【技术实现步骤摘要】
本技术涉及镀膜设备,尤其涉及一种支撑装置和pecvd镀膜设备。
技术介绍
1、pecvd镀膜技术是太阳能电池制造中的关键技术,常用来制备太阳能电池的钝化膜和减反射膜。随着技术的发展,对pecvd设备及其辅助配套设备的要求也越来越高。石墨舟在pecvd镀膜炉管中的正常使用尤为重要,通常采用一对支撑杆和相关组件将石墨舟稳定的支撑在炉管中,支撑杆用于与石墨舟的舟脚接触。
2、相关技术中,支撑杆通常为陶瓷管,且支撑杆上与石墨舟的前后舟脚对应的位置有绝缘隔套,绝缘隔套的作用是保证石墨舟和支撑杆绝对绝缘,确保在镀膜过程中石墨舟的舟脚无异常打火现象。
3、为了限制绝缘隔套沿支撑杆的轴向运动,通常在支撑杆位于绝缘隔套的两端设置金属卡扣。由于金属卡扣的材质为金属,在工艺放电的过程中,石墨舟的舟脚可能会与金属卡扣接触放电打火。
技术实现思路
1、本技术提供一种支撑装置和pecvd镀膜设备,用以解决现有技术中石墨舟的舟脚与金属卡扣放电打火的缺陷,实现绝缘管对绝缘隔套自限位,无需使用金属卡扣限位,防止出现舟脚与金属卡扣接触放电打火的情况的效果。
2、本技术提供一种支撑杆,包括:
3、用于将石墨舟支撑在pecvd镀膜设备的炉管内,包括:
4、绝缘管,所述绝缘管靠近两个端部的位置各设置有至少一个限位凹槽;
5、绝缘隔套,所述绝缘隔套用于穿过所述绝缘管并套设在所述限位凹槽内,所述限位凹槽用于限制所述绝缘隔套沿所述绝缘管的轴向运动,所述绝缘隔
6、根据本技术提供的支撑装置,所述绝缘管的内部还穿设有内衬杆。
7、根据本技术提供的支撑装置,当设置在靠近所述绝缘管的一端的所述限位凹槽的数量大于或等于两个时,相邻两个所述限位凹槽间隔设置。
8、根据本技术提供的支撑装置,所述绝缘隔套的厚度大于所述限位凹槽的深度。
9、根据本技术提供的支撑装置,所述内衬杆为管状或杆状结构。
10、根据本技术提供的支撑装置,所述绝缘管为绝缘材质。
11、根据本技术提供的支撑装置,所述绝缘管的材质为陶瓷或石英。
12、根据本技术提供的支撑装置,所述内衬杆为金属材质。
13、根据本技术提供的支撑装置,所述内衬杆的材质为不锈钢、碳钢或铝合金。
14、本技术还提供一种pecvd镀膜设备,包括如上所述的支撑装置。
15、本技术提供的支撑装置,用于将石墨舟稳定的支撑在pecvd镀膜设备的炉管内。本技术提供的支撑装置包括绝缘管和绝缘隔套。绝缘隔套设置在绝缘管靠近两端部的位置,且绝缘隔套用于与石墨舟的舟脚接触。在绝缘管靠近两端部的位置设置至少一个限位凹槽,绝缘隔套可穿过绝缘管,并进入限位凹槽内,限位凹槽用于限制绝缘隔套沿绝缘管的轴向运动。在安装时,绝缘管的端部穿入绝缘隔套内,当绝缘隔套到达限位凹槽的位置时,绝缘隔套进入限位凹槽内,限位凹槽限制绝缘隔套沿绝缘管的轴向运动。由于限位凹槽为在绝缘管上加工出的限位结构,无需使用金属卡扣等结构对绝缘隔套进行限位,因此当石墨舟的舟脚支撑在绝缘隔套上时,不会出现石墨舟的舟脚异常放电打火的情况。
16、进一步地,在本技术提供的pecvd镀膜设备中,由于设置有如上所述的支撑装置,因此具有与如上所述相同的优势。
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1.一种支撑装置,用于将石墨舟支撑在PECVD镀膜设备的炉管内,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的支撑装置,其特征在于,所述绝缘管(100)的内部还穿设有内衬杆(300)。
3.根据权利要求1所述的支撑装置,其特征在于,当设置在靠近所述绝缘管(100)的一端的所述限位凹槽(110)的数量大于或等于两个时,相邻两个所述限位凹槽(110)间隔设置。
4.根据权利要求1~3任一项所述的支撑装置,其特征在于,所述绝缘隔套(200)的厚度大于所述限位凹槽(110)的深度。
5.根据权利要求2所述的支撑装置,其特征在于,所述内衬杆(300)为管状或杆状结构。
6.根据权利要求2或5所述的支撑装置,其特征在于,所述绝缘管(100)为绝缘材质。
7.根据权利要求6所述的支撑装置,其特征在于,所述绝缘管(100)的材质为陶瓷或石英。
8.根据权利要求2或5所述的支撑装置,其特征在于,所述内衬杆(300)为金属材质。
9.根据权利要求8所述的支撑装置,其特征在于,所述内衬杆(300)的材质为不锈
10.一种PECVD镀膜设备,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的支撑装置。
...【技术特征摘要】
1.一种支撑装置,用于将石墨舟支撑在pecvd镀膜设备的炉管内,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的支撑装置,其特征在于,所述绝缘管(100)的内部还穿设有内衬杆(300)。
3.根据权利要求1所述的支撑装置,其特征在于,当设置在靠近所述绝缘管(100)的一端的所述限位凹槽(110)的数量大于或等于两个时,相邻两个所述限位凹槽(110)间隔设置。
4.根据权利要求1~3任一项所述的支撑装置,其特征在于,所述绝缘隔套(200)的厚度大于所述限位凹槽(110)的深度。
5.根据权利要求2所述的支撑装...
【专利技术属性】
技术研发人员:张峰,袁朗宁,赵本祥,
申请(专利权)人:三一硅能株洲有限公司,
类型:新型
国别省市:
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