【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于通信，尤其涉及一种低频辐射单元。
技术介绍
1、随着微波通信技术的发展，不同频段的基站天线数量急剧增加，但是铁塔内的空间有限，这导致小型化多频天线逐渐成为技术发展主流。天线尺寸减小后天线各模块之间的阵列间距会变小，从而导致低频辐射单元对高频辐射单元的遮挡面积变大，进而使得高频辐射单元的方向图曲线变形严重，增益降低，影响天线信号覆盖。
技术实现思路
1、为了解决
技术介绍
中所述的天线尺寸减小后天线各模块之间的阵列间距会变小，从而导致低频辐射单元对高频辐射单元的遮挡面积变大的问题，本专利技术提出了如下技术方案：
2、一种低频辐射单元，固定设于反射板上，包括：介质基板、馈电片和支撑座；所述介质基板表面设有关于所述馈电片对称的第一偶极子层和第二偶极子层，所述第一偶极子层和所述第二偶极子层内均设有空白区域；所述馈电片的一端凸起形成穿出所述介质基板表面的馈电接口，所述馈电片的另一端设有用于连接同轴线的接地点；所述支撑座与所述反射板卡扣连接，所述支撑座用于限位所述馈电片并在所述反射板上承载所述介质基板。
3、其中，所述第一所述偶极子层包括：间隔设置的第一线路和第二线路；所述第一线路的一侧凹陷，所述第一线路的另一侧设有朝所述第二偶极子延伸的第一过渡线；所述第一线路和所述第二线路之间通过缝隙耦合；所述第二线路部分开槽，从而形成所述空白区域之一；当所述介质基板固定设于所述反射板上时，所述空白区域与一个高频辐射单元相对。
4、进一步地，第二所述偶极子层包括
5、进一步地，所述支撑座的内部中空，并且所述支撑座的空腔内设有沿着所述支撑座高度方向延伸的第一限位槽和第二限位槽；所述馈电片插入所述支撑座内并在所述第一限位槽和所述第二限位槽之间保持竖直状态。
6、进一步地，所述支撑座上远离所述介质基板的一侧设有用于限位所述同轴线的卡线槽，当所述馈电片插入所述支撑座内后，所述同轴线的一端穿入所述卡线槽内并与所述接地点固定连接。
7、进一步地，所述第二线路上的开槽部分的轮廓线包括渐进线和折线；所述折线呈阶梯状排布，并且所述折线的长边所在一侧分别与所述渐近线的一端相连。
8、进一步地，所述第一缝隙的长度为所述第一偶极子层工作频率的五分之一波长至所述第一偶极子层工作频率的四分之一波长；所述第二缝隙的长度为所述第二偶极子层工作频率的五分之一波长至所述第二偶极子层工作频率的四分之一波长。
9、进一步地，所述第一缝隙和所述第二缝隙的宽度均为0.5mm。
10、有益效果：本专利技术通过第一偶极子层和第二偶极子层内的空白区域与高频辐射单元相对，从而减小整个低频辐射单元对高频辐射单元的遮挡面积。
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1.一种低频辐射单元，固定设于反射板上，其特征在于，所述低频辐射单元包括：介质基板(1)、馈电片(2)和支撑座(3)；所述介质基板(1)表面设有关于所述馈电片(2)对称的第一偶极子层(11)和第二偶极子层(12)，所述第一偶极子层(11)和所述第二偶极子层(12)内均设有空白区域；所述馈电片(2)的一端凸起形成穿出所述介质基板(1)表面的馈电接口，所述馈电片(2)的另一端设有用于连接同轴线(4)的接地点；所述支撑座(3)与所述反射板卡扣连接，所述支撑座(3)用于限位所述馈电片(2)并在所述反射板上承载所述介质基板(1)。
2.根据权利要求1中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述第一所述偶极子层包括：间隔设置的第一线路(111)和第二线路(112)；所述第一线路(111)的一侧凹陷，所述第一线路(111)的另一侧设有朝所述第二偶极子延伸的第一过渡线(113)；所述第一线路(111)和所述第二线路(112)之间通过第一缝隙(5)耦合；所述第二线路(112)部分开槽，从而形成所述空白区域之一；当所述介质基板(1)固定设于所述反射板上时，所述空白区域与一个高频辐射单元相对
