【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅晶体生长，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置。
技术介绍
1、碳化硅作为新兴的第三代半导体核心材料，具有宽禁带、高临界击穿电场强度、高电子迁移率以及良好的抗辐照性和化学稳定性等优异性，这使其成为一种广泛应用的重要衬底晶片材料，在航空器件、新能源汽车、轨道交通和家用电器等领域展现了良好的应用前景。
2、目前，碳化硅晶体生长主要有物理气相传输(pvt)、液相法(ble)以及化学气相沉积(cvd)等。其中，物理气相传输最为成熟，应用最广。
3、经专利技术人研究发现，现有的一些物理气相传输普遍存在中心位置的碳化硅粉料容易碳化，导致碳化硅粉料的利用率不高的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种碳化硅晶体生长装置，其能够避免坩埚中心位置的碳化硅粉料出现碳化的情况，以提高碳化硅粉料的利用率。
2、本技术的实施例是这样实现的：
3、第一方面，本技术提供一种碳化硅晶体生长装置，包括：
4、坩埚，坩埚包括多个沿轴向间隔排...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
6.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
8.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
9.根据权利要求6所述的...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
4.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
5.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。