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真空过滤器装置制造方法及图纸

技术编号:3987650 阅读:188 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除一氧化硅的过滤器装置,该过滤器装置具有过滤器壳体,连接至该过滤器壳体的过滤器固定台,连接至该过滤器壳体的清扫板,连接至所述过滤器固定台的多个过滤元件,和装配至该清扫板的多个环形刷,其中所述多个环形刷中的至少一个围绕所述多个过滤元件中的每一个。或者,一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除一氧化硅的过滤器装置,包括具有上部、下部和中心部的过滤器壳体,接近所述上部、连接至所述过滤器壳体的过滤器安装台,连接至所述过滤器安装台的多个过滤元件,和安装于所述过滤器壳体的中心的圆柱形刷,其中该圆柱形刷具有多个向外散射的刷毛,所述刷毛与所述多个过滤元件的外部相接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空过滤器装置,特别是涉及用机械方式清扫过滤元件、以从该元件 的表面清除一氧化硅的晶体生长真空过滤器。
技术介绍
单晶体为一种没有晶界的结晶固体,其中全部样品的晶格都为连续的并且至样品 的边缘都保持完整。采用直拉单晶制造法(CZ),可利用晶体生长炉来生长单晶体。类似地, 可在多晶体凝固炉中形成多晶体。这些晶体通常为硅。硅在位于炉子中心的不锈钢容器中 被熔化,由此生长出晶体。结晶生长过程是在真空环境下发生的。典型地,为了彻底吹洗任 何的杂质,向容器的顶部引入氩。真空管路连接至容器的底部,将吹扫用的气体从容器中吸 出并保持期望的真空水平。在结晶化过程期间,一般采用石英坩锅将硅保存在炉子的内部。该过程的不期望 的副产品为当一部分氧在高温下于石英坩锅外部被分解而形成的一氧化硅(SiO)。这种 SiO具有细粉的坚固性(consistency)。SiO还是一种不稳定的物质,当暴露于空气时会同 氧发生反应,生成二氧化硅(SiO2)。在这种反应过程中,会产生热量。在该应用中利用的真空泵可为几个类型中的一种,包括活塞式、液环式或者干泵。 当今许多泵还利用吹风机来增加抽吸速度。在该过程中,当SiO传送到真空管路并达到真 空泵时,会对运动部件之间具有窄缝隙的干泵或者吹风机造成损害。在活塞式或者液环泵 中,SiO会在油中被困住,并迫使油频繁地变动。因此,为了消除SiO,对于晶体生长炉来说, 过滤器几乎成为一必要部件。当前在市场上能够获得几种不哦能够的过滤器装置。一种为简单的不锈钢壳体中 的褶纸元件。这是一种低成本的解决方案,但是存在以下缺陷。首先,清扫或者更换褶纸元 件是一种脏活,因为壳体必须被打开。第二,如果空气很快地被引进,SiO反应变化为Si02 会在纸元件中烧出洞。褶纸元件的这种破裂会导致对真空泵的损害。另一传统的过滤器装置为利用壳体内部的起褶元件的脉冲反洗(backpulsing) 过滤器单元。通常有四个起褶元件。将氩脉冲引入过滤元件内部,以使得该元件弯曲并使 SiO粉末从该元件的外部脱落,而不是打开壳体来清扫这些元件。这种解决方案具有以下缺 陷(i)这种起褶过滤元件直径为8-10英寸,因此,组合有4个元件的过滤器将需要直径接 近2. 5-3英尺的很大的壳体;(ii)盛装为清扫元件而产生压力脉冲所必要的氩的容量,需 要单独分离的桶;(iii)在过滤器壳体的每一侧都需要真空阀,以使在清扫过程中它能够 被隔离;(iv)未来证实在引入氩脉冲之前真空阀处于关闭状态,需要联动装置。另一种传统的过滤器装置包括脉冲反洗(back pulsing)单元和大量非起褶 (non-pleated)的不锈钢过滤元件。没有如上述的传统的过滤器那样利用氩,而将一阵阵的 室内空气进入过滤器壳体内部,清除该过滤元件的外侧的SiO粉末。首先,该过滤器壳体在 真空条件下被取出并且位于该壳体的每一侧的阀被关闭以与壳体隔离。然后,该过滤器壳 体的顶部的阀被快速地打开以允许空气冲入该壳体。气流流过该元件,消除该元件的外表面的微粒。这种装置具有如下缺陷(i)该装置只能在完成一次运行后才能清扫,因为过滤 器壳体在清扫过程中必须被隔离;(ii)利用室内空气会潜在地导致发生快速的、不期望的 空气中的氧气与SiO微粒之间反应;(iii)脉冲反洗技术常常不能够完全充分地清除掉元 件的SiO层。理想的是开发一种具有较少的元件和较小的过滤器壳体的自清扫的真空过滤器 装置,不需要在用户设备中占用如此大的空间。
技术实现思路
