【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种选择性封装方法、应用该选择性封装方法得到的封装结构以及包括该封装结构的射频模组。
技术介绍
1、射频模组是一种将滤波器、射频开关、低噪声放大器、功率放大器、双工器和多工器中的两种或者两种以上分立器件集成在同一个模组中的解决方案，可以提高射频芯片的集成度，使射频芯片进一步小型化。
2、目前的市场环境中，手机射频模组化的趋势十分明显。虽然在3g和4g早期时代，因为手机需要覆盖的频段范围并不大，射频前端常常采用分立设计方案，但到了多频多模时代，尤其是5g逐步商用化推广和普及后，手机需要非常多的器件才能满足全球频段的支持需求，射频前端变得更加复杂，而由于手机主板设计空间有限，模组化、集成化、小型化的趋势开始自然出现。这种持续增加的射频前端器件数量和pcb板可用面积之间日趋紧张的矛盾，促使高集成度的射频前端模组产品逐步发展。
3、射频模组产品的封装是其工艺中重要的一环，其可以将射频模组芯片封装在保护材料中，免受外界环境的影响，同时提供更好的电磁兼容性、热管理和机械保护。射频芯片在操作过程中，容易受到静电击穿、机械振动和湿度等的影响，封装提供的物理屏障可以增加芯片的稳定性和可靠性；同时电磁屏蔽和隔离也能够吸收外界电磁干扰，降低内部的电磁耦合与干扰，并且为芯片提供散热途径和抗物理振动及冲击等保护。
4、对于射频模组产品而言，封装过程中有一项重要的技术——对于倒装芯片来说，部分芯片(例如射频开关等)需要进行底部填充以提供更好的保护与稳定性，而部分芯片(例如声表面波滤波器saw等)不
5、如何提供一种安全可靠的选择性封装方案，以对需要进行底部填充的射频器件和不能进行底部填充的射频器件同时封装，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种选择性封装方法、应用该选择性封装方法得到的封装结构以及包括该封装结构的射频模组，以提供一种安全可靠的选择性封装方案，对需要进行底部填充的射频器件和不能进行底部填充的射频器件同时封装。
2、为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
3、一种选择性封装方法，包括：
4、提供一基板，所述基板表面具有多个焊盘；
5、在所述基板表面的预设区域形成阻挡层；
6、焊接射频器件，所述射频器件包括第一射频器件和第二射频器件，所述第一射频器件的凸点与部分所述焊盘对应焊接，所述第二射频器件的凸点与另一部分所述焊盘对应焊接；所述第二射频器件具有功能区，所述功能区和所述基板表面之间具有空腔，所述阻挡层包围所述空腔，且所述阻挡层与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合，所述阻挡层暴露所述第一射频器件和所述基板表面之间的间隙；
7、填充塑封材料，使所述塑封材料填充所述第一射频器件和所述基板表面之间的间隙，并覆盖所述第一射频器件、所述第二射频器件、所述阻挡层以及所述基板表面。
8、可选的，在所述基板表面的预设区域形成阻挡层包括：
9、在所述基板表面的预设区域形成至少一层阻焊层作为所述阻挡层。
10、可选的，在所述基板表面的预设区域形成阻挡层包括：
11、在所述基板表面覆盖一层干膜；
12、对所述干膜进行刻蚀，去除所述基板表面预设区域之外的干膜，将所述基板表面预设区域的干膜作为所述阻挡层。
13、可选的，在所述第二射频器件的制备过程中，在所述第二射频器件表面形成围绕所述功能区的至少一圈金属层，一圈所述金属层包括间隔排列的多个金属段；
14、在焊接射频器件时，所述阻挡层与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合包括：
15、所述阻挡层与所述金属层朝向所述基板的表面相贴合。
16、一种封装结构，包括：
17、基板，所述基板表面具有多个焊盘；
18、阻挡层，位于所述基板表面的预设区域；
19、射频器件，所述射频器件包括第一射频器件和第二射频器件，所述第一射频器件的凸点与部分所述焊盘对应焊接，所述第二射频器件的凸点与另一部分所述焊盘对应焊接；所述第二射频器件具有功能区，所述功能区和所述基板表面之间具有空腔，所述阻挡层包围所述空腔，且所述阻挡层与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合，所述阻挡层暴露所述第一射频器件和所述基板表面之间的间隙；
20、塑封材料，所述塑封材料填充所述第一射频器件和所述基板表面之间的间隙，并覆盖所述第一射频器件、所述第二射频器件、所述阻挡层以及所述基板表面。
21、可选的，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第一阻挡部，所述第一阻挡部位于所述第二射频器件的凸点背离所述空腔一侧。
22、可选的，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第二阻挡部，所述第二阻挡部位于所述第二射频器件的凸点靠近所述空腔一侧。
23、可选的，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第一阻挡部和第二阻挡部，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部中的至少一种与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合，所述第一阻挡部位于所述第二射频器件的凸点背离所述空腔一侧，所述第二阻挡部位于所述第二射频器件的凸点靠近所述空腔一侧。
24、可选的，所述第二阻挡部与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合，所述第一阻挡部的厚度小于所述第二阻挡部的厚度；
25、所述塑封材料还填充于所述第二射频器件和所述基板表面之间的间隙，且位于所述第二阻挡部背离所述空腔一侧。
26、可选的，所述阻挡层在所述基板表面的正投影位于所述第一射频器件在所述基板表面的正投影外侧。
27、可选的，所述第一射频器件朝向所述基板的表面与所述基板表面之间的距离大于所述第二射频器件朝向所述基板的表面与所述基板表面之间的距离。
