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本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息技术存储领域。所述阻变存储器，包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的阻变材料层，所述上电极和下电极为金属电极或金属化合物电极，所述阻变材料层由经过抛光处理的导电衬底及其上的ＴｉＯ２薄...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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