显示装置以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:38260679 阅读:8 留言:0更新日期:2023-07-27 10:21
提供一种显示装置以及显示装置的制造方法。显示装置包括:基板,包括驱动元件以及与驱动元件连接的发光元件;窗层,配置在基板上;第一附着层,配置在窗层上且包括镁化合物和钇化合物;第二附着层,配置在第一附着层上;以及折射层,配置在第二附着层上且包括PFPE化合物。配置在第二附着层上且包括PFPE化合物。配置在第二附着层上且包括PFPE化合物。

【技术实现步骤摘要】
显示装置以及显示装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及显示装置以及显示装置的制造方法。更详细而言,本专利技术涉及可以显示图像的显示装置以及显示装置的制造方法。

技术介绍

[0002]正在以各种方式制造显示装置来加以使用。显示装置可以射出光来向使用者提供视觉信息。为了射出光,显示装置可以包括各种发光物质。例如,显示装置可以包括利用液晶层来发光的液晶显示装置、利用无机发光二极管来发光的无机发光显示装置、利用有机发光二极管来发光的有机发光显示装置等。
[0003]显示装置可以为了防止外光的反射而包括偏振层。但是,由于偏振层的配置,可能会增加显示装置的厚度,并且可能会花费追加偏振层的费用。
[0004]因此,正在进行对于不配置偏振层也可以防止外光的反射的显示装置的研究。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一目的在于,提供一种可以显示图像的显示装置。
[0006]本专利技术的其他目的在于,提供一种可以显示图像的显示装置的制造方法。
[0007]但是,本专利技术并不限于上述的目的,在不超出本专利技术的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
[0008]为了达成上述的本专利技术的一目的,本专利技术的实施例涉及的显示装置可以包括:基板,包括驱动元件以及与所述驱动元件连接的发光元件;窗层,配置在所述基板上;第一附着层,配置在所述窗层上且包括镁化合物和钇化合物;第二附着层,配置在所述第一附着层上;以及折射层,配置在所述第二附着层上且包括PFPE化合物。
[0009]在一实施例中,可以是,所述镁化合物包括氟化镁(MgF2)和氧化镁(MgO),所述钇化合物包括氟氧化钇(YOF)。
[0010]在一实施例中,可以是,所述氟氧化钇(YOF)是立方晶系(cubic)结构、正方晶系(tetragonal)结构或三角晶系(rhombohedral)结构。
[0011]在一实施例中,可以是,所述第一附着层的折射率是1.38至1.40,所述第二附着层的折射率是1.46至1.50,所述折射层的折射率是1.30至1.34。
[0012]在一实施例中,可以是,所述第一附着层的厚度是50纳米至150纳米,所述第二附着层的厚度是5纳米至25纳米,所述折射层的厚度是5纳米至30纳米。
[0013]在一实施例中,可以是,所述第二附着层包括二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)的置换型固溶体。
[0014]在一实施例中,可以是,所述置换型固溶体是Si9Al2O
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[0015]在一实施例中,可以是,所述显示装置还包括:滤色器层,配置在所述基板与所述窗层之间;以及粘合层,配置在所述滤色器层与所述窗层之间。
[0016]为了达成上述的本专利技术的一目的,本专利技术的实施例涉及的显示装置可以包括:基
板,包括驱动元件以及与所述驱动元件连接的发光元件;窗层,配置在所述基板上;第一附着层,配置在所述窗层上且包括氟化镁(MgF2)、氧化镁(MgO)和氟氧化钇(YOF);第二附着层,配置在所述第一附着层上且包括二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)的置换型固溶体;以及折射层,配置在所述第二附着层上且包括PFPE化合物。
[0017]在一实施例中,可以是,所述氟氧化钇(YOF)是立方晶系(cubic)结构、正方晶系(tetragonal)结构或三角晶系(rhombohedral)结构。
[0018]在一实施例中,可以是,所述第一附着层的折射率是1.38至1.40,所述第二附着层的折射率是1.46至1.50,所述折射层的折射率是1.30至1.34。
[0019]在一实施例中,可以是,所述第一附着层的厚度是50纳米至150纳米,所述第二附着层的厚度是5纳米至25纳米,所述折射层的厚度是5纳米至30纳米。
[0020]在一实施例中,可以是,所述置换型固溶体是Si9Al2O
10

