用于沉积Ⅲ／Ⅴ族化合物的方法技术

本发明专利技术的实施方式主要涉及用于通过氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）工艺形成ＩＩＩ－Ｖ族材料的方法。在一个实施方式中，提供了一种用于在处理室中基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成加热的金属源；其中加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将加热的金属源暴露到氯气同时形成金属氯化物气体，在ＨＶＰＥ工艺期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前体气体同时在基板上形成金属氮化物层。该方法还提供了在形成金属氮化物层之前的预处理工艺期间将基板暴露到氯气。在一个实例中，在预处理工艺期间将处理室的排气管道加热到约２００℃以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施方式一般涉及到器件诸如发光二极管(LED)的制造，且更特别地， 涉及到通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)工艺和氢化物气相外延(HVPE)沉积工艺形成 III/V族材料的工艺。
技术介绍
现已发现III族氮化物半导体在开发和制造各种半导体器件诸如短波长发光二极 管(LED)、激光二极管(LD)和包括高功率、高频率、高温度晶体管的电子器件以及集成电路 中非常重要。已经用于沉积III族氮化物的一种方法 是氢化物气相外延(HVPE)沉积。在HVPE 中，卤素化合物与III族金属或元素反应以形成相应的金属/元素卤化物前体(例如金属氯 化物)。此时商化物前体与氮化物前体气体反应以形成III族氮化物。随着对LED、LD、晶体管和集成电路的需求的增加，沉积III族氮化物和其他III/ V 族材料的效率变得更加重要。对能够在大基板或多个基板上方均勻沉积薄膜的具有高沉积 速度的沉积装置和工艺存在一般需求。此外，在基板上方一致的膜质量需要均勻的前体混 合。因此，在本领域中对于改进的HVPE沉积方法存在需求。
技术实现思路
本专利技术的实施方式主要涉及通过金属有机化学汽相沉积(MOCVD)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成Ⅲ族金属氮化物膜的方法，包括：加热一个或多个蓝宝石基板至预处理温度；以及当所述一个或多个蓝宝石基板中的每一个基板的表面在所述预处理温度时，将所述表面暴露到预处理气体混合物以形成预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨（ＮＨ↓［３］）和卤素气体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：奥尔加克里莱克，桑迪普尼杰霍安，尤里梅尔尼克，洛里D华盛顿，雅各布W格雷森，圣W权，苏杰，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]