一种电流源电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电流源电路。
技术介绍
设计了一种电流源电路。
技术实现思路
本技术旨在提供一种电流源电路。一种电流源电路，包括第一电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管:所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 PMOS管的源极；所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的源极，漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端；所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的源极，源极接电源电压VCC ;所述第三PMOS管的的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一 PMOS管的漏极；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极；所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接地。所述第一电阻两端的电压为所述第二 PMOS管的阈值电压，所述第一电阻上的电流为所述第二 PMOS管的阈值电压除以所述第一电阻的电阻值，该电流再通过所述第一NMOS管镜像给所述第二 NMOS管和所述第三NMOS管，从所述第三NMOS管的漏极输出电流1UT0【附图说明】图1为本技术的一种电流源电路的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种电流源电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一 PMOS管102、第二 PMOS管103、第三PMOS管104、第四PMOS管105、第一 NMOS管106、第二 NMOS管107和第三NMOS管108:所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 PMOS管102的源极；所述第一 PMOS管102的栅极接所述第二 PMOS管103的栅极和漏极和所述第四PMOS管105的源极，漏极接所述第三PMOS管104的源极，源极接所述第一电阻101的一端；所述第二 PMOS管103的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管102的栅极和所述第四PMOS管105的源极，源极接电源电压VCC ;所述第三PMOS管104的的栅极接所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极和所述第三NMOS管108的栅极，源极接所述第一 PMOS管102的漏极；所述第四PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管104的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，源极接所述第一 PMOS管102的栅极和所述第二 PMOS管103的栅极和漏极；所述第一 NMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管104的漏极和所述第二 NMOS管107的栅极和所述第三NMOS管108的栅极，源极接地；所述第二 NMOS管107的栅极接所述第三PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第三NMOS管108的栅极，漏极接所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极，源极接地；所述第三NMOS管108的栅极接所述第三PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接地。所述第一电阻101两端的电压为所述第二 PMOS管103的阈值电压，所述第一电阻101上的电流为所述第二 PMOS管103的阈值电压除以所述第一电阻101的电阻值，该电流再通过所述第一 NMOS管106镜像给所述第二 NMOS管107和所述第三NMOS管108，从所述第三NMOS管108的漏极输出电流1UT。【主权项】1.一种电流源电路，其特征在于:包括第一电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管； 所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 PMOS管的源极； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的源极，漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端； 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的源极，源极接电源电压VCC ; 所述第三PMOS管的的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一 PMOS管的漏极； 所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极； 所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地； 所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，源极接地； 所述第三NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接地。【专利摘要】本技术公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。【IPC分类】G05F1/56【公开号】CN204808090【申请号】CN201520489467【专利技术人】陶霞菲 【申请人】杭州宽福科技有限公司【公开日】2015年11月25日【申请日】2015年7月3日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流源电路，其特征在于：包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一PMOS管的源极；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的源极，漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极，漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极；所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端IOUT，源极接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陶霞菲，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33