[0021]在一实施例中,可以是,所述显示装置还包括:滤色器层,配置在所述基板与所述窗层之间;以及粘合层,配置在所述滤色器层与所述窗层之间。
[0022]为了达成上述的本专利技术的其他目的,本专利技术的实施例涉及的显示装置的制造方法可以包括:在包括驱动元件以及与所述驱动元件连接的发光元件的基板上形成窗层的步骤;在所述窗层上形成包括氟化镁(MgF2)、氧化镁(MgO)以及氟氧化钇(YOF)的第一附着层的步骤;在所述第一附着层上形成包括使二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)反应而获得的置换型固溶体的第二附着层的步骤;以及在所述第二附着层上形成包括PFPE化合物的折射层的步骤。
[0023]在一实施例中,可以是,形成所述第一附着层的步骤包括使氟化镁(MgF2)和钇氧化物(Y2O3)反应的步骤。
[0024]在一实施例中,可以是,使所述氟化镁(MgF2)和所述钇氧化物(Y2O3)反应的步骤在1150摄氏度至1250摄氏度的温度下进行。
[0025]在一实施例中,可以是,使所述氟化镁(MgF2)和所述钇氧化物(Y2O3)反应的步骤利用氧(O2)和氩(Ar)在140摄氏度至160摄氏度的温度下进行。
[0026]在一实施例中,可以是,在使所述氟化镁(MgF2)和所述钇氧化物(Y2O3)反应的步骤中,以5SCCM至30SCCM(standard cc per minute,标准毫升/分钟)的流量提供所述氧(O2),以5SCCM至30SCCM的流量提供所述氩(Ar)。
[0027]在一实施例中,可以是,所述置换型固溶体是Si9Al2O
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,所述二氧化硅(SiO2)与所述氧化铝(Al2O3)的反应在1530摄氏度至1590摄氏度下进行。
[0028](专利技术效果)
[0029]为了达成上述的本专利技术的一目的,本专利技术的实施例涉及的显示装置可以包括:基板,包括驱动元件以及与所述驱动元件连接的发光元件;窗层,配置在所述基板上;第一附着层,配置在所述窗层上且包括氟化镁(MgF2)、氧化镁(MgO)和氟氧化钇(YOF);第二附着层,配置在所述第一附着层上且包括二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)的置换型固溶体;以及折射层,配置在所述第二附着层上且包括PFPE化合物。
[0030]所述第一附着层、所述第二附着层和所述折射层包括折射率相对低的物质(例如,具有1.7以下的折射率的物质),从而可以具有防外光反射效果。此外,所述第一附着层、所述第二附着层和所述折射层具有高强度、高硬度和出色的耐久性,从而可以提高显示装置
的品质。
[0031]所述第二附着层包括所述置换型固溶体,从而可以有效地附着第一附着层和折射层。
[0032]此外,在显示装置的制造过程中,当形成第一附着层时,氩(Ar)和氧(O2)起到催化剂作用,从而可以有效地形成第一附着层。
[0033]但是,本专利技术的效果并不限于上述的效果,在不超出本专利技术的思想和领域的范围可以进行各种扩展。
附图说明
[0034]图本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置,包括:基板,包括驱动元件以及与所述驱动元件连接的发光元件;窗层,配置在所述基板上;第一附着层,配置在所述窗层上且包括镁化合物和钇化合物;第二附着层,配置在所述第一附着层上;以及折射层,配置在所述第二附着层上且包括PFPE化合物。2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述镁化合物包括氟化镁和氧化镁,所述钇化合物包括氟氧化钇。3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述氟氧化钇是立方晶系结构、正方晶系结构或三角晶系结构。4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二附着层包括二氧化硅和氧化铝的置换型固溶体。5.根据权利要求4所述的显示装置,其特征在于,所述置换型固溶体是Si9Al2O
10
。6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一附着层的折射率是1.38至1.40,所述第二附着层的折射率是1.46至1.50,所述折射层的折射率是1.30至1.34。7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第一附着层的厚度是50纳米至150纳米,所述第二附着层的厚度是5纳米至25纳米,所述折射层的厚度是5纳米至30纳米。8.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:滤色器层,配置在所述基板与所述窗层之间;以及粘合层,配置在所述滤色器层与所述窗层之间。9.一种显示装置,包括:基板,包括驱动元件以及与所述驱动元件连接的发光元件;窗层,配置在所述基板上;第一附着层,配置在所述窗层上且包括氟化镁、氧化镁和氟氧化钇;第二附着层,配置在所述第一附着层上且包括二氧化硅和氧化铝的置换型固溶体;以及折射层,配置在所述第二附着层上且包括PFPE化合物。10.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述氟氧化钇是立方晶系结构、正方晶系结构或三角晶系结构。11.根据权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述置换型固溶体是Si9Al2O
10

【专利技术属性】
技术研发人员:曺宗焕
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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