【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅质密封外管，尤其涉及一种用于承载硅片的硅质密封外管加工方法。
技术介绍
1、硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，硅片热处理的时候就需要一种装载半导体硅片的载体，将半导体硅片放在载体上，再放入热处理炉进行处理，这种载体在业内被称作晶舟，晶舟和晶圆需要上升到一段密封的炉管中，在特殊的化学气体环境中进行高温热处理和沉积工艺，该密封外管目前业内大多使用石英材料制作而成，用于高温炉内稳定腔体中晶圆的处理氛围，保证炉内热反应管内温度的稳定，并提高起到密封效果。
2、目前，石英密封外管大多使用电熔石英玻璃材料，通过热加工生产。而石英密封外管在超过1000℃的处理温度下，长时间使用可能就会变形软化，导致工艺异常，并且石英密封外管的使用寿命较低，容易碎裂；伴随半导体工艺技术的不断提高，石英材料密封外管难以满足生产及工艺要求。
技术实现思路
1、为解决上述技术中存在的技术问题，鉴于此，有必要提供一种用于承载硅片的硅质密封外管加工方法。
2、一种用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，包括以下步骤，
3、s1：按照分段加工的原则将硅质密封外管分成炉底段、中间段、炉顶段；
4、s2：选取合适大小硅棒，利用金刚砂线截断机截取炉底段、中间段、炉顶段所需对应长度的硅片，利用滚磨机或者掏棒机对截取的炉底段硅片外径、中间段硅片的内外径、以及炉顶段硅片的内外径进行粗加工，制备成对应的炉底段毛坯料、中间段毛坯料、炉顶段毛坯料；
5、s3：采用
6、s4：采用机床对炉底段毛坯料、中间段毛坯料、炉顶段毛坯料进行加工，获得对应的炉底段半成品、中间段半成品、炉顶段半成品；
7、其中，对炉底段毛坯料加工时采用以下方式：加工炉底段毛坯料外部特征，加工炉底段毛坯料内部凸台特征，加工炉底段毛坯料内部特征；
8、其中，对中间段毛坯料加工时采用以下方式：加工中间段毛坯料上半部分内外径，翻面加工中间段毛坯料下半部分内外径；
9、其中，对炉顶段毛坯料加工时采用以下方式：加工炉顶段毛坯料外径和内径上半部分，加工炉顶段毛坯料内腔凸台，加工炉顶段毛坯料下半部分内径；
10、s5：采用150～200目研磨砂纸将炉底段半成品、中间段半成品、炉顶段半成品大于0.01mm的台阶打磨平整，将所有没有倒角的棱边进行手工研磨倒角0.3mm，消除微小毛刺；
11、s6：将炉底段半成品、中间段半成品、炉顶段半成品分别装夹在转台上，转台转速设定为45～55转/min，采用450～500目研磨砂利用喷砂壶距离产品45～55mm处进行平稳移动喷砂；
12、s7：将炉底段半成品、中间段半成品、炉顶段半成品放在花篮中，放入90～100℃纯水中进行煮洗10～12min，煮沸完再进行擦拭清洗；
13、s8：将炉底段半成品、中间段半成品、炉顶段半成品放在花篮中，放入配置好的氢氟酸溶液中1～2min，刻蚀去除产品表面杂质；
14、s9：将炉底段半成品、中间段半成品、炉顶段半成品按照技术要求拼接成整体，放入熔接炉中进行熔接，得到硅质密封外管成品。
15、优选的，在步骤s3中，对炉底段毛坯料粗加工时，采用250～350目金刚砂磨头，转速780～820转/min，下切进给0.05mm/min，长度平磨至±0.05mm，平行度0.05mm，平面度0.05mm；
16、对中间段毛坯料粗加工时，采用260～300目金刚砂磨头，转速580～620转/min，下切进给0.05mm/min，长度平磨至±0.05mm，平行度0.05mm，平面度0.05mm；
17、对炉顶段毛坯料进行粗加工时，采用100～120目金刚砂磨头，转速980～1020转/min，下切进给0.1mm/min，长度平磨至±0.05mm。
18、优选的，在步骤s4中，加工炉底段毛坯料外部特征采用以下步骤，
19、a：利用直径190～210mm，磨刃厚度8～12mm，180～220目刀具进行开粗，毛坯料采用真空负压吸盘进行吸附装夹在转台上，转台转速设定280～320转/min，刀具采用左侧进刀方式，径向进给2mm/min，转速1450～1550转/min；
20、b：利用直径48～52mm，磨刃厚度7～9mm，100～150目刀具进行第二步开粗，毛坯料采用真空负压吸盘进行吸附装夹在转台上，转台转速设定280～320转/min，刀具采用上侧进刀方式，径向进给0.5mm/min，轴向进给1mm/min，转速5450～5550转/min；
21、c：利用直径55～65mm，磨刃厚度7～9mm，280～320目刀具进行精加工，毛坯料采用真空负压吸盘进行吸附装夹在转台上，转台转速设定280～320转/min，刀具采用上侧进刀方式，径向进给0.1mm/min，轴向进给2mm/min，转速4450～4550转/min。
