一种碳化硅刻蚀设备的机台构造制造技术

本实用新型专利技术提供了一种碳化硅刻蚀设备的机台构造，包括：供气箱，所述供气箱的一侧固定安装有两个刻蚀箱，所述刻蚀箱的一侧开设有置入口，所述刻蚀箱的一侧固定安装有密封条，所述供气箱的顶面固定安装有密封条；刻蚀组件，所述刻蚀组件设置在所述刻蚀箱的内部，用于对晶片进行刻蚀，通过连接管向供气箱内部冲入刻蚀所需的惰性气体，并通过气压传感器与气体浓度传感器对供气箱的各部分气压与混合浓度进行检测，保证各点气压与浓度保持恒定，随后通过将晶片置于静电卡盘并固定，随后通过打开流量电磁阀并控制流速保持恒定，此时启动电极片进行刻蚀，在刻蚀时保证惰性气体的气压流速与浓度供应的精准度，保证了刻蚀精度

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅刻蚀设备的机台构造


[0001]本技术涉及晶片刻蚀领域，尤其涉及一种碳化硅刻蚀设备的机台构造
。

技术介绍

[0002]刻蚀技术，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术
。
[0003]例如根据公开号为
CN218004797U
的中国专利，一种刻蚀机台，所述刻蚀机台包括：工作腔室；窗口，设置在所述工作腔室的侧壁上，与所述工作腔室的侧壁密封连接，其中所述窗口包括抗污层，且所述抗污层设置在所述窗口靠近所述工作腔室的一侧；以及检测机构，设置在所述窗口远离所述工作腔室的一侧，且所述检测机构的一端延伸至所述窗口
。
通过本技术提供的一种刻蚀机台，提高刻蚀准确率
。
[0004]但是上述方案仍存在不足：该装置没有对惰性气体的输入流速与浓度进行严格把控，这就导致在进行刻蚀时可能会因为晶片的每个区域的惰性气体的含量不同，从而影响大蚀刻的精度
。

技术实现思路

[0005]本技术旨在提供一种克服上述问题或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种碳化硅刻蚀设备的机台构造，其特征在于，包括：供气箱
(1)
，所述供气箱
(1)
的一侧固定安装有两个刻蚀箱
(2)
，所述刻蚀箱
(2)
的一侧开设有置入口
(13)
，所述刻蚀箱
(2)
的一侧固定安装有密封条，所述供气箱
(1)
的顶面固定安装有密封条，所述供气箱
(1)
的顶面螺纹连接有顶盖
(3)
，所述供气箱
(1)
的一侧固定安装有连接管
(4)
，所述连接管
(4)
的一端固定安装有阀门；刻蚀组件，所述刻蚀组件设置在所述刻蚀箱
(2)
的内部，用于对晶片进行刻蚀
。2.
根据权利要求1所述的一种碳化硅刻蚀设备的机台构造，其特征在于，所述刻蚀组件包括：两个支撑杆
(5)
，两个所述支撑杆
(5)
分别固定安装在两个所述刻蚀箱
(2)
的内部底面，所述支撑杆
(5)
的顶面固定安装有静电卡盘
(6)
，两个所述刻蚀箱
(2)
内部的顶面固定安装有电极片
(7)
，所述顶盖
(3)
的顶面固定安装有两个第一连通管
(8)
，所述第一连通管
(8)
与所述供气箱
(1)
的内部相连通，所述第一连通管
(8)
的一端固定安装有流量电磁阀
(9)
，所述流量电磁阀
(9)
的一端固定安装有第二连通管
(10)
，两个所述第二连通管
(10)
的一端分别与两个所述刻蚀箱
(2)
的一侧固...

【专利技术属性】
技术研发人员：靳国亮，周伟芳，
申请(专利权)人：长三角一体化示范区浙江嘉善嘉芯半导体设备科技有限公司，
类型：新型
国别省市：