【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种应用于电源领域的电流源装置，尤其是涉及一种可调电流大小的 电流源装置。
技术介绍
在模拟集成电路芯片的电源设计领域，为了使模拟集成电路芯片的应用范围更加广泛，经常会将内部的一些电流源设计成可改变的，由模拟集成电路芯片的应用者根据自 身需要通过改变外接电阻来对电流源的电流大小进行调节，通常采用的方法是先用一个带 隙基准产生一个稳定的电平，然后利用一个运算放大器作为一个跟随器，跟随这个稳定的 电平，再调节外接电阻，就可以实现一个可调电流大小的电流源。图1给出了典型的可调电流大小的电流源装置的电路图，其包括固定电压提供电 路VDC、运算放大器OPl、PMOS晶体管Pl、NMOS晶体管Ml及外接电阻Rl，固定电压提供电 路VDC与运算放大器OPl的正输入端相连接，为运算放大器OPl提供一个稳定的固定电压 Vref，运算放大器OPl的负输入端与外接电阻Rl的第一端相连接，外接电阻Rl的第二端接 电源地GND，运算放大器OPl的输出端与NMOS晶体管Ml的栅极相连接，NMOS晶体管Ml的 源极与外接电阻Rl的第一端相连接，NMOS晶体管Ml的漏极与PMOS...
【技术保护点】
一种可调电流大小的电流源装置，其特征在于包括电流提供／限制电路、固定电压提供电路、ＰＭＯＳ晶体管、第一三极管、第二三极管和外接电阻，所述的电流提供／限制电路具有第一连接端和第二连接端，所述的固定电压提供电路具有第三连接端和第四连接端，所述的电流提供／限制电路的第一连接端接电源电压，所述的电流提供／限制电路的第二连接端与所述的第一三极管的集电极相连接，所述的第一三极管的发射极与所述的固定电压提供电路的第三连接端相连接，所述的第一三极管的基极分别与所述的第一三极管的集电极和所述的第二三极管的基极相连接，所述的第二三极管的集电极与所述的ＰＭＯＳ晶体管的漏极相连接，所述的ＰＭＯＳ晶...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙腾达，
申请(专利权)人：日银IMP微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]
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