连续浇铸单晶硅带的设备制造技术

一种用于形成单晶硅带的设备。该设备包括硅熔融物在其中形成的坩埚。熔融物被允许大致垂直地流出坩埚并在固化之前与硅种晶接触。在固化为带之后，带的进一步冷却在受控条件下发生，而带最终被切割。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本申请通常涉及半导体/光电工艺中使用的装置和系统。
技术介绍
连续浇铸已长期被用于在冶金工业中制造铝和其他非铁金属的坯体。但是，近 来，该技术已被修改以便制造太阳能电池应用所需的硅(Si)带。更具体地，一些新兴硅 带技术，例如树状网(WEB)、定界覆膜生长(Ere)、条带(SR)、硅膜(SF)和在衬底上生长带 (RGS)，已经商业化或正在开发。与诸如卓克拉尔斯基(CZ)或定向结晶系统(DSS)生长的传统晶体硅技术相比，硅 带技术淘汰了可消耗超过50%硅生长的传统的晶片切割工艺。此外，硅带技术得益于降低 了的能耗且相对于传统的晶体硅技术而可相当地划算。尽管如上所述，几乎所有当前可用的硅带技术制造的硅带的微结构是等轴的或是 包括柱形硅晶粒。换言之，几乎所有当前可用的硅带技术制造的是多晶硅。同样地，大量晶 粒边界，与杂质的高浓度以及沿这些边界的缺陷一起限制了由此制得的太阳能电池的最高 效率。仅有的制造单晶硅的当前可用的硅带技术为上述的WEB技术。但是，当实施这技 术时，去除伴随硅生长的树状结晶可能成为问题。此外，使用WEB技术生长的硅包含通常形 成在网络中部的双晶面。
技术实现思路
至少由以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，用于形成硅带，该设备包括：一坩锅，被设置为容纳硅熔融物；一管道，与坩锅相邻并被设置为允许熔融物流经其中；一管道加热系统，与管道相邻并被设置为控制流经管道的熔融物的温度；以及一固定器，被设置为支撑硅种晶与熔融物接触并进一步被设定为沿大致水平方向移动硅种晶。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，潘庆乐，克诺佩尔德鲁，
申请(专利权)人：斯必克公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]