3.根据权利要求2中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，第二所述偶极子层包括：间隔设置的第三线路(121)和第四线路(122)；所述第三线路(121)的一侧凹陷，所述第三线路(121)的另一侧设有朝所述第一偶极子层(11)延伸的第二过渡线(123)；所述第三线路(121)和所述第四线路(122)之间通过第二缝隙(6)耦合；所述第四线路(122)的部分开槽，从而形成所述空白区域之另一；当所述介质基板(1)固定设于所述反射板上时，所述空白区域与另一个高频辐射单元相对。
4.根据权利要求3中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述支撑座(3)的内部中空，并且所述支撑座(3)的空腔内设有沿着所述支撑座(3)高度方向延伸的第一限位槽(31)和第二限位槽(32)；所述馈电片(2)插入所述支撑座(3)内并在所述第一限位槽(31)和所述第二限位槽(32)之间保持竖直状态。
5.根据权利要求4中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述支撑座(3)上远离所述介质基板(1)的一侧设有用于限位所述同轴线(4)的卡线槽(33)，当所述馈电片(2)插入所述支撑座(3)内后，所述同轴线(4)的一端穿入所述卡线槽(33)内并与所述接地点固定连接。
6.根据权利要求3中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述第二线路(112)上的开槽部分的轮廓线包括渐进线和折线；所述折线呈阶梯状排布，并且所述折线的长边所在一侧分别与所述渐近线的一端相连。
7.根据权利要求6中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述第一缝隙(5)的长度为所述第一偶极子层(11)工作频率的五分之一波长至所述第一偶极子层(11)工作频率的四分之一波长；所述第二缝隙(6)的长度为所述第二偶极子层(12)工作频率的五分之一波长至所述第二偶极子层(12)工作频率的四分之一波长。
8.根据权利要求7中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述第一缝隙(5)和所述第二缝隙(6)的宽度均为0.5mm。
...【技术特征摘要】
1.一种低频辐射单元，固定设于反射板上，其特征在于，所述低频辐射单元包括：介质基板(1)、馈电片(2)和支撑座(3)；所述介质基板(1)表面设有关于所述馈电片(2)对称的第一偶极子层(11)和第二偶极子层(12)，所述第一偶极子层(11)和所述第二偶极子层(12)内均设有空白区域；所述馈电片(2)的一端凸起形成穿出所述介质基板(1)表面的馈电接口，所述馈电片(2)的另一端设有用于连接同轴线(4)的接地点；所述支撑座(3)与所述反射板卡扣连接，所述支撑座(3)用于限位所述馈电片(2)并在所述反射板上承载所述介质基板(1)。
2.根据权利要求1中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，所述第一所述偶极子层包括：间隔设置的第一线路(111)和第二线路(112)；所述第一线路(111)的一侧凹陷，所述第一线路(111)的另一侧设有朝所述第二偶极子延伸的第一过渡线(113)；所述第一线路(111)和所述第二线路(112)之间通过第一缝隙(5)耦合；所述第二线路(112)部分开槽，从而形成所述空白区域之一；当所述介质基板(1)固定设于所述反射板上时，所述空白区域与一个高频辐射单元相对。
3.根据权利要求2中所述的一种低频辐射单元，其特征在于，第二所述偶极子层包括：间隔设置的第三线路(121)和第四线路(122)；所述第三线路(121)的一侧凹陷，所述第三线路(121)的另一侧设有朝所述第一偶极子层(11)延伸的第二过渡线(123)；所述第三线路(121)和所述第四线路(122)之间通过第二缝隙(6)耦合；所述第四线路(122)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄培根，
申请(专利权)人：摩比天线技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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