一种制造技术

本发明专利技术提供一种

【技术实现步骤摘要】
一种NBTI效应内联测试结构和测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体测试结构
，具体涉及一种
NBTI
效应内联测试结构和测试方法
。

技术介绍

[0002]NBTI
效应
(
负偏温度不稳定性
)
是指
PMOS
器件的负栅温度不稳定性，也即
PMOS
的阈值电压和饱和电流等电学参数随栅极电压应力发生漂移的现象
。NBTI
效应对
PMOS
器件的可靠性和寿命会产生极大影响，严重时甚至可能使得
MOS
器件完全丧失正常功能，所以对于
MOS
器件产品的
NBTI
效应监控显得尤为重要
。
且
NBTI
测量是在
MOS
器件制备结束之后通过变温系统进行测试
。
[0003]如图1所示，现有的
NBTI
测试结构是基于金属电阻率随温度变化原理设计，且在基于金属电阻率随温度变化原理设计本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
NBTI
效应内联测试结构，其特征在于，用于对
MOS
器件进行测试，包括：
PN
结，所述
PN
结设置于所述
MOS
器件的侧部，且所述
PN
结中电流的磁场方向平行于所述
MOS
器件的沟道延伸方向；金属层加热电阻，所述金属层加热电阻设置于所述
PN
结和所述
MOS
器件的上方，用于对所述
MOS
器件进行均匀加热
。2.
根据权利要求1所述的
NBTI
效应内联测试结构，其特征在于，所述
PN
结设置为圆周结构，以减小热应力导致的
PN
结反偏电流变化
。3.
根据权利要求1所述的
NBTI
效应内联测试结构，其特征在于，所述金属层加热电阻设置为蛇形管型结构
。4.
根据权利要求1所述的
NBTI
效应内联测试结构，其特征在于，还包括：降温结构，所述降温结构设置于所述
PN
结和
/
或所述金属层加热电阻的侧部，用于对所述
MOS
器件进行降温
。5.
根据权利要求4所述的
NBTI
效应内联测试结构，其特征在于，所述降温结构包括：吸热端，所述吸热端设置于所述
PN
结和
/
或所述金属层加热电阻的侧部，用于吸收热量；
N
型热电材料，所述
N
型热电材料与所述吸热端的第一端连接；
P
型热电材料，所述
P
型热电材料与所述吸热端的第二端连接；两放热端，两所述放热端的第一端分别与所述
N
型热电材料
、
所述
P
型热电材料连接，两所述放热端的第二端分别与电源的正负极连接
。6.
根据权利要求5所述的
NBTI
效应内联测试结构，其特征在于，所述吸热端和所述放热端均为金属材料制成
。7.
一种

【专利技术属性】
技术研发人员：李东洁，朱钰，贾威，蒲义，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：