28、可选的，所述阻挡层为单层结构，或者，所述阻挡层为沿背离所述基板表面的方向层叠的至少两层结构。
29、可选的，所述第二射频器件朝向所述基板的表面具有围绕所述功能区的至少一圈金属层，一圈所述金属层包括间隔排列的多个金属段；
30、所述阻挡层与所述金属层朝向所述基板的表面相贴合。
31、可选的，所述至少一圈金属层包括第一圈金属层和位于所述第一圈金属层背离所述功能区一侧的第二圈金属层，所述第一圈金属层中的所述金属段对应所述第二圈金属层中相邻两个所述金属段之间的间隙，所述第二圈金属层中的所述金属段对应所述第一圈金属层中相邻两个所述金属段之间的间隙。
32、一种射频模组，包括采用上述任一项所述的选择性封装方法得到的封装结构，或包括上述任一项所述的封装结构。
33、与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
34、本申请实施例所本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种选择性封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述基板表面的预设区域形成阻挡层包括：
3.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述基板表面的预设区域形成阻挡层包括：
4.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述第二射频器件的制备过程中，在所述第二射频器件表面形成围绕所述功能区的至少一圈金属层，一圈所述金属层包括间隔排列的多个金属段；
5.一种封装结构，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第一阻挡部，所述第一阻挡部位于所述第二射频器件的凸点背离所述空腔一侧。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第二阻挡部，所述第二阻挡部位于所述第二射频器件的凸点靠近所述空腔一侧。
8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第一阻挡部和
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第二阻挡部与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合，所述第一阻挡部的厚度小于所述第二阻挡部的厚度；
10.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层在所述基板表面的正投影位于所述第一射频器件在所述基板表面的正投影外侧。
11.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一射频器件朝向所述基板的表面与所述基板表面之间的距离大于所述第二射频器件朝向所述基板的表面与所述基板表面之间的距离。
12.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述阻挡层为单层结构，或者，所述阻挡层为沿背离所述基板表面的方向层叠的至少两层结构。
13.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件朝向所述基板的表面具有围绕所述功能区的至少一圈金属层，一圈所述金属层包括间隔排列的多个金属段；
14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述至少一圈金属层包括第一圈金属层和位于所述第一圈金属层背离所述功能区一侧的第二圈金属层，所述第一圈金属层中的所述金属段对应所述第二圈金属层中相邻两个所述金属段之间的间隙，所述第二圈金属层中的所述金属段对应所述第一圈金属层中相邻两个所述金属段之间的间隙。
15.一种射频模组，其特征在于，包括采用权利要求1-4任一项所述的选择性封装方法得到的封装结构，或包括权利要求5-14任一项所述的封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种选择性封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述基板表面的预设区域形成阻挡层包括：
3.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述基板表面的预设区域形成阻挡层包括：
4.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述第二射频器件的制备过程中，在所述第二射频器件表面形成围绕所述功能区的至少一圈金属层，一圈所述金属层包括间隔排列的多个金属段；
5.一种封装结构，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第一阻挡部，所述第一阻挡部位于所述第二射频器件的凸点背离所述空腔一侧。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第二阻挡部，所述第二阻挡部位于所述第二射频器件的凸点靠近所述空腔一侧。
8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二射频器件的凸点位于所述空腔外侧，所述阻挡层包括第一阻挡部和第二阻挡部，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部中的至少一种与所述第二射频器件朝向所述基板的表面相贴合，所述第一阻挡部位于所述第二射频器件的凸点背离所述空腔一侧，所述第二阻挡部位于所述第二射频器件的凸点靠近所述空腔一侧。
9.根据权利要求8所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜伟，高安明，郑磊，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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