半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本实施方式涉及的半导体装置具备层叠体、半导体层、第1绝缘膜、第1电荷蓄积膜、第2电荷蓄积膜以及第2绝缘膜。层叠体在第1方向上交替地层叠有电极层和绝缘层。半导体层沿着第1方向配置在层叠体内。第1绝缘膜配置在层叠体与半导体层之间。第1电荷蓄积膜配置在层叠体与第1绝缘膜之间。第2电荷蓄积膜配置为从第1电荷蓄积膜朝向电极层在与第1方向交叉的第2方向上突出。第1电荷蓄积膜和第2电荷蓄积膜的第2方向上的厚度之和比第1电荷蓄积膜的第2方向上的厚度大。第2绝缘膜配置在电极层与第2电荷蓄积膜之间。第2电荷蓄积膜的第1方向上的宽度比电极层的第1方向上的宽度大。比电极层的第1方向上的宽度大。比电极层的第1方向上的宽度大。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]本申请以2022年6月21日申请的在先的日本国特许申请第2022
‑
99939号的优先权的利益为基础，并且，要求该利益，其内容整体通过引用而包含于此。


[0002]本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0003]作为半导体装置，已知以三维的方式配置了存储单元而形成的NAND闪速存储器。在该NAND闪速存储器中，在交替地层叠多个电极层和绝缘层而形成的层叠体设置有将该层叠体贯通的存储孔。通过在该存储孔内设置电荷蓄积层和半导体层，形成串联连接了多个存储单元的存储串。通过对保持于电荷蓄积层的电荷量进行控制，从而在存储单元存储数据。

技术实现思路

[0004]一个实施方式提供能够使写入特性提高的半导体装置及其制造方法。
[0005]本实施方式涉及的半导体装置具备层叠体、半导体层、第1绝缘膜、第1电荷蓄积膜、第2电荷蓄积膜以及第2绝缘膜。层叠体在第1方向上交替地层叠有电极层和绝缘层。半导体层沿着第1方向配置在层叠体内。第1绝缘膜配置在层叠体与半导体层之间。第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，具备：层叠体，其通过在第1方向上交替地层叠电极层和绝缘层而形成；半导体层，其沿着所述第1方向配置在所述层叠体内；第1绝缘膜，其配置在所述层叠体与所述半导体层之间；第1电荷蓄积膜，其配置在所述层叠体与所述第1绝缘膜之间；第2电荷蓄积膜，其配置为从所述第1电荷蓄积膜朝向所述电极层在与所述第1方向交叉的第2方向上突出；以及第2绝缘膜，其配置在所述电极层与所述第2电荷蓄积膜之间，所述第1电荷蓄积膜和所述第2电荷蓄积膜的所述第2方向上的厚度之和比所述第1电荷蓄积膜的所述第2方向上的厚度大，所述第2电荷蓄积膜的所述第1方向上的宽度比所述电极层的所述第1方向上的宽度大。2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述第1电荷蓄积膜的与所述半导体层相对向的面为平坦。3.根据权利要求1所述的半导体装置，所述第2电荷蓄积膜中的所述电极层侧的表面与所述第1电荷蓄积膜大致平行的部分的所述第1方向上的宽度比所述电极层的所述第1方向上的宽度大。4.根据权利要求3所述的半导体装置，所述第2电荷蓄积膜中的所述电极层侧的表面与所述第1电荷蓄积膜大致平行的部分的所述第1方向上的宽度相对于所对应的所述电极层的所述第1方向上的宽度，在一侧大2nm以上，在另一侧大2nm以上。5.根据权利要求1所述的半导体装置，还具备配置在所述绝缘层与所述第1电荷蓄积膜之间的第3绝缘膜，所述第3绝缘膜的所述第1方向上的宽度比所述绝缘层的所述第1方向上的宽度小。6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述绝缘层至少在与所述电极层相对向的面具有第1预定值以上的浓度的杂质。7.根据权利要求6所述的半导体装置，所述第1预定值为1
×
10
20
cm

【专利技术属性】
技术研发人员：矶贝达典，相宗史记，野口将希，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：