一种半导体测试结构及其测试方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体测试结构及其测试方法

【技术实现步骤摘要】
一种半导体测试结构及其测试方法


[0001]本专利技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种可以检测沟槽隔离结构边沟问题及其严重程度的半导体测试结构及其测试方法
。

技术介绍

[0002]目前，半导体集成电路通常包含有源区以及位于两个有源区之间的隔离结构，隔离结构是两个器件独立工作的关键结构
。
随着半导体器件尺寸的减小，在
0.18um
工艺节点以下的器件中，一般采用浅沟槽隔离
(Shallow Trench Isolation
，简称
STI)
工艺制备浅沟槽隔离结构来进行隔离
。
[0003]制备浅沟槽隔离结构的工艺流程一般是：
(1)
在半导体衬底上形成第一氧化物层
、
刻蚀阻挡层和图案化的光刻胶层，并以图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀其下方的刻蚀阻挡层
、
第一氧化物层和半导体衬底至一定深度，形成浅沟槽；
(2)
在浅沟槽的沟槽内壁表面上形成一层薄的第二氧化物层，然后在浅沟槽内填充绝缘氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体测试结构，其特征在于，包括待测结构和对照结构；所述待测结构包括：至少两第一有源区，位于相邻两所述第一有源区之间的沟槽隔离结构，形成于所述沟槽隔离结构上的第一多晶硅结构，耦接至所述第一多晶硅结构的第一连接结构以及耦接至所述第一有源区的第二连接结构；所述对照结构包括：第二有源区，形成于所述第二有源区上的第二多晶硅结构，耦接至所述第二多晶硅结构的第三连接结构以及耦接至所述第二有源区的第四连接结构
。2.
根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二多晶硅结构的宽度值为所述第一多晶硅结构的宽度值与所述沟槽隔离结构的宽度值的差值
。3.
根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一连接结构通过相应的第一接触孔与所述第一多晶硅结构接触，所述第二连接结构通过相应的第一接触孔与所述第一有源区接触，所述第三连接结构通过相应的第二接触孔与所述第二多晶硅结构接触，所述第四连接结构通过相应的第二接触孔与所述第二有源区接触
。4.
根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一连接结构
、
第二连接结构
、
第三连接结构以及第四连接结构选自测试用焊盘
、
电极或金属引线的其中之一
。5.
根据权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述沟槽隔离结构为环形结构，所述第一多晶硅结构以及所述第二多晶硅结构均为环形结构，且所述第一多晶硅结构完全覆盖所述沟槽隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹玥，叶亮，常建光，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：