【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种显示设备，特别是一种包含电荷施体受体层的显示设备。
技术介绍
1、包含光学元件层的显示设备已广泛用于大多数的电子装置中，近年来更对显示设备有大型化的需求。然而，在制造显示设备的方法中，存在良率不佳的步骤。事实上，本领域众所公认的挑战之一就是在形成具有光学元件层的显示设备的同时，提升制造的良率。因此，显示设备产业正在寻求能够解决上述议题的方法。
技术实现思路
1、一种显示设备包括衬底、第一电极、第一发光堆栈结构、电荷施体受体层、第二发光堆栈结构以及第二电极。第一电极设置于衬底上。第一发光堆栈结构设置于第一电极上。电荷施体受体层设置于第一发光堆栈结构上。第二发光堆栈结构设置于电荷施体受体层上。第二电极设置于第二发光堆栈结构上。
2、在某些实施方式中，其中第一发光堆栈结构包括电子运输层，且第一发光堆栈结构的电子运输层的最低未占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
3、在某些实施方式中，其中第二发光堆栈结构包括电洞运输层，且第二发光堆栈结构的电洞运输层的最高占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
4、在某些实施方式中，显示设备包括设置于第一发光堆栈结构与电荷施体受体层之间的缓冲层。
5、在某些实施方式中，其中缓冲层的最低未占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
6、在某些实施方式中，其中缓冲层的最高占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的
7、在某些实施方式中，其中电荷施体受体层包括电荷施体官能基及电荷受体官能基。
8、在某些实施方式中，其中电荷施体官能基包括供电子性氮的结构。
9、在某些实施方式中，其中电荷受体官能基包括吸电子性氮的芳香族杂环结构。
10、在某些实施方式中，其中电荷施体官能基及电荷受体官能基的比例介于5:1至1:5。
11、本揭露提供一种制造显示设备的方法，包括：提供衬底；形成第一电极于衬底上；形成第一发光堆栈结构于第一电极上；形成电荷施体受体层于第一发光堆栈结构上；形成第二发光堆栈结构于电荷施体受体层上；以及形成第二电极于第二发光堆栈结构上。
12、在某些实施方式中，其中第一发光堆栈结构包括电子运输层，且第一发光堆栈结构的电子运输层的最低未占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
13、在某些实施方式中，其中第二发光堆栈结构包括电洞运输层，且第二发光堆栈结构的电洞运输层的最高占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
14、在某些实施方式中，显示设备包括设置于第一发光堆栈结构与电荷施体受体层之间的缓冲层。
15、在某些实施方式中，其中缓冲层的最低未占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
16、在某些实施方式中，其中缓冲层的最高占据分子轨域的能阶大于电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
17、在某些实施方式中，其中电荷施体受体层包括电荷施体官能基及电荷受体官能基。
18、在某些实施方式中，其中电荷施体官能基包括供电子性氮的结构。
19、在某些实施方式中，其中电荷受体官能基包括吸电子性氮的芳香族杂环结构。
20、在某些实施方式中，其中电荷施体官能基及电荷受体官能基的比例介于5:1至1:5。
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1.一种显示设备，包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一发光堆栈结构包括电子运输层，且所述第一发光堆栈结构的所述电子运输层的最低未占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二发光堆栈结构包括电洞运输层，且所述第二发光堆栈结构的所述电洞运输层的最高占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
4.根据权利要求1所述的显示设备，更包括：
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中所述缓冲层的最低未占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中所述缓冲层的最高占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述电荷施体受体层包括电荷施体官能基及电荷受体官能基。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述电荷施体官能基包括供电子性氮的结构。
9.根据权利要求7所述的显示设
10.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述电荷施体官能基及所述电荷受体官能基的比例介于5:1至1:5。
11.一种制造显示设备的方法，包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一发光堆栈结构包括电子运输层，且所述第一发光堆栈结构的所述电子运输层的最低未占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二发光堆栈结构包括电洞运输层，且所述第二发光堆栈结构的所述电洞运输层的最高占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
14.根据权利要求11所述的方法，更包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述缓冲层的最低未占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述缓冲层的最高占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
17.根据权利要求11所述的方法，其中所述电荷施体受体层包括电荷施体官能基及电荷受体官能基。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述电荷施体官能基包括供电子性氮的结构。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述电荷受体官能基包括吸电子性氮的芳香族杂环结构。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述电荷施体官能基及所述电荷受体官能基的比例介于5:1至1:5。
...【技术特征摘要】
1.一种显示设备，包括：
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第一发光堆栈结构包括电子运输层，且所述第一发光堆栈结构的所述电子运输层的最低未占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述第二发光堆栈结构包括电洞运输层，且所述第二发光堆栈结构的所述电洞运输层的最高占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
4.根据权利要求1所述的显示设备，更包括：
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中所述缓冲层的最低未占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最低未占据分子轨域的能阶。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其中所述缓冲层的最高占据分子轨域的能阶大于所述电荷施体受体层的最高占据分子轨域的能阶。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述电荷施体受体层包括电荷施体官能基及电荷受体官能基。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述电荷施体官能基包括供电子性氮的结构。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述电荷受体官能基包括吸电子性氮的芳香族杂环结构。
10.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述电荷施体官能基及所述电荷受体官能基的比例介于5:1至1:5。
【专利技术属性】
技术研发人员：朱克泰，陈旻贤，魏丽真，卢玄龙，
申请(专利权)人：台州观宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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