【技术实现步骤摘要】
半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2022年6月23日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10
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2022
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0076930的优先权，其公开内容整体以引用方式并入本文中。
[0003]本公开的一些示例实施例涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。
技术介绍
[0004]各种应用期望有一种能够在需要数据存储的数据存储系统中存储高容量数据的半导体装置。因此，已研究了用于增加半导体装置的数据存储容量的方法。
技术实现思路
[0005]本公开的一些示例实施例提供了一种具有改进的可靠性的半导体装置。
[0006]本公开的一些示例实施例提供了一种包括具有改进的可靠性的半导体装置的数据存储系统。
[0007]根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：第一半导体结构，其包括衬底、衬底上的电路器件、电路器件上的下互连线以及覆盖下互连线的外围区域绝缘层；以及在第一半导体结构上的第二半...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：第一半导体结构，其包括衬底、在所述衬底上的电路器件、在所述电路器件上的下互连线以及覆盖所述下互连线的外围区域绝缘层；以及第二半导体结构，其在所述第一半导体结构上，具有第一区域和第二区域，并且包括源极结构，栅电极，其在所述源极结构上在垂直于所述源极结构的上表面的第一方向上堆叠并彼此间隔开，沟道结构，在所述第一区域中穿透所述栅电极，所述沟道结构在所述第一方向上延伸，并且所述沟道结构中的每一个包括沟道层，接触插塞，其在所述第二区域中在所述第一方向上延伸，所述接触插塞穿透所述栅电极和所述源极结构，并且所述接触插塞连接到所述下互连线的一部分，以及间隔物层，其在所述接触插塞和所述源极结构之间，其中，所述间隔物层包括与所述外围区域绝缘层的材料不同的材料，其中，所述接触插塞中的每一个包括在所述源极结构上的第一部分、由所述间隔物层围绕的第二部分以及在所述第二部分下方的第三部分，并且其中，所述第一部分具有第一宽度，所述第二部分具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第三部分具有大于所述第二宽度的第三宽度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三宽度大于所述第一宽度。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔物层的下表面在比所述源极结构的下表面的水平低的水平上。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔物层中的每一个在上表面上的宽度小于在底表面上的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔物层中的每一个具有100nm至250nm的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔物层包括碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅和碳氧氮化硅中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触插塞中的每一个包括所述第二部分的侧表面，并且所述接触插塞中的每一个的第二部分的侧表面具有不均匀的斜度。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述接触插塞中的每一个中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分被包括在单层中。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔物层延伸到所述源极结构的上表面并且所述间隔物层覆盖所述源极结构的上表面。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述间隔物层的上端在与所述源极结构的上表面的水平相同的水平上或低于所述源极结构的上表面的水平上。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构还包括在所述第一方向上在所述源极结构的外侧延伸的通孔件，并且所述通孔件连接到所述下互连线之一，并且其中，所述通孔件在与所述接触插塞的水平相同的水平上，并且所述通孔件具有与所述接触插塞的形状不同的形状。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构还包括覆盖所述源极结构的外侧表面的外侧绝缘层，所述外侧绝缘层延伸到所述外围区域绝缘层的上表面，并且所述外侧绝缘层包括与所述间隔物层的材料相同的材料，并且其中，所述通孔件穿透所述外侧绝缘层。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二半导体结构还包括在所述第一方向上从所述源极结构的下表面延伸的地过...
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