封装结构及其制作方法技术

本申请提供了一种封装结构及其制作方法，该结构包括载体以及芯片结构，其中，芯片结构包括芯片、第一导电层以及第二导电层，第一导电层具有凹槽，芯片位于凹槽内，芯片的多个表面中的一个表面与凹槽的内壁接触，多个表面中的另一个表面与第二导电层接触，第一导电层以及第二导电层分别与载体电连接，第一导电层和第二导电层不接触。本申请中的芯片无需锡膏或者焊料，通过第一导电层以及第二导电层即可实现与载体的电连接，保证了封装结构的可靠性以及质量较好。另外，本申请的芯片直接与第一导电层以及第二导电层接触，避免了现有的通过导电胶等与导电层接触造成的焊点疲劳失效问题，进一步地保证了封装结构能具有较好的可靠性以及质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及封装制造，具体而言，涉及一种封装结构及其制作方法。

技术介绍

1、对于两面有金属触点的功率器件如vdmos(vertical double metal oxidesemiconductor，声效应功率场效应晶体管)，二极管，igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极性晶体管)等，封装需要同时考虑散热，降低功耗量大问题。在传统封装工艺中使用铜片，焊料，引线以及树脂等实现连接，金属的使用给材料带来了寄生电阻和电感，增加的功率器件工作时候的功耗。同时，环氧树脂散热通道较小。

2、为了缓解上述问题，提出了如图1所示的directer封装结构，以mos(metal oxidesemiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)为例，芯片100的漏端通过导电胶101与铜片102互连，在铜片的两端有引脚103，芯片的源和栅极通过凸点104与载体105实现互联。该封装形式可以极大改善寄生问题和热特性，但是芯片采用锡膏或者焊料与载板进行互连，可靠性较差，且芯片采用导电胶与铜片互连，对于恶劣的运用场景存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述电连接结构包括导电胶以及焊料中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层有多个，多个所述第二导电层间隔地设置在多个所述表面中的另一个所述表面上。

6.一种权利要求1至5中任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述电连接结构包括导电胶以及焊料中的至少一种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层有多个，多个所述第二导电层间隔地设置在多个所述表面中的另一个所述表面上。

6.一种权利要求1至5中任一项所述的封装结构的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈莉，潘效飞，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：