【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种工艺参数调整方法、系统、生产系统、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，各方对产品生产过程中的智能化要求越来越高。
2、在半导体产品的工艺制程中，多种制程参数的调节都要依靠工程师对当前的量测数据进行人工整理分析，然后对机台相关参数进行修改，才能使产出数据更接近目标值。此操作方式使得工程师需要对大量的数据进行整理，耗时较长且存在人为的主观判断，且参数的修改工作量巨大，稍有疏忽便会出现较大失误。
技术实现思路
1、为解决上述问题，提供一种工艺参数调整方法、系统、生产系统、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种工艺参数调整方法，包括：
3、获取调整系数；
4、获取于前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及前一基底上形成的目标结构的量测数据；
5、基于所述调整系数、所述前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及所述量测数据对当前基底上形成目标结构的制程工艺参数进行自动调整。
6、本申请的工艺参数调整方法，通过前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及前一基底上形成的目标结构的量测数据，基于调整系数、前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及量测数据对当前基底上形成目标结构的制程工艺参数进行自动调整，便可以实时对当前基底上形成目标结构的制程工艺参数进行调整，可以避免较长时间不更新参数导致产品出现异常等问题，另外，对
7、在其中一个实施例中，所述获取调整系数包括：获取温度调整系数；
8、所述制程工艺参数包括制程温度；所述量测数据包括量测波长和目标波长；
9、所述基于所述调整系数、所述前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及所述量测数据对当前基底上形成目标结构的制程工艺参数进行自动调整包括：基于所述温度调整系数、前一基底上形成目标结构的制程温度、前一基底上形成的目标结构的量测波长及所述目标波长对当前基底上形成目标结构的制程温度进行自动调整。
10、在其中一个实施例中，所述基于所述温度调整系数、前一基底上形成目标结构的制程温度、前一基底上形成的目标结构的量测波长及所述目标波长对当前基底上形成目标结构的制程温度进行自动调整，包括：
11、基于所述温度调整系数、前一基底上形成目标结构的制程温度、前一基底上形成的目标结构的量测波长及所述目标波长，利用第一目标公式对当前基底上形成目标结构的制程温度进行自动调整，其中，所述第一目标公式为：
12、tn＝tn-1+kn×(wldn-1-wld0)
13、其中，tn为当前基底上形成目标结构的制程温度；tn-1为前一基底上形成目标结构的制程温度；kn为温度调整系数；wldn-1为前一基底上形成的目标结构的量测波长；wld0为目标波长；n为大于1的整数。
14、在其中一个实施例中，所述获取温度调整系数，包括：
15、设定温度参考系数，分别于m片基底上形成目标结构，m为大于1且小于n的正整数；其中，各基底上形成目标结构的制程温度均为上一基底上形成目标结构的制程温度加上所述温度参考系数的值；
16、以各基底上形成目标结构的制程温度为横坐标，以各基底上形成的目标结构的量测波长为纵坐标，建立制程温度-量测波长坐标系；
17、基于各基底上形成目标结构的制程温度及各基底上形成的目标结构的量测波长，拟合得到制程温度-量测波长的拟合曲线及所述制程温度-量测波长的拟合曲线的斜率，将所述制程温度-量测波长的拟合曲线的斜率确定为所述温度调整系数。
18、在其中一个实施例中，所述前一基底上形成目标结构的制程温度包括：于基底上形成外延结构的制程温度。
19、在其中一个实施例中，所述获取调整系数还包括：获取流量调整系数；
20、所述制程工艺参数还包括制程反应气体流量；所述量测数据包括量测翘曲度和目标翘曲度；所述基于所述调整系数、所述前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及所述量测数据对当前基底上形成目标结构的制程工艺参数进行自动调整包括：基于所述流量调整系数、前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量、前一基底上形成的目标结构的量测翘曲度及所述目标翘曲度对当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量进行自动调整。
21、在其中一个实施例中，所述基于所述流量调整系数、前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量、前一基底上形成的目标结构的量测翘曲度及所述目标翘曲度对当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量进行自动调整，包括：
22、基于所述流量调整系数、前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量、前一基底上形成的目标结构的量测翘曲度及所述目标翘曲度，利用第二目标公式对当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量进行自动调整，其中，所述第二目标公式为：
23、flown＝flown-1+αn×(devn-1-dev0)
24、其中，flown为当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量；flown-1为前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量；αn为流量调整系数；devn-1为前一基底上形成的目标结构的翘曲度；dev0为目标翘曲度；n为大于1的整数。
25、在其中一个实施例中，所述获取流量调整系数，包括：
26、设定流量参考系数，分别于m片基底上形成目标结构，m为大于1且小于n的正整数；其中，各基底上形成目标结构的制程反应气体流量均为上一基底上形成目标结构的反应气体流量加上所述流量参考系数的值；
27、以各基底上形成目标结构的制程反应气体流量为横坐标，以各基底上形成的目标结构的量测翘曲度为纵坐标，建立制程反应气体流量-量测翘曲度坐标系；
28、基于各基底上形成目标结构的制程反应气体流量及各基底上形成的目标结构的量测翘曲度，拟合得到制程反应气体流量-量测翘曲度的拟合曲线及所述制程反应气体流量-量测翘曲度的拟合曲线的斜率，将所述制程反应气体流量-量测翘曲度的拟合曲线的斜率确定为所述流量调整系数。
29、在其中一个实施例中，所述前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量包括于基底上形成外延结构的制程反应气体流量。
30、第二方面，本申请还提供一种工艺参数调整系统，包括：
31、第一获取装置，用于获取调整系数；
32、第二获取装置，用于获取前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及前一基底上形成的目标结构的量测数据；
