【技术实现步骤摘要】
本申请属于多晶硅薄膜生长，尤其是涉及一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺。
技术介绍
1、随着制造技术的不断发展，多晶硅薄膜在微机电系统、半导体桥、大规模集成电路等产品上都有较为广泛的应用；在半导体集成电路中多晶硅薄膜通常被应用于cmos栅极，该步骤是整个器件中非常重要的一环，随着设备工艺的不断更新，器件的线宽越来越小，多晶硅栅极电阻会因其变小而变大，影响器件的性能，其中多晶硅栅极电阻的均匀性更是人们关注的话题，目前制备多晶硅薄膜的方法有很多种，如低压化学气相淀积、固相晶化、准分子激光晶化、真空蒸镀等，因化学气相沉积工艺(lpcvd)生产的多晶硅薄膜具有良好台阶覆盖能力、高度均匀性和较低的成本制备等优点，故被广泛应用半导体行业中。
2、采用lpcvd制备掺p多晶硅，需要在一定温度条件下在其基体表面沉积生长一层多晶硅薄膜，而反应炉内的生长沉积所用的气体有两种，一种为sih4气体，一种是ph3和n2的混合气体。lpcvd制备掺杂p多晶硅的方程式如下：sih4→si+2h2，ph3→p+3/2h2，该技术制备掺p多晶硅时，由于ph3容易...
【技术保护点】
1.一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，步骤包括：沉积时，控制第一组气体和第二组气体在反应炉之外先进行混合，混合后的气体再通入至反应炉内，直至生长结束。
2.根据权利要求1所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，所述控制第一组气体和第二组气体在反应炉之外先进行混合，包括：
3.根据权利要求1或2所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，所述第一组气体为混合型组分，包括磷化氢与氮气；所述第二组气体为单性气体，为硅烷。
4.根据权利要求3所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，所述第一组气体中磷化氢的...
【技术特征摘要】
1.一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，步骤包括：沉积时，控制第一组气体和第二组气体在反应炉之外先进行混合，混合后的气体再通入至反应炉内，直至生长结束。
2.根据权利要求1所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，所述控制第一组气体和第二组气体在反应炉之外先进行混合，包括：
3.根据权利要求1或2所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，所述第一组气体为混合型组分，包括磷化氢与氮气；所述第二组气体为单性气体，为硅烷。
4.根据权利要求3所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，所述第一组气体中磷化氢的纯度为5％；所述第二组气体中硅烷的纯度为99.99％。
5.根据权利要求4所述的一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，其特征在于，第一组气体通入至反应炉中的流量为0.02-0.03l/min；第二组气体通入至反应炉中的流量为0.8-1.5l/min。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓丽，张馨予，杜宏强，刘丽媛，杜晓辉，黄鑫，王鑫，邢锡祥，于波，王维，印小松，戴明磊，郑志远，高雪峰，
申请(专利权)人：TCL环鑫半导体天津有限公司，
类型：发明
国别省市：
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