本实用新型专利技术公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电流源电路。
技术介绍
设计了一种电流源电路。
技术实现思路
本技术旨在提供一种电流源电路。电流源电路，包括第一电阻、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管:所述第一电阻的一端接地，另一端接所述第一 NMOS管的源极；所述第一 NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的源极，漏极接所述第三NMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端；所述第二 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四NMOS管的源极和所述第一NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第一 NMOS管的漏极；所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的栅极；所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ； 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ;所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。所述第一电阻两端的电压为所述第二 NMOS管的阈值电压，所述第一电阻上的电流为所述第二 NMOS管的阈值电压除以所述第一电阻的电阻值，该电流再通过所述第二PMOS管镜像给所述第一 PMOS管和所述第三PMOS管，从所述第三PMOS管的漏极输出电流1UT0【附图说明】图1为本技术的电流源电路的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。电流源电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一 NMOS管102、第二 NMOS管103、第三NMOS 管 104、第四 NMOS 管 105、第一 PMOS 管 106、第二 PMOS 管 107 和第三 PMOS 管 108:所述第一电阻101的一端接地，另一端接所述第一 NMOS管102的源极；所述第一 NMOS管102的栅极接所述第二 NMOS管103的栅极和漏极和所述第四NMOS管105的源极，漏极接所述第三NMOS管104的源极，源极接所述第一电阻101的一端；所述第二 NMOS管103的栅极和漏极接在一起再接所述第四NMOS管105的源极和所述第一 NMOS管102的栅极，源极接地；所述第三NMOS管104的栅极接所述第一 PMOS管106的漏极和所述第四NMOS管105的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第三PMOS管108的栅极，源极接所述第一 NMOS管102的漏极；所述第四NMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管106的漏极和所述第三NMOS管104的栅极，源极接所述第二 NMOS管103的栅极和漏极和所述第一 NMOS管102的栅极；所述第一 PMOS管106的栅极接所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第三PMOS管108的栅极和所述第三NMOS管104的漏极，漏极接所述第四NMOS管105的栅极和漏极和所述第三NMOS管104的栅极，源极接电源电压VCC ;所述第二 PMOS管107的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第三PMOS管108的栅极和所述第三NMOS管104的漏极，源极接电源电压VCC ;所述第三PMOS管108的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第三NMOS管104的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。所述第一电阻101两端的电压为所述第二 NMOS管103的阈值电压，所述第一电阻101上的电流为所述第二 NMOS管103的阈值电压除以所述第一电阻101的电阻值，该电流再通过所述第二 PMOS管107镜像给所述第一 PMOS管106和所述第三PMOS管108，从所述第三PMOS管108的漏极输出电流1UT。【主权项】1.电流源电路，其特征在于:包括第一电阻、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管； 所述第一电阻的一端接地，另一端接所述第一 NMOS管的源极； 所述第一 NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的源极，漏极接所述第三NMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端； 所述第二 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四NMOS管的源极和所述第一 NMOS管的栅极，源极接地； 所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第一 NMOS管的漏极； 所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的栅极； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ； 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ; 所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。【专利摘要】本技术公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管。【IPC分类】G05F1/56【公开号】CN204808087【申请号】CN201520489428【专利技术人】齐盛 【申请人】杭州宽福科技有限公司【公开日】2015年11月25日【申请日】2015年7月3日本文档来自技高网...
【技术保护点】
电流源电路，其特征在于：包括第一电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；所述第一电阻的一端接地，另一端接所述第一NMOS管的源极；所述第一NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的源极，漏极接所述第三NMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第四NMOS管的源极和所述第一NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极，源极接所述第一NMOS管的漏极；所述第四NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，漏极接所述第四NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端IOUT，源极接电源电压VCC。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：齐盛，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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