【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种硅片的处理工艺及其应用。
技术介绍
1、目前太阳能光伏电池制造领域中，晶体硅太阳电池perc、topcon技术已成为主流技术，在此基础上，扩散加se激光掺杂叠加也已实现工业化量产。以topcon电池为例，正面结构采用激光掺杂形成se(全称为“选择性发射电极”)的技术，在晶硅电池非电极接触区采用低浓度掺杂，降低表面复合，提升表面钝化效果；在电极接触区采用高浓度掺杂，形成良好的欧姆接触，降低串联电阻，提高填充因子，实现晶硅电池转换效率上的增益。
2、但在实际量产中，以topcon电池为例，扩散加se激光掺杂仍然常常会出现良率及效率上的波动。因此，在太阳能电池片制程中如何进一步稳定提高电池片的电性能参数以实现效率的提升仍是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种硅片的处理工艺及其应用，用以解决现有技术中良率及效率上存在波动的缺陷，实现晶硅电池效率、良率的稳步提升。
2、本专利技术提供一种硅片的处理工艺，包括：将所述硅片依次进行se激光掺杂、清洗和后氧化；
3、其中，所述清洗包括：将se激光掺杂后的硅片进行碱洗，而后将碱洗后的硅片进行酸洗；碱洗液包括双氧水、无机碱和水，酸洗液为由水和盐酸组成的混合溶液。
4、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述混合溶液中，所述盐酸的浓度为1.5～3wt％。
5、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述酸洗的温度为20～30摄氏度，
6、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述双氧水与碱的质量比为(3～5)：1。
7、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述碱洗液中双氧水的浓度为1.5～2.5wt％；所述碱洗液中无机碱的浓度为0.35～0.65wt％。
8、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述碱洗的温度为55～65摄氏度，碱洗的时间为100～200秒。
9、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述碱洗与酸洗后均先进行水洗，所述水洗的时间为60～120秒。
10、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述清洗包括：
11、s1：将激光掺杂后的硅片进行碱洗，而后进行水洗；
12、s2：将s1中水洗后的硅片采用由水和盐酸组成的混合溶液进行酸洗，而后进行水洗；
13、s3：将s2中水洗后的硅片依次进行慢提拉和烘干。
14、根据本专利技术提供一种硅片的处理工艺，所述慢提拉的温度为60～80摄氏度，时间为10～60秒；所述烘干的温度为80～100摄氏度，时间为700～800秒。
15、本专利技术进一步提供所述硅片的处理工艺在制备太阳能电池方面的应用。
16、本专利技术提供的硅片的处理工艺及其应用，通过优化处理工序，能够减少硅片麻点的占比，减少缺陷复合中心，对于晶硅电池效率、良率具有稳步提升效果。
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1.一种硅片的处理工艺，其特征在于，包括：将所述硅片依次进行SE激光掺杂、清洗和后氧化；
2.根据权利要求1所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述混合溶液中，所述盐酸的浓度为1.5～3wt％。
3.根据权利要求1或2所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述酸洗的温度为20～30摄氏度，酸洗时间为100～200秒。
4.根据权利要求1～3任一项所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述双氧水与碱的质量比为3～5：1。
5.根据权利要求4所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述碱洗液中双氧水的浓度为1.5～2.5wt％；所述碱洗液中无机碱的浓度为0.35～0.65wt％。
6.根据权利要求1～5任一项所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述碱洗的温度为55～65摄氏度，碱洗的时间为100～200秒。
7.根据权利要求1～6任一项所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述碱洗与酸洗后均先进行水洗，所述水洗的时间为60～120秒。
8.根据权利要求1～7任一项所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述清洗包括：
9.根据权利
10.权利要求1～9中任一项所述硅片的处理工艺在制备太阳能电池方面的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种硅片的处理工艺，其特征在于，包括：将所述硅片依次进行se激光掺杂、清洗和后氧化；
2.根据权利要求1所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述混合溶液中，所述盐酸的浓度为1.5～3wt％。
3.根据权利要求1或2所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述酸洗的温度为20～30摄氏度，酸洗时间为100～200秒。
4.根据权利要求1～3任一项所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述双氧水与碱的质量比为3～5：1。
5.根据权利要求4所述硅片的处理工艺，其特征在于，所述碱洗液中双氧水的浓度为1.5～2.5wt％；所述碱洗液中无机碱的浓度为0.35～0.65wt％。
【专利技术属性】
技术研发人员：吕国剑，徐昆，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：
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