【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅生产领域，具体而言，涉及一种液相法生长碳化硅晶体的装置。
技术介绍
1、碳化硅(sic)作为新兴的第三代半导体核心材料，具有宽禁带、高临界击穿电场强度、高电子迁移率以及良好的抗辐照性和化学稳定性等优异性，这使其成为一种广泛应用的重要衬底晶片材料，在航空器件、新能源汽车、轨道交通和家用电器等领域展现了良好的应用前景。
2、目前，碳化硅晶体的生长工艺主要有气相法(pvt)、液相法(ble)、沉积法(cvd)等。基于液相法的晶体生长装置，温度梯度是影响碳化硅晶体生长的重要因素。但是，现有技术中主要通过驱动晶体生长装置的坩埚或者加热结构升降对温度梯度进行调节，操作复杂不便。
技术实现思路
1、本专利技术的目的包括，例如，提供了一种液相法生长碳化硅晶体的装置，其能够简单方便地调节温度梯度。
2、本专利技术的实施例可以这样实现：
3、第一方面，本专利技术提供一种液相法生长碳化硅晶体的装置，包括：
4、保温结构；
5、坩埚，所述坩埚放置于所述保温结构内，用于盛装含硅熔体，所述坩埚的外周壁和所述保温结构的内壁之间具有预留间隙；
6、升降机构，所述升降机构设置于所述坩埚的上方；
7、调节环，所述调节环位于所述预留间隙内且与所述升降机构传动连接，用于在所述升降机构的驱动下升降；
8、籽晶杆，所述籽晶杆设置有用于与所述含硅熔体接触以生长碳化硅晶体的籽晶。
9、在可选的实施方式中
10、在可选的实施方式中，所述调节环的外周壁与所述保温结构的内壁间隔设置。
11、在可选的实施方式中，所述坩埚和所述调节环均为石墨材质。
12、在可选的实施方式中，所述调节环包括所述第一环体和位于所述第一环体下方的第二环体，所述第一环体和所述第二环体均位于所述预留间隙内且与所述升降机构传动连接。
13、在可选的实施方式中，所述第一环体和所述第二环体的形状和尺寸相同。
14、在可选的实施方式中，所述第一环体和所述第二环体的高度均大于或者等于所述坩埚的高度的三分之一且小于或者等于所述坩埚的高度的二分之一。
15、在可选的实施方式中，所述升降机构通过第一连接件与所述第一环体连接且通过第二连接件与所述第二环体连接，所述第一环体开设有供所述第二连接件穿设的避位通道。
16、在可选的实施方式中，所述第一连接件和所述第二连接件均为连接绳或者连接杆。
17、在可选的实施方式中，所述籽晶杆与所述升降机构传动连接，用于在所述升降机构的驱动下升降。
18、本专利技术实施例的有益效果包括，例如：
19、本液相法生长碳化硅晶体的装置包括保温结构、坩埚、升降机构、调节环及籽晶杆，坩埚放置于保温结构内，用于盛装含硅熔体，坩埚的外周壁和保温结构的内壁之间具有预留间隙，升降机构设置于坩埚的上方，调节环位于预留间隙内且与升降机构传动连接，用于在升降机构的驱动下升降，籽晶杆设置有用于与含硅熔体接触以生长碳化硅晶体的籽晶。通过设置升降机构驱动在预留间隙内的调节环升降，可以调节预留间隙未被调节环占用的空间的位置和尺寸，从而调节坩埚对应部位的加热效果，进而调节坩埚内部的温度梯度，操作简单方便，有效弥补了现有技术的缺陷。
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1.一种液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述调节环(500)与所述坩埚(200)的外周壁滑动配合。
3.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述调节环(500)的外周壁与所述保温结构(100)的内壁间隔设置。
4.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述坩埚(200)和所述调节环(500)均为石墨材质。
5.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述调节环(500)包括第一环体(510)和位于所述第一环体(510)下方的第二环体(520)，所述第一环体(510)和所述第二环体(520)均位于所述预留间隙(300)内且与所述升降机构传动连接。
6.根据权利要求5所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述第一环体(510)和所述第二环体(520)的形状和尺寸相同。
7.根据权利要求5所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述第一环体(510)和所述第
8.根据权利要求5所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述升降机构通过第一连接件(610)与所述第一环体(510)连接且通过第二连接件(620)与所述第二环体(520)连接，所述第一环体(510)开设有供所述第二连接件(620)穿设的避位通道(512)。
9.根据权利要求8所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述第一连接件(610)和所述第二连接件(620)均为连接绳或者连接杆。
10.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述籽晶杆(400)与所述升降机构传动连接，用于在所述升降机构的驱动下升降。
...【技术特征摘要】
1.一种液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述调节环(500)与所述坩埚(200)的外周壁滑动配合。
3.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述调节环(500)的外周壁与所述保温结构(100)的内壁间隔设置。
4.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述坩埚(200)和所述调节环(500)均为石墨材质。
5.根据权利要求1所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述调节环(500)包括第一环体(510)和位于所述第一环体(510)下方的第二环体(520)，所述第一环体(510)和所述第二环体(520)均位于所述预留间隙(300)内且与所述升降机构传动连接。
6.根据权利要求5所述的液相法生长碳化硅晶体的装置，其特征在于，所述第一环体(510)和所述...
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