发光器件、显示装置、显示模块、电子设备制造方法及图纸

提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖发光器件、显示装置、显示模块、电子设备。一种包括第一反射膜、第一至第四层以及第一电极的发光器件。其中，第一电极与第一反射膜重叠。第四层位于第一电极与第一反射膜间并包含发射光谱在第一波长处具有峰的第一发光性材料。第三层位于第四层与第一反射膜间并包含具有1.45至1.75的寻常光折射率的有机化合物。第二层位于第三层与第一反射膜间，对具有第一波长的光具有透光性，包括第二电极，并且包含5原子％以上的原子序数为21至83的元素。第一层位于第二层与第一反射膜间，对具有第一波长的光具有透光性，并且包含95原子％以上的原子序数为1至20的元素。第一反射膜反射具有第一波长的光。的光。的光。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、显示装置、显示模块、电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种发光器件、显示装置、显示模块、电子设备或半导体装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]例如，已知包括第一像素的用作电光装置的有机EL装置的结构(专利文献1)。第一像素包括发光像素R、发光像素G及发光像素B。另外，发光像素R、发光像素G及发光像素B都包括反射层、对置电极、光程长调整层及功能层，对置电极被用作半透射半反射层，在各发光像素中，光程长调整层及功能层设置在反射层与对置电极间。另外，发光像素R的光程长调整层包括第三绝缘层及第四绝缘层，发光像素G的光程长调整层包括用作亮度调整层的第四绝缘层，发光像素B的光程长调整层不包括第三绝缘层。
[0004][专利文献1]日本专利申请公开第2019
‑
135724号公报

