:所述绝缘层的厚度为11000Å,所述第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层的厚度比为3:5:3。
5.根据权利要求1所述的MEMS微热板,其特征在于:所述加热电极采用蜿蜒型结
...【技术特征摘要】
1.一种mems微热板,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的mems微热板,其特征在于:所述硅基底采用电阻率为 0.01~0.02ω.cm,厚度为380~420μm,晶向<100>的p型硅。
3.根据权利要求1所述的mems微热板,其特征在于:所述多孔硅的孔隙率为65%~70%。
4.根据权利要求1所述的mems微热板,其特征在于:所述绝缘层的厚度为11000å,所述第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层的厚度比为3:5:3。
5.根据权利要求1所述的mems微热板,其特征在于:所述加热电极采用蜿蜒型结构包围所述测试电极,所述测试电极采用对称梳状叉指电极结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:时浩,李浩,马文力,董文俊,李霖,袁海霞,
申请(专利权)人:扬州国宇电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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