一种阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息技术存储领域。所述阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层，所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极，所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的ＴｉＯ２薄膜组成，所述导电衬底为１％－７％Ｎｂ掺杂的ＳｒＴｉＯ３单晶。本发明专利技术阻变存储器具有较为稳定的具有实用价值的中间阻态，实现了多级存储，从而提高了阻变存储器的存储能力；并且本发明专利技术克服了现有阻变材料层阻变参数随机性大的问题，提高了阻变材料层的的阻变性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非易失性存储器及其制备方法，尤其涉及一种阻变存储器及其制 备方法，属于信息存储

技术介绍
二十一世纪是信息化的时代，信息的快速增长促使MP3、MP4、便携式电脑等电子器 件持续微型化发展，对存储技术提出了更高的要求。目前，出于对信息安全和降低功耗的考 虑，非易失性存储器的研究和开发已成为半导体行业中最为关注的课题之一。目前市场上 的非易失性存储器仍以闪存(Flash)为主流，随着器件尺寸的不断缩小，Flash存储器件存 在写入速度慢，功耗大，持续性不够好等缺点，使得存储器件进一步小型化遇到了难以克服 的瓶颈。因此，急需开发一种全新的信息存储技术来解决上述问题。目前已研制出的非易失性存储器包括铁电存储器(FeRAM)、磁存储器(MRAM)、相 变存储器(PRAM)及阻变存储器(RRAM)。在这些存储器中，阻变存储器因具有简单的器件结 构、较高的存储密度、较快的响应速度、较低的功耗、与传统CMOS工艺相兼容等优势而倍受 关注。RRAM器件作为一种新型的非易失性存储器，其是利用阻变材料层在不同的外加电 压的作用下的电阻值在高阻态(HRS)和低阻态(LRS)之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层，所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极，其特征在于，所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的ＴｉＯ↓［２］薄膜组成，所述导电衬底为１％－７％Ｎｂ掺杂的ＳｒＴｉＯ↓［３］单晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢敬权，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]