【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于，更具体地，涉及适合于在背面照射式固 态图像传感器件的制造中使用的。
技术介绍
近年来，固态图像传感器(诸如CXD (电荷耦合器件)图像传感器、CMOS (互补金 属氧化物半导体)图像传感器等)已经安装并用于各种电子设备。例如CMOS图像传感器的固态图像传感器件由光电二极管和用于将光汇聚到光电 二极管上的板载透镜构成，在光电二极管中独立的像素形成在硅衬底上。当入射光穿过板 载透镜到达光电二极管时，发生光电转换以输出电压值，由此使得将光作为电信号而取出。通过一般构造的CMOS图像传感器，在板载透镜与光电二极管之间以多层的方式 形成用于电压的输入和输出的晶体管、布线层等。这可能导致以下担心入射光撞击到在光 路途中的布线层上并且被弹开或者由于在与布线层的夹层膜的界面处发生的折射而转向， 使得聚焦到板载透镜上的光不能有效地到达光电二极管。由于这个原因，已经提议采用所谓背面照射式的像素结构，在该像素结构中，与上 述一般构造的像素结构不同，入射光从硅衬底的背面照射，以允许其有效地到达光电二极 管(见日本专利公报No. 2007-258684)。图6是示出了...
【技术保护点】
一种制作半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成用于执行光电转换的光接收部分；形成绝缘膜，以覆盖所述半导体衬底的光接收侧；形成金属光屏蔽膜，以其一部分覆盖所述绝缘膜的对应于所述光接收部分的部分；以及通过利用微波照射所述金属光屏蔽膜来对所述金属光屏蔽膜进行加热，以允许对所述绝缘膜中的具有所述金属光屏蔽膜层压的部分进行选择性地退火处理。
【技术特征摘要】
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