在这一方面,在详细解释至少一个本专利技术的实施例之强,应当理解的是,本专利技术并 不局限于将其应用于在下述说明或者示例性的附图中提出的详细结构或者元件布局。除了 那些被说明的之外,本专利技术具有能够以各种不同的方式实现或者执行的实施例。同样地,应 当理解,本文所采用的措辞和术语,以及抽象概念都是为了说明的目的,而不应当被视为一 种限制。根据本专利技术的过滤器装置克服了在上述的传统的过滤器装置中碰见的问题。本 专利技术的示例性实施方式包括一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除一氧化硅的过 滤器装置,该过滤器装置包括具有上部和下部的过滤器壳体;接近所述上部、连接至所 述过滤器壳体的过滤器固定台;接近所述下部、连接至所述过滤器壳体的清扫板(swe印 plate);连接至所述过滤器固定台的多个过滤元件;和装配至所述清扫板的多个环形刷, 其中所述多个环形刷中的至少一个围绕所述多个过滤元件中的每一个。该过滤器壳体的直 径大约为1-2英尺。在本专利技术的示例性实施方式中,该过滤器装置还可包括在过滤器壳体的上部装配 的过滤器顶盖。在示例性的实施方式中,所述多个过滤元件包括12个过滤元件,所述多个 环形刷包括12个环形刷。所述多个过滤元件的每一个的直径大约为2-5英寸并由不锈钢 制成。例如,每个过滤元件可具有大约2. 375英寸的直径。在示例性的实施方式中,每个过滤元件借助环形过滤器锁可移除地连接至所述过 滤器固定台。所述多个环形刷的每一个可包括由尼龙、不锈钢、黄铜或者某种其它适当的材 料制成的刷毛。示例性的实施方式的过滤器装置可包括被配置来在所述过滤器壳体的顶部 和底部之间移动所述清扫板的执行器。该执行器可为气动执行器,并且该过滤器装置还可 包括向该执行器提供空气的入口和出口。本专利技术的其它实施方式包括一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除一氧 化硅的过滤器装置,该过滤器装置包括具有上部、下部和中心部的过滤器壳体;接近所述上 部、连接至所述过滤器壳体的过滤器安装台;连接至所述过滤器安装台的多个过滤元件; 和安装于所述过滤器壳体的中心的圆柱形刷,其中该圆柱形刷具有多个向外散射的刷毛, 所述刷毛与所述多个过滤元件的外部相接触。在示例性的实施方式中,驱动带被配置来旋 转所述多个过滤元件。该驱动带可由电机或者气动执行器所驱动。本专利技术的示例性实施方式包括一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除一 氧化硅的过滤器装置,该过滤器装置包括用来容纳所述过滤器装置的壳体装置;用来在 所述壳体装置内固定(mounting)多个过滤元件的固定装置;用机械的方式刮擦所述多个 过滤元件的外表面的刷装置;和用来沿着所述多个过滤元件的外表面清扫所述刷装置的清扫装置。作为选择,示例性的实施方式包括一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除 一氧化硅的过滤器装置,该过滤器装置包括用来容纳所述过滤器装置的壳体装置;用来 在所述壳体装置内固定多个过滤元件的固定装置;用机械的方式刮擦所述多个过滤元件的 外表面的刷装置;和用来旋转所述多个过滤元件以使所述外表面与所述刷装置接触的清扫直ο本专利技术的示例性的实施方式包括一种用机械的方式在晶体生长过程中清除来自 过滤器装置的一氧化硅的方法,该方法包括在壳体内装配多个过滤元件;用机械方式刮 擦所述多个过滤元件的外表面;和沿所述多个过滤元件的外表面挥动多个环形刷。该方法 还包括将多个环形刷连接至清扫板。在该实施方式中,沿所述多个过滤元件的外表面挥动 多个环形刷的步骤包括运行用来移动所述清扫板的执行器,以使所述多个环形刷沿所述多 个过滤元件的外表面的长度方向刮擦。本专利技术的示例性的实施方式包括一种用机械的方式在晶体生长过程中清除来自 过滤器装置的一氧化硅的方法,该方法包括在壳体内装本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种用来用机械的方式在晶体生长过程中清除一氧化硅的过滤器装置,包括:具有上部和下部的过滤器壳体;接近所述上部、连接至所述过滤器壳体的过滤器固定台;接近所述下部、连接至所述过滤器壳体的清扫板;连接至所述过滤器固定台的多个过滤元件;和装配至所述清扫板的多个环形刷,其中所述多个环形刷中的至少一个围绕所述多个过滤元件中的每一个。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:韦布理查德
申请(专利权)人:斯必克公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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