一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法，所述装置包括：壳体；若干个炉体，间隔设置在所述壳体内；升降旋转机构，设置在所述若干个炉体下部；若干个坩埚，分别设置在所述若干个炉体内并设置在所述升降旋转机构上；加热机构，包括圆盘状感应线圈，所述圆盘状感应线圈具有等螺距的平面螺旋线结构，水平设置在所述若干个炉体上部。本发明专利技术的装置中可容纳若干个坩埚，多个坩埚可以满足同时生长多根晶体的需求，解决了单一坩埚下降法生产效率低的问题。同时，本发明专利技术在炉体上部水平设置一个圆盘状感应线圈对坩埚加热，平面磁场更加均匀，同时结构简单，成本较低，易于装置的规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长，尤其涉及一种多坩埚下降法生长晶体的装置及晶体的生长方法。

技术介绍

1、目前，生长大尺寸晶体(如氧化镓晶体等)的方法主要有提拉法、导模法和下降法。提拉法倾向于生长成圆柱形的晶锭，德国莱布尼茨晶体生长研究所的团队开创了使用提拉法生长大尺寸氧化镓晶体的先河，早在2016年就已经生长出2英寸的β-ga2o3单晶。导模法利用毛细效应将材料拉成所需的形状，日本公司novel crystal technologies(nct)采用导模法已经实现了2英寸与4英寸β-ga2o3晶体的商业化。坩埚下降法又称垂直布里奇曼法，通过垂直放置的坩埚让熔体自下而上或自上而下凝固，具体地，将晶体生长用的材料装在圆柱型的坩埚中，缓慢地下降，并通过一个具有一定温度梯度的加热炉，炉温控制在略高于材料的熔点附近。根据材料的性质加热器件可以选用电阻炉或高频炉。在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当坩埚持续下降时，坩埚底部的温度先下降到熔点以下，并开始结晶，晶体随坩埚下降而持续长大。目前虽然已经公开报道出2英寸的β-ga2o3晶体，但其是采用传统的单晶生长炉制备得到的，传本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，所述若干个坩埚排列在不同半径的同心圆上，排列在同一圆上的坩埚的顶端与所述圆盘状感应线圈之间的垂直距离相同；从同心圆圆心向外发射的方向，排列在不同半径同心圆上的坩埚的顶端与所述圆盘状感应线圈之间的垂直距离逐渐减小。

4.根据权利要求3所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，所述若干个坩埚排列在不同半径的n个同心圆上，其中，n大于等于2；

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，所述若干个坩埚排列在不同半径的同心圆上，排列在同一圆上的坩埚的顶端与所述圆盘状感应线圈之间的垂直距离相同；从同心圆圆心向外发射的方向，排列在不同半径同心圆上的坩埚的顶端与所述圆盘状感应线圈之间的垂直距离逐渐减小。

4.根据权利要求3所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，所述若干个坩埚排列在不同半径的n个同心圆上，其中，n大于等于2；

5.根据权利要求3或4所述的多坩埚下降法生长晶体的装置，其特征在于，每个炉体与设置在所述每个炉体内的坩埚同轴，...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐红基，秦娟，杨珍妮，陈端阳，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：