一种高温真空烘烤炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种高温真空烘烤炉，其特征是由内腔室和围绕内腔室的外腔室构成。内腔室包括内筒、加热棒、载物台、热电偶，用来获取１２００～１６００℃高温；外腔室包括外筒、换热器、进出气口、气缸、真空计，具有中空夹层的不锈钢外筒对整个腔室起真空密封和水冷作用，外腔室后端的换热器加速降温过程通入的冷却气体氮气在内外腔室的流通。根据本实用新型专利技术的高温真空烘烤炉烘烤温度高、升降温速度快、本底真空高，有效克服用ＭＯＣＶＤ外延炉原位烘烤衬底托盘存在耗时、烘烤不彻底及污染系统等问题，可用于大尺寸和多个衬底托盘烘烤，有效提高外延片材料生产效率和成品率。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种烘烤炉，特别是指一种高温真空烘烤炉。
技术介绍
在通常的利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延炉进行外延片材料的生产 过程中，每次生产之前，需要在高真空下对承载衬底基片的石墨衬底托盘进行高温烘烤清 洗，以去除上次生产过程沉积在衬底托盘上的外延材料和沾污的杂质，否则会对本次的外 延材料生长质量产生影响。如果在MOCVD外延炉的反应室内进行炉内原位烘烤，每次至少 会浪费1至4小时的生产时间，而且烘烤过程产生的副产物和杂质残留在反应室内还会对 本次外延片材料生长质量产生影响，进而造成产品次品率的提升。理想情况是在MOCVD外 延炉的反应室外进行衬底托盘的高温真空烘烤清洗。据测算对于每天生产4到5炉GaN 基LED外延片材料的MOCVD外延炉，如进行MOCVD外延炉外的衬底托盘烘烤，每天则可多生 产1到2炉，生产效率将会提高20%到30%，而且还会保证产品的成品率。可见采用MOCVD 外延炉衬底托盘的炉外烘烤对于提高外延片材料的生产产能和效率具有非常重要的意义。 国内外的外延片材料生产厂家和科研机构已开始关注在外延片材料生产过程中使用增设 的烘烤炉进行衬底托盘的高温烘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高温真空烘烤炉，其特征在于：由内腔室和围绕内腔室的外腔室构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施建江，刘祥林，张晓沛，杨少延，
申请(专利权)人：杭州海鲸光电科技有限公司，施建江，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]