一种发光装置，其包含一基板、一第一导电层设置于该基板上、一第一凸块座设置于该第一导电层上、一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离、一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一及第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部。该发光装置还包含一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一侧壁的至少一部分；一第二凸块设置于该第二凸块座上并覆盖该第二侧壁的至少一部分；及一发光单元形成于该第一凹部的该底部上且位于该第一凸块及第二凸块间。块及第二凸块间。块及第二凸块间。
【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制备方法
[0001]本揭露是关于一种发光装置及其制备方法，特别是关于一种包含凸块及凸块座的发光装置及其制备方法。
技术介绍
[0002]有机发光装置已经广泛使用于最高端的电子装置的显示器中。然而，由于现有技术的限制，发光装置的亮度受到限制。因此，对于显示器制造商而言，具有更高亮度的发光装置成为一个努力的目标。
技术实现思路
[0003]发光装置包含一基板、一第一导电层设置于该基板上、一第一凸块座设置于该第一导电层上、一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离，及一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上。该第一电极层包含位于该第一凸块座的侧壁、该第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部。该发光装置还包含一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一侧壁的至少一部分、一第二凸块设置于该第二凸块座上并覆盖该第二侧壁的至少一部分，及一发光单元形成于该第一凹部的该底部上且位于该第一凸块及第二凸块间。
[0004]于某些实施方式中，该第一凸块座包含一介电层设置于该第一导电层上，一第二导电层设置于该介电层上，及一第二电极层设置于该第二导电层上。
[0005]于某些实施方式中，该第一凸块座的一侧壁及一下表面间夹有一半径角，该半径角的范围为10度到90度。
[0006]于某些实施方式中，该发光装置还包含一第三凸块座，设置于该第一导电层上且与该第一凸块座及该第二凸块座彼此分离；及一第二凹部，形成于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。
[0007]于某些实施方式中，该发光装置还包含一蚀刻停止层，设置于该基板与该第一导电层间；其中该第二凹部延伸至该第一导电层中，且该第二凸块与该蚀刻停止层接触。
[0008]一种发光装置包含一第一凸块设置于一第一凸块座上并覆盖该第一凸块座的一上表面及一侧壁的至少一部份、一第二凸块设置于与该第一凸块座分离的一第二凸块座及与该第二凸块座分离的一第三凸块座上，该第二凸块覆盖该第二凸块座的一上表面及一侧壁的至少一部份，该第一凸块座的该侧壁与该第二凸块座的该侧壁相对设置、一第一电极层设置于该第一凸块与该第二凸块间，并且延伸至该第一凸块与该第一凸块座的该侧壁间，以及延伸至该第二凸块与该第二凸块座的该侧壁间；及一发光单元设置于该第一凸块及第二凸块间的该第一电极层上。
[0009]于某些实施方式中，该发光装置还包含一第二凹部，设置于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。
[0010]一种制备发光装置的方法，包含形成一第一导电层于一基板上；形成一介电层于该第一导电层上、形成一第二导电层于该介电层上；形成一第一电极层于该第二导电层上；图案化该第一电极层、第二导电层及该介电层，以形成暴露该第一导电层的一第一开口。该制备发光装置的方法还包含形成一第二电极层于该第一开口及该第一电极层上，以形成与该第一开口共型的第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部；形成一第一凸块于该第一凹部的该第一侧壁；形成一第二凸块于该第一凹部的该第二侧壁；形成一发光单元于该第一凹部的该底部以及该第一凸块及该第二凸块间。
[0011]于某些实施方式中，该方法还包含图案化该第一电极层、第二导电层及该介电层，以形成暴露该第一导电层的一第二开口，该第一开口与该第二开口彼此分离；形成该第二电极层于该第二开口；及移除位于该第二开口的第二电极层，使部分的该第一导电层暴露。
[0012]于某些实施方式中，该方法还包含图案化自该第二开口暴露的该第一导电层，以形成一第二凹部；以及形成该第二凸块于该第一凹部的该第二侧壁及该第二凹部中。
附图说明
[0013]图1为根据某些实施方式，一发光装置的中间产物的俯视图。
[0014]图2为根据某些实施方式，一发光装置的剖面图。
