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本申请提供一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，步骤包括：沉积时，控制第一组气体和第二组气体在反应炉之外先进行混合，混合后的气体再通入至反应炉内，直至生长结束。本申请一种掺杂多晶硅薄膜生长加工工艺，在进入反应炉之前预先将两种特定的气体混合好，然后...
该专利属于TCL环鑫半导体（天津）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL环鑫半导体（天津）有限公司授权不得商用。

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