用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置。本化料装置包括化料器。化料器是耐高温同质一体件，包括分右左设置的化料器主体和导料槽。化料器主体用于盛放固体硅料和作为耐高温容器而向固体硅料传导热量而使其熔化，导料槽则使得熔融硅能沿着其凹槽方便地从其出料口流出化料器。导料槽槽底的高度低于化料器主体上沿口的高度，从而能有效防止熔融硅从该上沿口向上溢出。本化料装置的耐高温性能较好，从而使用寿命较长，并且在化料器主体中的熔融硅快满时，它们能沿着导料槽自动流出其出料口。本化料装置还能够随着炉体的倾斜一同倾斜，从而可以加快熔融硅的流出速度、甚至能够将熔融硅从导料槽的出料口处全部倾倒出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种设置在单晶炉的外部而对固体硅料进行熔化的设备的零部件，具体涉及一种外置式熔融硅加料设备的化料装置单晶硅棒。本专利技术中，熔融硅是指熔融状态的硅，也称熔融态硅、熔体硅或液体硅。

技术介绍

1、单晶硅是单质硅的一种形态。当熔融的单质硅在凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。

2、单晶硅制备，需要实现从多晶到单晶的转变，即原子由液相的随机排列直接转变为有序阵列，由不对称结构转变为对称结构。这种转变是通过固液界面的移动逐渐完成的。为实现上述转化过程，多晶硅就要经过固态硅到熔融态硅，再到固态单晶体硅的转变，这就是从熔融硅中生长单晶硅所经历的途径。

3、单晶硅制备方法基本上分为两种，即坩埚直拉法和无坩埚悬浮区熔法。坩埚直拉法成本较低，其完整性很高，而生长率和晶体尺寸也较好，且单晶硅的直径可达12吋。无坩埚悬浮区熔法的成本较高，实际上是进行了两次拉晶。并且单晶硅的尺寸最高只有8吋。目前，坩埚直拉法所拉制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，化料装置设有进料部位，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，其特征在于：化料器主体（31-1）的输料口为沿上下向设置且开口向上的竖条状缺口（31-2），竖条状缺口（31-2）的下底接近或者就是底侧板的上表面；

3.根据权利要求2所述的用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，其特征在于：化料器主体（31-1）的各个相邻侧面之间呈弧形连接，槽底板（31-6）的右下端部位从竖条状缺口（31-2）处继续向右方延伸，并且与化料器主体（31-1）的底侧板平滑过渡连接，从而使得导料槽（31-...

【技术特征摘要】

1.一种用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，化料装置设有进料部位，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，其特征在于：化料器主体（31-1）的输料口为沿上下向设置且开口向上的竖条状缺口（31-2），竖条状缺口（31-2）的下底接近或者就是底侧板的上表面；

3.根据权利要求2所述的用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，其特征在于：化料器主体（31-1）的各个相邻侧面之间呈弧形连接，槽底板（31-6）的右下端部位从竖条状缺口（31-2）处继续向右方延伸，并且与化料器主体（31-1）的底侧板平滑过渡连接，从而使得导料槽（31-3）的槽形主通道的底部与化料器主体（31-1）的内腔下部平滑接通。

4.根据权利要求3所述的用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，其特征在于：导料槽（31-3）还包括过渡板段（31-7）；槽形输料通道还包括槽形从通道；导料槽（31-3）的过渡板段（31-7）按照左低右高的方式设置，且以其处于最高位置的右侧部位与位于右侧的槽底板（31-6）的左侧部位相连；这种连接是一种以折弯连接的方式使得槽底板（31-6）在其左侧的最高部位与过渡板段（31-7）相连；槽形从通道由过渡板段（31-7）和与其分前后垂直设置的槽前板（31-4）和槽后板（31-5）共同构成；槽形从通道则与槽形主通道的左端口共同构成导料槽（31-3）的出料口（31-8）。

5.根据权利要求4所述的用于外置式熔融硅连续加料设备的化料装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁玉平，金胜，袁佳斌，朱桂新，
申请(专利权)人：常州轶梵科技有限公司，
类型：发明
国别省市：