测试结构制造技术

本申请提供一种测试结构

【技术实现步骤摘要】
测试结构、性能测试方法及半导体器件


[0001]本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种测试结构
、
性能测试方法及半导体器件
。

技术介绍

[0002]半导体制造领域，填充金属层
(
包括互连线
interconnect)、
通孔
(via)
介质层材料为低介电系数材料，所以，在
BEOL(Back End Of Line
，后段工艺
)
采用
Low
‑
k
材料制成的介质层其击穿电压
(Vbd
，
Voltage breakdown)
会很低，特别是其
TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown
，介质层经时击穿效应
)
更会更显著下降，因此
BEOL
工艺的可靠性要求更高，对
BEOL
制造的电路结构性能的测试非常重要
。
[0003]现有技术
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种测试结构，其特征在于，包括：第一测试金属层组
、
第二测试金属层组
、
第三测试金属层组，所述第一测试金属层组
、
所述第二测试金属层组与第三测试金属层组相互之间设置介质层；所述第二测试金属层组
、
所述第三测试金属层组与所述第一测试金属层组，沿第一方向交错排列，所述第二测试金属层组与所述第三测试金属层组沿第二方向间隔设置；第一焊垫，连接于所述第一测试金属层组；第二焊垫组，连接于所述第二测试金属层组；第三焊垫，连接于所述第二焊垫组；第四焊垫组，连接于所述第三测试金属层组；第一保护组件，连接于所述第二焊垫组与所述第三焊垫之间；以及第二保护组件，连接于所述第三焊垫与所述第四焊垫组之间
。2.
根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一测试金属层组包括多个第一测试金属层，沿第二方向层叠设置；所述第二测试金属层组包括一个或多个第二测试金属层；所述第三测试金属层组包括一个或多个第三测试金属层
。3.
根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第四焊垫组还包括：第五焊垫，第五焊垫通过第三保护组件连接于第三焊垫，第五焊垫与设置的第四测试金属层组连接，第一焊垫
、
第三焊垫与第五焊垫用于测量第四测试金属层组上发生击穿，第四测试金属层组与第三测试金属层组在第二方向间隔设置
。4.
根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一保护组件包括依次连接的第一电阻丝和第一保护电阻
。5.
根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第二保护组件包括依次连接的第二电阻丝和第二保护电阻
。6.

【专利技术属性】
技术研发人员：焦岚清，宋永梁，赵吟霜，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：