【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅检测方法的，具体涉及一种检测硅单晶加工损伤层厚度的方法。
技术介绍
1、硅单晶是重要的半导体材料，利用硅单晶的性质，可以做成各种大功率晶体管，整流器、集成电路和太阳能电池等，从硅单晶晶棒到半导体器件或太阳能电池片需要经过切片，研磨、刻蚀、抛光等工序，机加工工序会导致硅片表面产生一定厚度的机械损伤层，后续酸碱处理、物理化学抛光等工序在处理硅片表面平整度的同时需完全去除机械损伤层，若不完全去除损伤层，由于损伤层内有大量的不饱和键，容易吸附金属微粒，导致半导体器件的性能受到影响；因此需要得知硅片表面损伤层的厚度，以避免后续工序无法完全去除损伤层，避免影响最终产品的质量。
2、现有技术中，通常使用x射线双星衍射法或扫描电镜等手段对硅片进行检测，但是上述检测方法所述检测设备价格高昂，对于工业化生产检测不适用，因此需要探究出一种新的硅片损伤层的检测方法。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种新的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
3、一种检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，包括以下步骤，
4、s1：将原始硅片进行清洗，以去除原始硅片表面的油脂，得到清洗硅片；
5、s2：配置检测液，将清洗硅片放入检测液中，在预定温度下通过各向异性腐蚀硅片预定时间，得到含有凹坑的腐蚀硅片；
6、s3：将含有凹坑的腐蚀硅片用弱碱进行漂洗，得到检测硅片；
7、s
8、优选地，所述s1步骤中：所述原始硅片进行清洗具体包括：将原始硅片用有机清洗剂进行充分清洗，得到初始清洗硅片。
9、优选地，所述s1步骤中，所述原始硅片进行清洗具体还包括：待酒精加热，将初始清洗硅片放入酒精中煮沸，煮沸完成后再进行烘干。
10、优选地，所述酒精加热的温度为65℃-75℃。
11、优选地，所述s2步骤中：所述检测液由铬酸溶液和氢氟酸溶液配置而成。
12、优选地，所述铬酸溶液和氢氟酸溶液的体积比为1~10：1。
13、优选地，所述s2步骤中：所述预定温度为20℃-35℃，所述预定时间为20min-25min。
14、优选地，所述s3步骤中，所述弱碱为氨水、碳酸钠中的一种。
15、优选地，所述s4步骤中，所述测量凹坑的深度具体为：光学显微镜自动拟合深度最深的凹坑进行测量。
16、优选地，所述s4步骤中，待光学显微镜测量出一个区域的深度后，调整不同位置，重复测量，求取平均值，得到检测硅片的机械损伤层厚度。
17、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
18、本专利技术提供的一种检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，通过将原始硅片进行清洗，以去除原始硅片表面的油脂，得到清洗硅片，再将清洗硅片放入检测液中，在预定温度下各向异性腐蚀硅片预定时间，使得清洗硅片的损伤晶格被腐蚀，从而留下完整晶格，得到含有凹坑的腐蚀硅片，将含有凹坑的腐蚀硅片用弱碱进行漂洗，得到检测硅片，最后将检测硅片放置光学显微镜下，测量凹坑的深度，得到检测硅片的机械损伤层厚度，以通过各向异性的择优腐蚀来检测硅片损伤层的厚度，检测方法简单、便捷、成本低，且检测结果准确。
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1.一种检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.如权利要求1所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述S1步骤中：所述原始硅片进行清洗具体包括：将原始硅片用有机清洗剂进行充分清洗，得到初始清洗硅片。
3.如权利要求2所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述S1步骤中，所述原始硅片进行清洗具体还包括：待酒精加热，将初始清洗硅片放入酒精中煮沸，煮沸完成后再进行烘干。
4.如权利要求3所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述酒精加热的温度为65℃-75℃。
5.如权利要求2所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述S2步骤中：所述检测液由铬酸溶液和氢氟酸溶液配置而成。
6.如权利要求5所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述铬酸溶液和氢氟酸溶液的体积比为1~10：1。
7.如权利要求2所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述S2步骤中：所述预定温度为20℃-35℃，所述预定时间为20min-25min。
<...【技术特征摘要】
1.一种检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：包括以下步骤，
2.如权利要求1所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述s1步骤中：所述原始硅片进行清洗具体包括：将原始硅片用有机清洗剂进行充分清洗，得到初始清洗硅片。
3.如权利要求2所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述s1步骤中，所述原始硅片进行清洗具体还包括：待酒精加热，将初始清洗硅片放入酒精中煮沸，煮沸完成后再进行烘干。
4.如权利要求3所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述酒精加热的温度为65℃-75℃。
5.如权利要求2所述的检测硅单晶加工损伤层厚度的方法，其特征在于：所述s2步骤中：所述检测液由铬酸溶液和氢氟酸溶液配置而成。
6.如权利要求5所述的检测硅单晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：李长苏，王浩，丁亚国，顾燕滨，于旭东，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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