技术实现思路

[0005]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖发光器件。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示模块。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖电子设备。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖发光器件、新颖显示装置、新颖显示模块、新颖电子设备或新颖半导体装置。
[0006]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。
[0007](1)本专利技术的一个方式是一种发光器件，包括：第一反射膜；第一层；第二层；第三层；第四层；以及第一电极。
[0008]第一电极与第一反射膜重叠，第四层位于第一电极与第一反射膜间，第四层包含第一发光性材料，第一发光性材料的发射光谱在第一波长处具有峰。
[0009]第三层位于第四层与第一反射膜间，第三层包含有机化合物，该有机化合物在450nm以上且650nm以下的任意波长处具有1.45以上且1.75以下的寻常光折射率。
[0010]第二层位于第三层与第一反射膜间，第二层对具有第一波长的光具有透光性，第
二层包括第二电极，第二层包含5原子％以上的原子序数为21至83的元素。
[0011]第一层位于第二层与第一反射膜间，第一层对具有第一波长的光具有透光性，第一层包含95原子％以上的原子序数为1至20的元素。
[0012]第一反射膜反射具有第一波长的光。
[0013](2)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第二层在第一波长处具有高于第三层的寻常光折射率，并且第二层与第三层在第一波长下的寻常光折射率之差为0.2以上且1.5以下。
[0014](3)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一层在第一波长处具有低于第二层的寻常光折射率，并且第一层与第二层在第一波长下的寻常光折射率之差为0.2以上且1.8以下。
[0015](4)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一层在第一波长处具有1.20以上且1.70以下的寻常光折射率，并且第一层具有绝缘性。
[0016](5)另外，本专利技术的一个方式是一种发光器件，包括：第一反射膜；第一层；第二层；第三层；第四层；以及第一电极。
[0017]第一电极与第一反射膜重叠，第四层位于第一电极与第一反射膜间，第四层包含第一发光性材料，第一发光性材料的发射光谱在第一波长处具有峰。
[0018]第三层位于第四层与第一反射膜间，第三层包含有机化合物，该有机化合物以相对于分子内的总碳原子数23％以上且55％以下的比率包含以sp3杂化轨道形成键合的碳。
[0019]第二层位于第三层与第一反射膜间，第二层对具有第一波长的光具有透光性，第二层包括第二电极，第二层包含5原子％以上的原子序数为21至83的元素。
[0020]第一层位于第二层与第一反射膜间，第一层对具有第一波长的光具有透光性，第一层包含95原子％以上的原子序数为1至20的元素。
[0021]第一反射膜反射具有第一波长的光。
[0022](6)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第二层包含金属氧化物，并且金属氧化物包含铟、锡、锌、镓或钛。
[0023](7)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一层包含氧化硅或氧化铝。
[0024](8)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一反射膜具有导电性，并且第一反射膜与第二电极电连接。
[0025](9)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一反射膜包含银或铝。
[0026](10)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一电极对具有第一波长的光具有透光性。
[0027](11)另外，本专利技术的一个方式是上述发光器件，其中第一电极包含银、镁、铝、铟、锡、锌、镓或钛。
[0028](12)另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：第一发光器件；以及第二发光器件。
[0029]第一发光器件具有上述结构。
[0030]第二发光器件与第一发光器件相邻，第二发光器件包括：第二反射膜；第五层；第六层；第七层；第八层；以及第三电极。
[0031]第三电极与第二反射膜重叠。
[0032]第八层位于第三电极与第二反射膜间，第八层包含第二发光性材料，第二发光性材料的发射光谱在第二波长处具有峰，第二波长比第一波长长。
[0033]第七层位于第八层与第二反射膜间，第七层包含有机化合物，该有机化合物在450nm以上且650nm以下的任意波长处具有1.45以上且1.75以下的寻常光折射率。
[0034]第六层包含与第二层相同的材料，第六层位于第三电极与第二反射膜间，第六层对具有第二波长的光具有透光性，第六层包括第四电极。
[0035]第五层包含与第一层相同的材料，第五层位于第六层与第二反射膜间，第五层对具有第二波长的光具有透光性。
[0036]第二反射膜与第一反射膜相邻，第二反射膜反射具有第二波长的光。
[0037](13)另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：第一发光器件；以及第二发光器件。
[0038]第一发光器件具有上述结构。
[0039]第二发光器件与第一发光器件相邻，第二发光器件包括：第二反射膜；第五层；第六层；第七本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：第一反射膜；第一层；第二层；第三层；第四层；以及第一电极，其中，所述第一电极与所述第一反射膜重叠，所述第四层位于所述第一电极与所述第一反射膜间，所述第四层包含第一发光性材料，所述第一发光性材料的发射光谱在第一波长处具有峰，所述第三层位于所述第四层与所述第一反射膜间，所述第三层包含有机化合物，所述有机化合物在450nm以上且650nm以下的范围中的任意波长处具有1.45以上且1.75以下的寻常光折射率，所述第二层位于所述第三层与所述第一反射膜间，所述第二层对具有所述第一波长的光具有透光性，所述第二层包括第二电极，所述第二层包含5原子％以上的原子序数为21至83的元素，所述第一层位于所述第二层与所述第一反射膜间，所述第一层对具有所述第一波长的光具有透光性，所述第一层包含95原子％以上的原子序数为1至20的元素，并且，所述第一反射膜反射具有所述第一波长的光。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层在所述第一波长处具有高于所述第三层的寻常光折射率，并且所述第二层与所述第三层在所述第一波长下的寻常光折射率之差为0.2以上且1.5以下。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层在所述第一波长处具有低于所述第二层的寻常光折射率，并且所述第一层与所述第二层在所述第一波长下的寻常光折射率之差为0.2以上且1.8以下。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层在所述第一波长处具有1.20以上且1.70以下的寻常光折射率，并且所述第一层具有绝缘性。5.一种发光器件，包括：第一反射膜；第一层；第二层；第三层；
第四层；以及第一电极，其中，所述第一电极与所述第一反射膜重叠，所述第四层位于所述第一电极与所述第一反射膜间，所述第四层包含第一发光性材料，所述第一发光性材料的发射光谱在第一波长处具有峰，所述第三层位于所述第四层与所述第一反射膜间，所述第三层包含有机化合物，所述有机化合物以相对于分子内的总碳原子数23％以上且55％以下的比率包含以sp3杂化轨道形成键合的碳，所述第二层位于所述第三层与所述第一反射膜间，所述第二层对具有所述第一波长的光具有透光性，所述第二层包括第二电极，所述第二层包含5原子％以上的原子序数为21至83的元素，所述第一层位于所述第二层与所述第一反射膜间，所述第一层对具有所述第一波长的光具有透光性，所述第一层包含95原子％以上的原子序数为1至20的元素，并且，所述第一反射膜反射具有所述第一波长的光。6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第二层包含金属氧化物，并且所述金属氧化物包含铟、锡、锌、镓或钛。7.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一层包含氧化硅或氧化铝。8.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一反射膜具有导电性，并且所述第一反射膜与所述第二电极电连接。9.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一反射膜包含银或铝。10.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电极对具有所述第一波长的光具有透光性。11.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一电极包含银、镁、铝、铟、锡、锌、镓或钛。12.一种显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部刚吉，石本拓矢，大泽信晴，濑尾哲史，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：