【技术实现步骤摘要】
本申请涉及封装制造，具体而言，涉及一种封装结构及其制作方法。
技术介绍
1、对于两面有金属触点的功率器件如vdmos(vertical double metal oxidesemiconductor，声效应功率场效应晶体管)，二极管，igbt(insulated gate bipolartransistor，绝缘栅双极性晶体管)等，封装需要同时考虑散热，降低功耗量大问题。在传统封装工艺中使用铜片，焊料，引线以及树脂等实现连接，金属的使用给材料带来了寄生电阻和电感，增加的功率器件工作时候的功耗。同时，环氧树脂散热通道较小。
2、为了缓解上述问题，提出了如图1所示的directer封装结构，以mos(metal oxidesemiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)为例，芯片100的漏端通过导电胶101与铜片102互连，在铜片的两端有引脚103，芯片的源和栅极通过凸点104与载体105实现互联。该封装形式可以极大改善寄生问题和热特性，但是芯片采用锡膏或者焊料与载板进行互连，可靠性较差，且芯片采用导电胶与铜片互连，对于恶劣的运用场景存在器件内部焊点疲劳失效风险。
3、在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
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的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种封装结构及其制作方法，以解决现有技术中的封装形式导致封装器件的可靠性较
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种封装结构，包括载体以及芯片结构，其中，所述芯片结构包括芯片、第一导电层以及第二导电层，所述第一导电层具有凹槽，所述芯片位于所述凹槽内，所述芯片的多个表面中的一个表面与所述凹槽的内壁接触，多个所述表面中的另一个所述表面与所述第二导电层接触，所述第一导电层以及所述第二导电层分别与所述载体电连接，所述第一导电层和所述第二导电层不接触。
3、可选地，所述芯片结构还包括绝缘导热结构，所述绝缘导热结构位于所述凹槽内且覆盖预定表面的至少部分，所述预定表面为所述芯片的除了与所述凹槽的内壁接触的所述表面以及与所述第二导电层接触的所述表面之外的其他所述表面。
4、可选地，所述封装结构还包括电连接结构，所述第一导电层以及所述第二导电层分别通过所述电连接结构与所述载体电连接。
5、可选地，所述电连接结构包括导电胶以及焊料中的至少一种。
6、可选地，所述封装结构为矩体的表面贴装结构。
7、可选地，所述第二导电层有多个，多个所述第二导电层间隔地设置在多个所述表面中的另一个所述表面上。
8、可选地，所述第一导电层以及所述第二导电层的材料分别为金属材料。
9、根据本申请的另一方面，提供了一种任一种所述的封装结构的制作方法，包括：提供芯片以及载体；形成具有凹槽的第一导电层，所述芯片位于所述凹槽内，且所述芯片的多个表面中的一个表面与所述凹槽的内壁接触；在多个所述表面中的另一个所述表面上形成第二导电层，得到芯片结构；将所述芯片结构的所述第一导电层以及所述第二导电层分别电连接在所述载体上，得到封装结构。
10、可选地，在多个所述表面中的另一个所述表面上形成第二导电层，得到芯片结构，包括：在多个所述表面中的另一个所述表面上形成所述第二导电层；在形成有所述第二导电层的所述芯片的裸露表面上填充绝缘导热材料，以填满所述凹槽，形成绝缘导热结构，得到所述芯片结构。
11、可选地，形成具有凹槽的第一导电层，包括：采用电镀技术或者化学镀技术形成预备导电层；去除部分所述预备导电层，形成所述凹槽，剩余的所述预备导电层形成所述第一导电层，在多个所述表面中的另一个所述表面上形成第二导电层，得到芯片结构，包括：采用电镀技术或者化学镀技术在多个所述表面中的另一个所述表面上形成所述第二导电层。
12、可选地，将所述芯片结构的所述第一导电层以及所述第二导电层分别电连接在所述载体上，包括：采用导电胶和/或焊料将所述凹槽两侧的所述第一导电层的表面与所述载体电连接，以及采用所述导电胶和/或所述焊料将所述第二导电层的远离所述芯片的表面与所述载体电连接。
13、可选地，所述芯片结构有多个，将所述芯片结构的所述第一导电层以及所述第二导电层分别电连接在所述载体上，得到封装结构，包括：提供预备载体；将多个所述芯片结构分别电连接在所述预备载体上；对电连接有多个所述芯片结构的所述预备载体进行切割，得到多个所述封装结构，切割后的所述预备载体形成多个所述载体。
14、应用本申请的技术方案，所述的封装结构中，芯片的一个表面与第一导电层接触，另一个表面与第二导电层接触，第一导电层具有凹槽，芯片位于该凹槽中，第一导电层以及第二导电层再分别与载体电连接，并且第一导电层和第二导电层不接触。相比现有技术中采用锡膏或者焊料来进行芯片与载板之间的互联，造成整个封装结构的可靠性较差的问题，本申请中的芯片无需锡膏或者焊料，通过第一导电层以及第二导电层即可实现与载体的电连接，保证了封装结构的可靠性以及质量较好。另外，本申请的芯片直接与第一导电层以及第二导电层接触，避免了现有的通过导电胶等与导电层接触造成的焊点疲劳失效问题，进一步地保证了封装结构能具有较好的可靠性以及质量。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述电连接结构包括导电胶以及焊料中的至少一种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层有多个，多个所述第二导电层间隔地设置在多个所述表面中的另一个所述表面上。
6.一种权利要求1至5中任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在多个所述表面中的另一个所述表面上形成第二导电层，得到芯片结构，包括：
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述芯片结构的所述第一导电层以及所述第二导电层分别电连接在所述载体上，包括：
10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述芯片结构有多个，将所述芯片结构的所述第一导电层以及所述第
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片结构还包括：
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括：
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述电连接结构包括导电胶以及焊料中的至少一种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电层有多个，多个所述第二导电层间隔地设置在多个所述表面中的另一个所述表面上。
6.一种权利要求1至5中任一项所述的封装结构的制作...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈莉，潘效飞，
申请(专利权)人：无锡华润安盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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