【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其是涉及一种智能功率模块和智能功率模块的制造方法。
技术介绍
1、半导体中的功率芯片通过锡膏固定在框架基岛上，框架基岛下方为绝缘高导热的塑封料树脂层，功率芯片工作产生的热量通过框架传递给树脂最终通过树脂传递到散热器上。
2、在现有技术中，半导体产品在前段上芯工艺过程中，由于夹具对焊盘施加的压力也可能会导致框架基岛发生变形，在塑封过程中，框架的基岛由于模流的影响，会产生弯曲倾斜，最终导致框架下方的绝缘树脂的厚度发生变化，从而降低半导体器件最终的性能和可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种智能功率模块，该智能功率模块的可靠性更佳。
2、本专利技术的另一个目的在于提出一种智能功率模块的制造方法。
3、根据本专利技术实施例的智能功率模块，包括：塑封体；半导体器件，所述塑封体包裹在所述半导体器件至少部分的外部，所述半导体器件与所述塑封体底部之间的距离为a，a满足关系式：0.3mm≤a≤0.7mm。
4、由此，通过将半导体器件与所述塑封体底部之间的距离设置在合理的范围内，不仅可以保证塑封体的散热性能，而且还可以防止塑封体在未凝固时流动性能较差，造成塑封体中产生气泡，可以保证塑封体的绝缘性能。
5、在本专利技术的一些示例中，a满足关系式：0.4mm≤a≤0.6mm。
6、在本专利技术的一些示例中，所述半导体器件包括引线
7、在本专利技术的一些示例中，所述半导体器件与所述塑封体上表面之间的距离为b，b和a满足关系式：b＞a。
8、在本专利技术的一些示例中，所述塑封体为绝缘树脂塑封体。
9、根据本专利技术实施例的智能功率模块的制造方法，适用于以上所述的智能功率模块，其特征在于，包括以下步骤：将所述半导体器件的至少部分伸入模具内；将抽芯针从模具下方伸入所述模具内且支撑所述半导体器件的下表面；向所述模具内注入塑封料，使塑封料包裹在所述半导体器件的外部；经过预设时间t后，将所述抽芯针从所述模具中取出，其中，t小于塑封料凝胶化的时间。
10、在本专利技术的一些示例中，t满足关系式：t≤30s。
11、在本专利技术的一些示例中，t满足关系式：t≥4s。
12、在本专利技术的一些示例中，t满足关系式：t≥12s。
13、在本专利技术的一些示例中，所述抽芯针为伸缩针。
14、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，A满足关系式：0.4mm≤A≤0.6mm。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述半导体器件包括引线框架和功率芯片，所述功率芯片设置于所述引线框架的上表面，所述引线框架下表面与所述塑封体底部之间的距离为A。
4.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述半导体器件与所述塑封体上表面之间的距离为B，B和A满足关系式：B＞A。
5.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述塑封体为绝缘树脂塑封体。
6.一种智能功率模块的制造方法，适用于权利要求1-5中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的智能功率模块的制造方法，其特征在于，T满足关系式：T≤30s。
8.根据权利要求6所述的智能功率模块的制造方法，其特征在于，T满足关系式：T≥4s。
9.根据权利要求8所述的智能功率模块的制造方法，其特征在于，T满足关系式：T≥12s。
...【技术特征摘要】
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，a满足关系式：0.4mm≤a≤0.6mm。
3.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述半导体器件包括引线框架和功率芯片，所述功率芯片设置于所述引线框架的上表面，所述引线框架下表面与所述塑封体底部之间的距离为a。
4.根据权利要求2所述的智能功率模块，其特征在于，所述半导体器件与所述塑封体上表面之间的距离为b，b和a满足关系式：b＞a。
5.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：成章明，周文杰，李正凯，谢地林，刘剑，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。