阵列基板包括驱动电路板(1)和依次叠置于其上的第一电极层(2)、绝缘层(3)和阳极结构(4)；阳极结构(4)包括依次远离驱动电路板(1)设置的反射层(41)、中间介电层(42)和透明导电层(43)，阵列基板具有第一像素区(101)、第二像素区(102)和第三像素区(103)，阳极结构(4)包括第一阳极结构(201)、第二阳极结构(202)和第三阳极结构(203)；第一电极层(2)包括第一子部(21)、第二子部(22)和第三子部(23)；第一阳极结构(201)通过开设在绝缘层(3)中的第一过孔(31)连接第一子部(21)，第二阳极结构(202)通过开设在绝缘层(3)中的第二过孔(32)连接第二子部(22)，第三阳极结构(203)通过开设在绝缘层(3)中的第三过孔(33)连接第三子部(23)；绝缘层(3)的与第一阳极结构(201)、第二阳极结构(202)和第三阳极结构(203)相接触的表面平齐，第二阳极结构(202)、第一阳极结构(201)和第三阳极结构(203)中的中间介电层(42)的厚度依次增大。增大。增大。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法和显示面板
[0001]本公开实施例属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
技术介绍
[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diodes，简称OLED)显示面板作为新型的面板，已广泛应用于智能手表、手机、平板电脑、电脑显示器等设备上。
[0003]OLED显示面板包括发光器件，发光器件包括发光功能层，发光功能层的材料的半波宽通常较大，一般不小于100nm，由于发光功能层的材料的边带振动和跃迁的非均匀展开效应，使得发光器件的发光性能受到影响，其中，蓝光受其影响最大，其次是红光。
技术实现思路
[0004]本公开实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板。
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，包括驱动电路板和依次叠置在所述驱动电路板上的第一电极层、绝缘层和阳极结构；所述阳极结构包括依次远离所述驱动电路板设置的反射层、中间介电层和透明导电层，其中，
[0006]所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述阳极结构包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构；所述第一电极层包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一子部、第二子部和第三子部；所述第一阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一子部，所述第二阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二子部，所述第三阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第三子部；所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部分别通过过孔连接所述驱动电路板中的像素电路；
[0007]所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度依次增大。
[0008]在一些实施例中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层的第一侧面与所述绝缘层相接触并贴合，所述中间介电层包覆所述反射层的第一侧面以外的所有外侧面，且所述中间介电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合；
[0009]所述透明导电层包覆于整个所述中间介电层的背离所述反射层的外侧，且所述透明导电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合。
[0010]在一些实施例中，所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面平齐；
[0011]所述绝缘层中的第一过孔一端连接所述第一阳极结构中所述透明导电层的与所
述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第一子部的背离所述驱动电路板的表面；
[0012]所述绝缘层中的第二过孔一端连接所述第二阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第二子部的背离所述驱动电路板的表面；
[0013]所述绝缘层中的第三过孔一端连接所述第三阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面。
[0014]在一些实施例中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层在所述驱动电路板上的正投影位于与其对应的所述透明导电层在所述驱动电路板上的正投影的范围内。
[0015]在一些实施例中，所述第二阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为所述第一阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为所述第一阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度范围为
[0016]在一些实施例中，所述反射层包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括铝。
[0017]在一些实施例中，所述反射层还包括设置于所述第一金属层背离所述透明导电层一侧的第一保护层。
[0018]在一些实施例中，所述第一保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层和所述第二子保护层沿远离所述第一金属层的方向依次叠置；
[0019]所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。
[0020]在一些实施例中，所述第一金属层的厚度范围为所述第一保护层的厚度范围为
[0021]在一些实施例中，所述透明导电层的厚度范围为
[0022]在一些实施例中，所述第一过孔、所述第二过孔和所述第三过孔中填充有钨。
[0023]在一些实施例中，所述第一电极层包括第二金属层，所述第二金属层的材料包括铝。
[0024]在一些实施例中，所述第一电极层还包括设置于所述第二金属层背离所述阳极结构一侧的第二保护层。
