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本发明公开了一种制作半导体器件的方法，其包括以下步骤：在半导体衬底中形成用于执行光电转换的光接收部分；形成绝缘膜，以覆盖半导体衬底的光接收侧；形成金属光屏蔽膜，以部分地覆盖绝缘膜的对应于光接收部分的部分；以及通过利用微波照射金属光屏蔽膜来对...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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