用于检测硅片损伤层的检测液及其应用制造技术

本发明专利技术提供一种用于检测硅片损伤层的检测液及其应用，涉及单晶硅检测液技术领域，将体积比为1~10：1的铬酸溶液、氢氟酸铬酸溶液互配成检测液，单晶硅片的损伤层在检测液中会引起应力场，进行各向异性的腐蚀，使得损伤层的腐蚀速率加快，与完整晶格产生极大的速率差，故在腐蚀后的腐蚀硅片表面上完整晶格会表现为凸起来的“山丘”，损伤处则会被腐蚀为凹下去的“坑”，因此上述检测液既能腐蚀损伤层，也能够通过测量山顶与坑底的高度差，计算出损伤层的厚度，计算结果准确，为后面酸碱及物理化学抛光工艺的制定提供依据，以能够在后续酸碱处理、物理化学抛光等工序中，在处理硅片表面平整度时将机械损伤层完全去除。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于单晶硅检测液的，具体涉及一种用于检测硅片损伤层的检测液及其应用。

技术介绍

1、硅单晶是重要的半导体材料，利用硅单晶的性质，可以做成各种大功率晶体管、整流器、集成电路和太阳能电池等，从硅单晶晶棒到半导体器件或太阳能电池片需要经过切片，研磨、刻蚀、抛光等工序，机加工工序会导致硅片表面产生一定厚度的机械损伤层，后续酸碱处理、物理化学抛光等工序在处理硅片表面平整度的同时需完全去除机械损伤层，若不完全去除损伤层，由于损伤层内有大量的不饱和键，容易吸附金属微粒，导致半导体器件的性能受到影响；因此需要得知硅片表面损伤层的厚度，以避免后续工序无法完全去除损伤层，避免影响最终产品的质量。

2、现有技术中，如申请号为201210231731.8的中国专利技术专利公开了一种碱性有机腐蚀溶液和利用碱性有机腐蚀溶液去除硅片表面纳米级损伤层的方法，具体公开包括一种碱性有机腐蚀溶液，包括四烷基氢氧化铵和去离子水，其中四烷基氢氧化铵的重量百分比为1%至25%，该有机腐蚀溶液成功去除多晶硅片表面的损伤层后；上述现有技术中虽然能够去除损伤层，但是仅针对多晶硅硅片，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于检测硅片损伤层的检测液，用于腐蚀单晶硅片，其特征在于：包括铬酸溶液、氢氟酸铬酸溶液，所述铬酸溶液与氢氟酸溶液的体积比为1~10：1。

2.如权利要求1所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-50%，所述氢氟酸溶液的浓度为40%-49%。

3.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-10%，所述铬酸与氢氟酸的体积比5~4:2~1。

4.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为12%-15%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~1.5:1。...

【技术特征摘要】

1.一种用于检测硅片损伤层的检测液，用于腐蚀单晶硅片，其特征在于：包括铬酸溶液、氢氟酸铬酸溶液，所述铬酸溶液与氢氟酸溶液的体积比为1~10：1。

2.如权利要求1所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-50%，所述氢氟酸溶液的浓度为40%-49%。

3.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-10%，所述铬酸与氢氟酸的体积比5~4:2~1。

4.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为12%-15%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~1.5:1。

5.如权利要求2所述的用于检测硅片损...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，丁亚国，吴悦，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：