[0025]在一些实施例中，所述第一电极层还包括设置于所述第二金属层靠近所述阳极结构一侧的第三保护层。
[0026]在一些实施例中，所述第二保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第三保护层包括第一子保护层和/或第二子保护层；所述第一子保护层和所述第二子保护层沿远离所述第二金属层的方向依次叠置；
[0027]所述第一子保护层的材料包括钛，所述第二子保护层的材料包括氮化钛。
[0028]在一些实施例中，所述中间介电层采用无机绝缘材料。
[0029]在一些实施例中，所述绝缘层采用无机绝缘材料。
[0030]在一些实施例中，所述透明导电层采用氧化铟锡材料。
[0031]第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，其中，包括上述阵列基板，还包括依次设置于所述阵列基板上的发光功能层、阴极层和封装层；
[0032]所述发光功能层包括分别设置于所述阵列基板上第一像素区、第二像素区和第三像素区的红色发光功能层、绿色发光功能层和蓝色发光功能层；
[0033]所述阴极层延伸覆盖所述红色发光功能层、所述绿色发光功能层和所述蓝色发光功能层。
[0034]第三方面，本公开实施例提供一种阵列基板的制备方法，其中，所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述制备方法包括：制备驱动电路板；
[0035]在驱动电路板上依次制备第一电极层、绝缘层和阳极结构；
[0036]其中，制备阳极结构包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构，所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，制备所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构分别包括依次在所述驱动电路板上制备反射层、中间介电层和透明导电层；
[0037]制备第一电极层包括分别在阵列基板的第一像素区、第二像素区和第三像素区制备第一子部、第二子部和第三子部；
[0038]制备所述绝缘层包括在其中形成第一过孔、第二过孔和第三过孔；通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一阳极结构与所述第一子部；通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二阳极结构与所述第二子部；通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括驱动电路板和依次叠置在所述驱动电路板上的第一电极层、绝缘层和阳极结构；所述阳极结构包括依次远离所述驱动电路板设置的反射层、中间介电层和透明导电层，其中，所述阵列基板具有第一像素区、第二像素区和第三像素区，所述阳极结构包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一阳极结构、第二阳极结构和第三阳极结构；所述第一电极层包括分别设置于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的第一子部、第二子部和第三子部；所述第一阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第一过孔连接所述第一子部，所述第二阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第二过孔连接所述第二子部，所述第三阳极结构通过开设在所述绝缘层中的第三过孔连接所述第三子部；所述第一过孔位于所述中间介电层在所述驱动电路板上的正投影之外；所述第二过孔位于所述中间介电层在所述驱动电路板上的正投影之外；所述第三过孔位于所述中间介电层在所述驱动电路板上的正投影之外。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构中，所述反射层的第一侧面与所述绝缘层相接触并贴合，所述中间介电层包覆所述反射层的第一侧面以外的所有外侧面，且所述中间介电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述透明导电层包覆于整个所述中间介电层的背离所述反射层的外侧，且所述透明导电层的外围边缘区域与所述绝缘层相接触并贴合。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述反射层包括第一金属层和第一保护层，所述第一保护层设置于所述第一金属层的背离所述透明导电层的一侧，所述第一金属层的厚度大于所述第一保护层的厚度。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述第一电极层包括第二金属层，所述第一金属层的厚度小于所述第二金属层的厚度。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部分别通过过孔连接所述驱动电路板中的像素电路；所述绝缘层的与所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所述第三阳极结构相接触的表面平齐，所述第二阳极结构、所述第一阳极结构和所述第三阳极结构中的所述中间介电层的厚度依次增大。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一子部、所述第二子部和所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面平齐；所述绝缘层中的第一过孔一端连接所述第一阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第一子部的背离所述驱动电路板的表面；所述绝缘层中的第二过孔一端连接所述第二阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第二子部的背离所述驱动电路板的表面；所述绝缘层中的第三过孔一端连接所述第三阳极结构中所述透明导电层的与所述绝缘层相接触的部分，另一端连接所述第三子部的背离所述驱动电路板的表面。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一阳极结构、所述第二阳极结构和所
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘李，卢鹏程，施蓉蓉，田元兰，魏俊波，张大成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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