[0015]图3为根据某些实施方式，一发光装置的剖面图。
[0016]图4为根据某些实施方式，一发光装置的剖面图。
[0017]图5为根据某些实施方式，一发光装置的剖面图。
[0018]图6为根据某些实施方式，一制备发光装置的方法的流程图。
[0019]图7至22的概要图式绘示根据本揭示内容某些实施方式的方法处于不同制造阶段的发光装置。
具体实施方式
[0020]以下揭示内容提供许多不同的实施例或范例，用于实施本申请案的不同特征。组件与配置的特定范例的描述如下，以简化本申请案的揭示内容。当然，这些仅为范例，并非用于限制本申请案。例如，以下描述在第二特征上或上方形成第一特征可包含形成直接接触的第一与第二特征的实施例，亦可包含在该第一与第二特征间形成其他特征的实施例，因而该第一与第二特征并非直接接触。此外，本申请案可在不同范例中重复组件符号与/或字母。此重复是为了简化与清楚的目的，而非支配不同实施例与/或所讨论架构间的关系。
[0021]再者，本申请案可使用空间对应语词，例如「下」、「间」、「低于」、「较低」、「高于」、「较高」等类似语词的简单说明，以描述图式中一组件或特征与另一组件或特征的关系。空间对应语词是用以包括除了图式中描述的位向以外，装置于使用或操作中的不同位向。装置或可被定位(旋转90度或是其他位向)，并且可相应解释本申请案使用的空间对应描述。
[0022]尽管本揭露的广泛范围揭露的数值范围与参数为近似值，但在具体实施例中阐述的数值尽可能地精确。然而，任何数值固有地包含须由个别测试测量中得到的标准偏差所导致的某些误差。再者，如本文该，「约」通常是指给定值或范围的10％、5％、1％、或0.5％以内。或者，用语「约」是指该技艺中具有通常技术者考虑的平均值的可接受的标准误差内。除
了在操作/工作范例中，或是除非特别指明，否则本文所揭露例如材料的量、时间期间、温度、操作条件、量的比例、以及类似者的所有的数值范围、量、值与比例皆应被理解为在所有情况下都被用语「约」修饰。因此，除非有相反的说明，否则本揭露与申请专利范围该的数值参数皆为可视需要而变化的近似值。至少应根据报告的有效数字的数量且应用普通舍入技术来解释每个数值参数。在本文中，范围可表示为自一端点至另一端点，或是在两个端点间。除非特别说明，否则本文所揭露的所有范围包含端点。
[0023]图1为俯视图，例示发光装置100的中间产物。发光装置100具有多个发光单元350以及位于发光单元350上方的覆盖层380。对于发光单元350，可设置于复数个凸块340间，例如设置于第一凸块341及第二凸块342间的第一凹部331，第一凹部331提供用于容纳发光单元350阵列的凹部阵列。为使发光装置100具有更佳的亮度，第二凸块342下设置有第二凹部361。于某些实施方式中，多个第二凹部361形成用于反射发光单元350阵列所发出的光线的凹部阵列。于某些实施方式中，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：一基板；一第一导电层设置于该基板上；一第一凸块座设置于该第一导电层上；一第二凸块座设置于该第一导电层上且与该第一凸块座分离；一第一电极层设置于该第一凸块座、该第一导电层及该第二凸块座上，该第一电极层包含位于第一凸块座的侧壁、第二凸块座的侧壁及该第一凸块座及该第二凸块座间的一第一凹部，该第一凹部具有一第一侧壁及相对于该第一侧壁的第二侧壁，以及位于该第一侧壁及该第二侧壁间的一底部；一第一凸块设置于该第一凸块座上并覆盖该第一侧壁的至少一部分；一第二凸块设置于该第二凸块座上并覆盖该第二侧壁的至少一部分；及一发光单元形成于该第一凹部的该底部上且位于该第一凸块及第二凸块间。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一凸块座包含一介电层设置于该第一导电层上，一第二导电层设置于该介电层上，及一第二电极层设置于该第二导电层上。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一凸块座的一侧壁及一下表面间夹有一半径角，该半径角的范围为10度到90度。4.如权利要求1所述的发光装置，还包含：一第三凸块座，设置于该第一导电层上且与该第一凸块座及该第二凸块座彼此分离；及一第二凹部，形成于该第二凸块座与该第三凸块座间，且该第二凸块填满该第二凹部。5.如权利要求4所述的发光装置，还包含：一蚀刻停止层，设置于该基板与该第一导电层间；其中该第二凹部延伸至该第一导电层中，且该第二凸块与该蚀刻停止层接触。6.一种发光装置，包括：一第一凸块设置于一第一凸块座上并覆盖该第一凸块座的一上表面面及一侧壁的至少一部份；一第二凸块设置于与该第一凸块座分离的一第二凸块座及与该第二凸块座分离的一第三凸块座上，该第二凸块...
【专利技术属性】
技术研发人员：段复元，
申请(专利权)人：台州观宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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