硅片热处理承载件制造技术

本申请涉及一种硅片热处理承载件

【技术实现步骤摘要】
硅片热处理承载件


[0001]本申请涉及集成电路生产制造
，特别是涉及硅片热处理承载件
。

技术介绍

[0002]光刻的套刻精度是衡量光刻工艺的关键参数之一，它是指硅片上下两层图形之间的偏移量，套刻精度的好坏将直接影响最终产品的性能
。
其中影响套刻精度的因素包括快速热处理工艺
。
[0003]目前快速热处理工艺是将硅片设置于热处理装置内的反应腔中，当热处理装置处于工作状态时，反应腔内的温度高且升温快，在反应腔中承载硅片的承接件为中空环状结构，承载件边缘与硅片边缘的接触为面接触，二者的热传递量大，导致硅片边缘温度与硅片中心温度相差较大，从而使得整个硅片温度不均匀并产生热应力，硅片容易产生畸变，进而影响后续光刻制程的套刻精度
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对目前承载件与硅片面接触导致硅片受热不均容易产生畸变，从而影响后续光刻制程的套刻精度的问题，提供一种硅片热处理承载件
。
[0005]一种硅片热处理承载件，其特征在于，所述硅片热处理承载件包括底板
、
侧围壁及承载环，其中：
[0006]所述侧围壁与所述底板相连接并形成第一空腔；
[0007]所述承载环设置于所述底板上，且位于所述第一空腔内，其具有环状底壁及分别设置于所述环状底壁左右两侧的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁背离所述底壁的端部与所述第二侧壁背离所述底壁的端部相连接并形成朝上的尖端，所述尖端与硅片抵接并用于承载所述硅片
。
[0008]在其中一个实施例中，所述承载环的横截面形状为三角形
。
[0009]在其中一个实施例中，所述承载环的横截面形状为五边形
。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一侧壁背离所述底壁的端部与所述第二侧壁背离所述底壁的端部对接形成所述承载环的圆弧形外轮廓，所述圆弧的最高点与所述硅片抵接
。
[0011]在其中一个实施例中，所述承载环背离所述底板的一侧开设有多个间隔设置的凹槽
。
[0012]在其中一个实施例中，多个所述凹槽等间隔分布于所述承载环
。
[0013]在其中一个实施例中，所述凹槽的槽底为水平面
。
[0014]在其中一个实施例中，每个所述凹槽的槽壁的外轮廓在所述底板上的正投影为第一直线
。
[0015]在其中一个实施例中，所述凹槽沿所述承载环的高度方向及宽度方向贯穿所述承载环，所述第一直线的延长线经过所述承载环的中心
。
[0016]在其中一个实施例中，每个所述凹槽的槽壁的外轮廓在所述底板上的正投影为弧
形线段
。
[0017]上述硅片热处理承载件，通过在承载件的底板上设置承载环，承载环具有承载硅片的尖端，使得硅片与承载环之间为线接触，相对于现有技术中将硅片直接放置于环状承载件中导致承载件与硅片边缘之间进行面接触而言，本申请二者之间的线接触减少了承载件与硅片的热传递量，硅片边缘温度与硅片中心温度的差距减小，整个硅片的受热均匀使得硅片的畸变现象得到改善，提高了后续光刻制程的套刻精度
。
附图说明
[0018]图1为本申请提供的一种硅片热处理承载件的剖视图
。
[0019]图2为图1中的承载环结构示意图
。
[0020]图3为本申请提供的另一种硅片热处理承载件的剖视图
。
[0021]图4为本申请提供的第三种硅片热处理承载件的剖视图
。
[0022]图5为本申请提供的硅片热处理承载件的俯视图
。
[0023]图6为图5中
A
处的结构放大示意图
。
[0024]图7为本申请提供的另一种硅片热处理承载件的俯视图
。
[0025]图8为图7中
B
处的结构放大示意图
。
[0026]其中：
[0027]10、
硅片热处理承载件；
20、
硅片；
[0028]100、
底板；
110、
第一通孔；
[0029]200、
侧围壁；
[0030]300、
承载环；
310、
环状底壁；
320、
第一侧壁；
330、
第二侧壁；
340、
凹槽；
[0031]400、
第一空腔
。
具体实施方式
[0032]为使本申请的上述目的
、
特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明
。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请
。
但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制
。
[0033]在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制
。
[0034]此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征
。
在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定
。
[0035]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、
“
固定”等，这些术语应做广义理解
。
例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义
。
[0036]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触
。
而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅片热处理承载件，其特征在于，所述硅片热处理承载件包括底板
、
侧围壁及承载环，其中：所述侧围壁与所述底板相连接并形成第一空腔；所述承载环设置于所述底板上，且位于所述第一空腔内，其具有环状底壁及分别设置于所述环状底壁左右两侧的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁背离所述底壁的端部与所述第二侧壁背离所述底壁的端部相连接并形成朝上的尖端，所述尖端与硅片抵接并用于承载所述硅片
。2.
根据权利要求1所述的硅片热处理承载件，其特征在于，所述承载环的横截面形状为三角形
。3.
根据权利要求1所述的硅片热处理承载件，其特征在于，所述承载环的横截面形状为五边形
。4.
根据权利要求1所述的硅片热处理承载件，其特征在于，所述第一侧壁背离所述底壁的端部与所述第二侧壁背离所述底壁的端部对接形成所述承载环的圆弧形外轮廓，所述圆弧的最高点与所述硅片抵接

【专利技术属性】
技术研发人员：张婷，胡慕，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：