22、优选的，在步骤s4中，加工炉底段毛坯料内部凸台特征采用以下步骤，
23、a：利用直径25～35mm，磨刃厚度7～9mm，140～160目刀具进行开粗，毛坯料采用黄石蜡粘接在工装和石英板上装夹在工作平台上，刀具采用上侧螺旋进刀方式，径向进给490～510mm/min，轴向进给490～510mm/min，下切步距0.1mm，转速6450～6550转/min；
24、b：利用直径7～9mm，磨刃厚度7～9mm，180～220目刀具进行第二步开粗，毛坯料采用黄石蜡粘接在工装和石英板上装夹在工作平台上，刀具采用上侧螺旋进刀方式，径向进给780～820mm/min，轴向进给480～520mm/min，下切步距0.1mm，转速7450～7550转/min；
25、c：利用直径3～4mm，磨刃厚度5～6mm，280～320目刀具进行精加工，毛坯料采用黄石蜡粘接在工装和石英板上装夹在工作平台上，刀具采用上侧螺旋进刀方式，径向进给380～420mm/min，轴向进给180～220mm/min，下切步距0.05mm，转速8450～8550转/min。
26、优选的，在步骤s4中，加工炉底段毛坯料内部特征采用以下步骤，
27、a：利用直径45～55mm，磨刃厚度7～9mm，100～120目刀具进行粗加工，毛坯料使用黄石蜡粘接在配套工装上，工装采用真空负压吸盘进行吸附装夹在转台上，转台转速设定48～55转/min，刀具采用上侧进刀方式，轴向进给0.5mm/min，转速4450～4550转/min；
28、b：利用直径70～80mm，磨刃厚度9～12mm，100～120目刀具进行第二步粗加工，毛坯料使用黄石蜡粘接在配套工装上，工装采用真空负压吸盘进行吸附装夹在转台上，转台转速设定180～220转/min，刀具采用内腔横向进刀方式，径向进给1mm/min，转速3450～3550转本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S3中，对炉底段毛坯料粗加工时，采用250～350目金刚砂磨头，转速780～820转/min，下切进给0.05mm/min，长度平磨至±0.05mm，平行度0.05mm，平面度0.05mm；
3.根据权利要求1所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，加工炉底段毛坯料外部特征采用以下步骤，
4.根据权利要求3所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，加工炉底段毛坯料内部特征采用以下步骤，
6.根据权利要求1所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，加工中间段毛坯料上半部分内外径采用以下步骤，
7.根据权利要求6所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，翻面加工中间段毛坯料下半部分内外径采
8.根据权利要求1所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，加工炉顶段毛坯料外径和内径上半部分采用以下步骤，
9.根据权利要求8所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，加工炉顶段毛坯料内腔凸台采用以下步骤，
10.根据权利要求9所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤S4中，加工炉顶段毛坯料下半部分内径采用以下步骤，
...【技术特征摘要】
1.一种用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.根据权利要求1所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤s3中，对炉底段毛坯料粗加工时，采用250～350目金刚砂磨头，转速780～820转/min，下切进给0.05mm/min，长度平磨至±0.05mm，平行度0.05mm，平面度0.05mm；
3.根据权利要求1所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤s4中，加工炉底段毛坯料外部特征采用以下步骤，
4.根据权利要求3所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的用于承载硅片的硅质密封外管加工方法，其特征在于：在步骤s4中，加工炉底段毛坯料内部特征采用以下步骤，
【专利技术属性】
技术研发人员：高胜贤，张晓明，许小鹏，丁亚国，吴悦，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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