33、处理装置，与所述第一获取装置及所述第二获取装置相连接，用于基于所述调整系数、所述前一基底上形成目标结构的制程工艺参数及所述量测数据，生成对当前基底上形成目标结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种工艺参数调整方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取调整系数包括：获取温度调整系数；
3.根据权利要求2所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述基于所述温度调整系数、前一基底上形成目标结构的制程温度、前一基底上形成的目标结构的量测波长及所述目标波长对当前基底上形成目标结构的制程温度进行自动调整，包括：
4.根据权利要求3所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取温度调整系数，包括：
5.根据权利要求2所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述前一基底上形成目标结构的制程温度包括：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取调整系数还包括：获取流量调整系数；
7.根据权利要求6所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述基于所述流量调整系数、前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量、前一基底上形成的目标结构的量测翘曲度及所述目标翘曲度对当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量进行自动调整，包括：
8.根据权利要求7所
9.根据权利要求6所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量包括：
10.一种工艺参数调整系统，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的工艺参数调整系统，其特征在于，所述调整系数包括温度调整系数；各基底上形成目标结构的制程工艺参数均包括制程温度；所述量测数据包括量测波长和目标波长；所述第一获取装置包括温度调整系数获取模块，所述温度调整系数获取模块用于获取所述温度调整系数；所述处理装置包括第一处理模块，所述第一处理模块与所述第二获取装置及所述温度调整系数获取模块相连接，用于基于所述温度调整系数、前一基底上形成目标结构的制程温度、前一基底上形成的目标结构的量测波长及所述目标波长，生成对当前基底上形成目标结构的制程温度进行自动调整的自动调节信号。
12.根据权利要求11所述的工艺参数调整系统，其特征在于，所述前一基底上形成目标结构的制程温度包括于基底上形成外延结构的制程温度。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的工艺参数调整系统，其特征在于，所述调整系数还包括获取流量调整系数，各基底上形成目标结构的制程工艺参数均还包括制程反应气体流量；所述量测数据包括量测翘曲度和目标翘曲度；所述第一获取装置还包括流量调整系数获取模块，所述流量调整系数获取模块用于获取所述流量调整系数；所述处理装置包括第二处理模块，所述第二处理模块与所述第二获取装置及所述流量调整系数获取模块相连接，用于基于所述流量调整系数、前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量、前一基底上形成的目标结构的量测翘曲度及所述目标翘曲度，生成对当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量进行自动调整的自动调节信号。
14.根据权利要求13所述的工艺参数调整系统，其特征在于，所述前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量包括于基底上形成外延结构的制程反应气体流量。
15.一种生产系统，其特征在于，包括：
16.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。
17.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。
18.一种计算机程序产品，包括计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述的方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种工艺参数调整方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取调整系数包括：获取温度调整系数；
3.根据权利要求2所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述基于所述温度调整系数、前一基底上形成目标结构的制程温度、前一基底上形成的目标结构的量测波长及所述目标波长对当前基底上形成目标结构的制程温度进行自动调整，包括：
4.根据权利要求3所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取温度调整系数，包括：
5.根据权利要求2所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述前一基底上形成目标结构的制程温度包括：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取调整系数还包括：获取流量调整系数；
7.根据权利要求6所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述基于所述流量调整系数、前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量、前一基底上形成的目标结构的量测翘曲度及所述目标翘曲度对当前基底上形成目标结构的制程反应气体流量进行自动调整，包括：
8.根据权利要求7所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述获取流量调整系数，包括：
9.根据权利要求6所述的工艺参数调整方法，其特征在于，所述前一基底上形成目标结构的制程反应气体流量包括：
10.一种工艺参数调整系统，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的工艺参数调整系统，其特征在于，所述调整系数包括温度调整系数；各基底上形成目标结构的制程工艺参数均包括制程温度；所述量测数据包括量测波长和目标波长；所述第一获取装置包括温度调整系数获取模块，所述温度调整系数获取模块用于获取所述温度调整系数；所述处理装置包括第一处理模块，所述第一处理模块与所述第二获取装置及所述温度调整系数获取模块相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：荀利凯，唐毓英，刘勇兴，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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