一种选择性封装的方法、封装结构和射频模组技术

技术编号:39955340 阅读:22 留言:0更新日期:2024-01-08 23:37
本申请公开了一种选择性封装的方法、封装结构,以及应用该封装结构的射频模组,可应用于电子封装领域。该方法包括提供基板,在基板上形成金属连接结构和第一类器件,第一类器件包括需要底填的器件,填充塑封材料完成对需要底填的器件的选择性封装,形成第一封装结构;在金属连接结构的顶部形成不能底填的器件并在其底部形成空腔,在不能底填的器件第一方向的表面覆盖第一覆盖层,填充塑封材料覆盖第一覆盖层,完成封装。本申请所提供的选择性封装的方法,操作简单且能够有效避免封装结构中的器件在破膜时遭到损坏,且能够避免位于不能底填的器件底部的空腔在封装时被填充的风险,提高了产品封装过程的可操作性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电子封装,尤其涉及一种选择性封装的方法、封装结构,以及应用该封装结构的射频模组。


技术介绍

1、射频(radio frequency,rf)模组(module)是一种将滤波器(filter)、双工/多工器(diplexer/duplexer/multiplexer)、低噪声放大器(low noise amplifier,lna)、功率放大器(power amplifier,pa)以及射频开关(switch)中的两种或者两种以上分立器件,集成在同一个模组中的设计方案,可以提高射频芯片的集成度并使其进一步小型化。

2、rf module产品的封装是其工艺中重要的一环,其可以将rf module中的芯片封装在保护材料中,免受外界环境的影响,同时提供更好的电磁兼容性、热管理和机械保护。选择性的底部填充工艺是封装过程中一项重要的技术,选择性的底部填充是指对于rfmodule中的部分芯片(例如switch)需要在倒装后进行底部填充以提供更好的保护与稳定性,而部分芯片(例如声表面波(surface acoustic wave,saw)滤波器)需要对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种选择性封装的方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属连接结构包括金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述金属连接结构的顶部形成所述第二类器件之前,所述方法还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述基板上具有第一焊盘和第二焊盘,所述金属连接结构通过所述第一焊盘形成在所述基板上,所述需要底填的器件通过所述第二焊盘形成在所述基板上。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一类器件还包括其他器件,所述其他器件的高度值大于所述需...

【技术特征摘要】

1.一种选择性封装的方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属连接结构包括金属线弧、金属柱和金属墩中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述金属连接结构的顶部形成所述第二类器件之前,所述方法还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述基板上具有第一焊盘和第二焊盘,所述金属连接结构通过所述第一焊盘形成在所述基板上,所述需要底填的器件通过所述第二焊盘形成在所述基板上。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一类器件还包括其他器件,所述其他器件的高度值大于所述需要底填的器件的高度值。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述金属连接结构的高度值大于或等于所述其他器件的高度值。

7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述金属连接结构的高度值大于或等于所述需要底填的器件的高度值、且小于所述其他器件的高度值。

8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述金属连接结构的高度值小于所述需要底填的器件的高度值。

9.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述基板上具有第一凹槽,所述第二焊盘位于所述第一凹槽内。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述基板上还具有第二凹槽,所述第一类器件还包括其他器件,所述其他器件位于所述第二凹槽内。

11.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包...

【专利技术属性】
技术研发人员:姜伟高安明郑磊
申请(专利权)人:浙江星曜半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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