【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。属于半导 体封装
技术介绍
传统的引线框结构,详细如下说明采用金属基板的正面进行化学蚀刻及表面电镀层后,即完成引线框的制作(如图 14所示)。而引线框的背面则在封装过程中再进行背面蚀刻。而上述的引线框在封装过程中存在了以下的不足点此种的引线框架结构在金属基板正面进行了半蚀刻工艺,因为只在金属基板正面 进行了半蚀刻工作,而在塑封过程中塑封料只有包覆住半只脚的高度,所以塑封体与金属 脚的束缚能力就变小了,如果塑封体贴片到PCB板上不是很好时,再进行返工重贴,就容易 产生掉脚的问题(如图15所示)。尤其塑封料的种类是采用有填料时候,因为材料在生产过程的环境与后续表面贴 装的应力变化关系,会造成金属与塑封料产生垂直型的裂缝,其特性是填料比例越高则越 硬越脆越容易产生裂缝。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足,提供一种塑封体与金属脚的束缚能力大的下沉 基岛及埋入型基岛引线框结构及其先刻后镀方法。本专利技术的目的是这样实现的一种下沉基岛及埋入型基岛引线框结构,包括基岛 和引脚,所述基岛有二组,一组为第一基岛,另一组为第二基岛,所述第一基 ...
【技术保护点】
一种下沉基岛及埋入型基岛引线框结构,包括基岛(1)和引脚(2),其特征在于:所述基岛(1)有二组,一组为第一基岛(1.1),另一组为第二基岛(1.2),所述第一基岛(1.1)正面中央区域下沉,在所述第二基岛(1.2)和引脚(2)的正面设置有第一金属层(4),在所述第一基岛(1.1)和引脚(2)的背面设置有第二金属层(5),在引脚(2)外围的区域、引脚(2)与第一基岛(1.1)之间的区域、第一基岛(1.1)与第二基岛(1.2)之间的区域、第二基岛(1.2)背面、第二基岛(1.2)与引脚(2)之间的区域以及引脚(2)与引脚(2)之间的区域嵌置有无填料的塑封料(3),所述无填料的 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王新潮,梁志忠,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:32[中国|江苏]
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